TPCA8103
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSⅢ ）
TPCA8103
0.5±0.1
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
6.0±0.3
单位：mm
1.27
8
0.4±0.1
5
0.05 M A
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 3.1毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 45S （典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
5.0±0.2
0.15±0.05
1
0.95±0.05
4
0.595
A
5.0±0.2
S
1
4
0.6±0.1
4.25±0.2
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
P
D
E
AS
I
AR
（TC = 25 ° C） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
40
120
45
2.8
单位
V
V
V
A
W
W
8
1,2,3：SOURCE
4：GATE
5,6,7,8：DRAIN
5 0.8±0.1
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-5Q1A
脉冲（注1 ）
(Tc=25°C)
(t
=
10 s)
（注2A ）
(t
=
10 s)
（注2B ）
重量： 0.076克（典型值）。
漏极功耗
漏极功耗
电路CON组fi guration
8
7
6
5
漏极功耗
1.6
W
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
208
40
4.5
150
55
150
mJ
A
mJ
1
2
3
4
°C
°C
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） ，请参阅下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2006-11-16
3.5±0.2
1.1±0.2
0.05 S
0.166±0.05
TPCA8103
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
(Tc=25°C)
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
符号
R
TH（ CH-C ）
最大
2.78
单位
° C / W
R
第（章-a）的
44.6
° C / W
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
78.1
° C / W
记号
（注5 ）
TPCA
8103
※
TYPE
LOT号
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
24 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
100μH ，R
G
=
25
，
I
AR
=
40 A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
○
在标记的左下角显示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（一低位日历年的数字）
2
2006-11-16
TPCA8103
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSⅢ ）
TPCA8103
0.5±0.1
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
6.0±0.3
单位：mm
1.27
8
0.4±0.1
5
0.05 M A
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 3.1毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 45S （典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
5.0±0.2
0.15±0.05
1
0.95±0.05
4
0.595
A
5.0±0.2
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
P
D
E
AS
I
AR
（TC = 25 ° C） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
40
120
45
2.8
单位
V
V
V
A
W
W
S
1
4
0.6±0.1
4.25±0.2
8
1,2,3：SOURCE
4：GATE
5,6,7,8：DRAIN
5 0.8±0.1
脉冲（注1 ）
(Tc=25°C)
(t
=
10 s)
（注2A ）
(t
=
10 s)
（注2B ）
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-5Q1A
漏极功耗
漏极功耗
漏极功耗
重量： 0.076克（典型值）。
1.6
W
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
208
40
4.5
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） ，请参考下
页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
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3
3.5±0.2
1.1±0.2
0.05 S
0.166±0.05
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2004-01-16
TPCA8103
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
(Tc=25°C)
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
符号
R
TH（ CH-C ）
最大
2.78
单位
° C / W
R
第（章-a）的
44.6
° C / W
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
78.1
° C / W
记号
（注5 ）
TPCA
8103
※
TYPE
LOT号
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
24 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
100μH ，R
G
=
25
，
I
AR
=
40 A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
○
在标记的左下角显示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（一低位日历年的数字）
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