【TPCA8106东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSⅢ ）TPCA8106锂离子电池应】,IC型号TPCA8106,TPCA8106 PDF资料,TPCA8106经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPCA8106

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSⅢ ）

TPCA8106

锂离子电池应用

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

6.0

0.3

5.0

0.2

单位：mm

1.27 0.4

0.1

0.05 M A

占地面积小，因小而薄的封装

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 2.9毫欧（典型值）。

10V）

0.15

0.05

0.95

0.05

0.595

0.166

0.05

0.8

0.1

3.5

0.2

1.1

0.2

高正向转移导纳： | Y

| = 79S （典型值）。

低漏电流：I

DSS

μA

（最大值）（Ⅴ

增强型： V

0.8

2.0

V (V

V，I

毫安）

5.0

0.2

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

（ TC = 25 ℃ ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

英镑

等级

±20

120

2.8

单位

0.6

0.1

0.05 S

4.25

0.2

脉冲（注1 ）

(Tc=25℃)

10 s)

（注2A ）

1,2,3 ： SOURCE

5,6,7,8 ：排水

4 ：门

漏极功耗

JEDEC

JEITA

东芝

2-5Q1A

漏极功耗

10 s)

（注2B ）

1.6

重量： 0.069克（典型值）。

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

208

4.5

150

°C

电路CON组fi guration

注意：对于注1至4中，请参阅下一页。

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。请在审查东芝设计相应的可靠性

半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人

可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

2010-01-14

TPCA8106

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

(Tc=25℃)

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2A ）

符号

TH（ CH-C ）

最大

2.78

单位

° C / W

第（章-a）的

44.6

° C / W

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2B ）

第（章-a）的

78.1

° C / W

记号

（注5 ）

TPCA

8106

※

产品型号

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：

（一），安装到玻璃环氧树脂基板（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

= 24

V，T

25 ° C（初始），L

100

μH,

Ω,

= 40

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年度的第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（年份的最后一个数字）

2010-01-14

TPCA8106

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

gs1

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

0 V

4.7

= 10

V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±20

V, V

0 V

= 30

V, V

0 V

= 10

毫安，V

0 V

= 10

毫安，V

20 V

= 10

V，I

= 1

= 4

V，I

= 20

= 10

V，I

= 20

= 10

V，I

= 20

民

0.8

39.5

= 20A

OUT

0.75

典型值。

5.5

2.9

4600

970

1500

300

750

130

最大

±100

2.0

7.8

3.7

单位

μA

mΩ

≈

税

≤

1%, t

μs

≈

V, V

= 10

= 40

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

= 40

A，V

0 V

民

典型值。

最大

120

1.2

单位

2010-01-14

TPCA8106

– V

4.5

3.2

3.4

3.6

常见的来源

25°C

脉冲测试

100

3.4

3.6

4.5

– V

3.2

常见的来源

25°C

脉冲测试

(A)

2.8

2.6

2.4

VGS

= 2.2

0.2

0.4

0.6

0.8

2.8

漏电流

2.6

2.4

VGS

= 2.2

漏源电压

(V)

漏源电压

(V)

– V

100

– V

0.5

(A)

(V)

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

0.4

常见的来源

25°C

脉冲测试

漏源电压

0.3

漏电流

0.2

= 40

100

= 55°C

0.1

栅源电压

(V)

栅源电压

(V)

| – I

1000

100

常见的来源

25°C

脉冲测试

DS （ ON）

– I

正向转移导纳

| (S)

100

= 55°C

100

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

VGS

= 10

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

0.1

100

0.1

100

漏电流

(A)

漏电流

(A)

2010-01-14

TPCA8106

DS （ ON）

- TA

1000

– V

(A)

常见的来源

脉冲测试

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

= 10, 20, 40

100

VGS

0 V

VGS

= 4

= 10, 20, 40

VGS

= 10

反向漏电流

常见的来源

25°C

脉冲测试

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

120

160

环境温度

(

漏源电压

(V)

电容 - V

10000

- TA

(V)

栅极阈值电压

100

（PF ）

西塞

1.6

1.2

电容

1000

科斯

CRSS

0.8

常见的来源

0.4

VDS

= 10

= -1mA

脉冲测试

120

160

100

0.1

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

漏源电压

(V)

环境温度

(

动态输入/输出

特征

(V)

VDD }

24V

常见的来源

= 40

25°C

脉冲测试

VDS

漏源电压

VGS

VDD }

24V

120

160

200

总栅极电荷

（ NC ）

栅源电压

(V)

2010-01-14

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TOSHIBA/东芝

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SOP8

只做原装，原厂原包装，现货！！

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