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TPCA8104

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U -MOS III）的

TPCA8104

高边开关应用

便携式设备的应用

0.5±0.1

8

1.27

单位：mm

0.4±0.1

5

0.05 M A

占地面积小，因小而薄的封装

6.0±0.3

高正向转移导纳： | Y

fs

| = 50 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= -10 μA （V

DS

= -60 V)

增强型： V

th

= -0.8 -2.0 V（V

DS

= -10 V，I

D

= -1毫安）

5.0±0.2

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 11毫欧（典型值）。

0.15±0.05

1

5.0±0.2

0.95±0.05

4

0.595

A

0.166±0.05

S

1

0.05 S

4

1.1±0.2

0.6±0.1

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

=

20 k)

栅源电压

漏电流

DC

脉冲

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

P

D

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

T

ch

T

英镑

等级

-60

±20

-40

-120

45

2.8

1.6

116

-40

4.5

150

55~150

mJ

A

mJ

°C

W

单位

V

A

4.25±0.2

8

5

0.8±0.1

1 ，2，3 ：源

5 ，6，7 ，8：漏

4 ：门

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-5Q1A

漏极功耗（TC

=

25°C)

漏极功耗（T

=

10 s)

（注2A ）

漏极功耗（T

=

10 s)

（注2B ）

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（TC = 25 ° C）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

重0.080克（典型值）。

电路CON组fi guration

8

7

6

5

1

2

3

3.5±0.2

4

注：对于Notes 1到4 ，请参阅下页。

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

1

2006-11-17

TPCA8104

热特性

特征

耐热性，信道至壳体（ TC = 25℃）

耐热性，信道至环境

(t

=

10秒）（注2a）的

耐热性，信道至环境

(t

=

10秒）（注2b）的

符号

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

R

TH（ CH -B ）

最大

2.78

44.6

° C / W

78.1

单位

° C / W

标记（注5 ）

TPCA

8104

※

TYPE

LOT号

注1 ：通道温度不超过150 ℃，在使用过程中。

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4

×

25.4

×

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

×

25.4

×

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

DD

=

-24 V，T

ch

=

25 ° C（初始），L

=

0.1 mH的，R

G

=

25

,

I

AR

=

-40 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度。

注5 ：

*

每周代码（三位数）：

制造周

（ 01年度的第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（日历年的最后一位数字）

2

2006-11-17

TPCA8104

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSX

V

th

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs1

Q

gd

0V

V

GS

10

V

4.7

I

D

= 20A

产量

R

L

=

1.5

V

DS

=

10

V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0 V

V

DS

=

60

V, V

GS

= 0 V

I

D

=

10

毫安，V

GS

= 0 V

I

D

=

10

毫安，V

GS

= 20 V

V

DS

=

10

V，I

D

=

1

mA

V

GS

=

4

V，I

D

=

20

A

V

GS

=

10

V，I

D

=

20

A

V

DS

=

10

V，I

D

=

20

A

民

60

35

0.8

25

典型值。

17

11

50

4300

450

600

10

最大

±10

10

2.0

24

16

ns

60

nC

pF

单位

A

V

m

S

开启时间

开关时间

下降时间

20

V

DD

30

V

税

＆ LT ;

1%, t

w

=

10

s

=

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

200

90

16

28

V

DD

≈

48

V, V

GS

=

10

V

I

D

=

40

A

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲（注1 ）

符号

I

DRP

V

DSF

测试条件

I

DR

=

40

A，V

GS

= 0 V

民

典型值。

最大

120

1.2

单位

A

V

3

2006-11-17

TPCA8104

I

D

– V

DS

50

10

8

40

4

3.8

3.6

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

3.2

I

D

– V

DS

100

10

8

6

5

4

3.8

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

3.4

5

30

漏电流I

D

(A)

6

80

3.6

60

3.4

40

3.2

3

20

2.8

VGS

= 2.6

V

0

1

2

3

4

5

3

20

2.8

10

VGS

= 2.6

V

0

0.4

0.8

0

1.2

1.6

2.0

漏源电压

V

DS

(V)

漏源电压

V

DS

(V)

I

D

– V

GS

100

1.0

V

DS

– V

GS

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

V

DS

漏源电压

80

VDS

= 10

V

脉冲测试

(V)

0.8

0.6

常见的来源

60

ID

= 40

A

0.4

40

25

20

100

Tc

= 55°C

0.2

20

10

0

1

2

3

4

5

0

4

8

12

16

20

栅源电压V

GS

(V)

栅源电压V

GS

(V)

Y

fs

– I

D

正向转移导纳

Y

fs

(S)

100

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

R

DS （ ON）

– I

D

Tc

= 55°C

10

25

100

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(m)

VGS

= 4

V

10

1

常见的来源

VDS

= 10

V

脉冲测试

0.1

1

10

100

1

10

100

漏电流I

D

(A)

排水Currrent我

D

(A)

4

2006-11-17

TPCA8104

R

DS （ ON）

TC =

50

常见的来源

脉冲测试

40

1000

I

DR

– V

DS

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(m

)

(A)

反向漏电流I

DR

100

5

10

3

1

VGS

=

0 V

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

0

40

80

120

160

0.1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

ID

= 40

A

10

20

ID

= 10

A,

20

A,

40

A

30

20

VGS

= 4

V

10

VGS

= 10V

0

80

40

外壳温度

Tc

(°C)

漏源电压

V

DS

(V)

- V

DS

10000

2.5

V

th

TC =

栅极阈值电压V

th

(V)

西塞

（PF ）

2.0

1000

科斯

CRSS

100

常见的来源

VGS

=

0 V

f

=

1兆赫

Tc

=

25°C

10

0.1

1

10

100

电容C

1.5

1.0

常见的来源

0.5

VDS

= 10

V

ID

= -1mA

脉冲测试

0

80

40

0

40

80

120

160

漏源电压V

DS

(V)

壳温度

(°C)

P

D

- TA

3.0

(1)

2.5

（1）设备安装在玻璃环氧

板（一）（注2a）的

（2），安装到玻璃 - 环氧

板（二）（注2b）的

T = 10秒

动态输入/输出

特征

60

常见的来源

30

ID

= 40

A

Tc

=

25°C

脉冲测试

(W)

(V)

50

VDS

VDD

= 48

V

25

漏极功耗P

D

V

DS

2.0

(2)

1.5

40

20

漏源电压

30

24

20

12

10

VGS

0

20

40

60

80

100

12

24

VDD

= 48

V

15

1.0

10

0.5

5

0

40

80

120

160

120

0

环境温度

Ta

(°C)

总栅极电荷Q

g

（ NC ）

5

2006-11-17

栅源电压V

GS

(V)