【TPCA8045-H东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOSⅥ -H ）TPCA8045-H】,IC型号TPCA8045-H,TPCA8045-H PDF资料,TPCA8045-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPCA8045-H

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOSⅥ -H ）

TPCA8045-H

高效率DC - DC转换器应用

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

6.0

0.3

5.0

0.2

单位：mm

1.27 0.4

0.1

0.05 M A

由于占用空间小，小而薄的封装

高速开关

小栅极电荷：

= 23 NC （典型值）。

0.15

0.05

0.95

0.05

0.595

0.166

0.05

低漏源导通电阻：

DS （ ON）

= 2.4毫欧（典型值）。

高正向转移导纳：

| = 136 S（典型值）。

低漏电流：

DSS

= 10

μA

（最大值）（Ⅴ

= 40 V)

增强模式：

= 1.3 2.3 V（V

= 10 V，I

= 1.0 mA）的

5.0

0.2

绝对最大额定值

（大

25°C)

0.6

0.1

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

等级

±20

138

2.8

单位

4.25

0.2

脉冲（注1 ）

（ TC = 25 ℃ ）

10 s)

（注2A ）

1,2,3 ： SOURCE

5,6,7,8 ：排水

4 ：门

漏极功耗

JEDEC

JEITA

东芝

2-5Q1A

漏极功耗

10 s)

（注2B ）

1.6

重量： 0.069克（典型值）。

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（ TC = 25 ℃ ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

196

3.63

150

°C

电路CON组fi guration

英镑

注意：对于注释1至4中，参考下页。

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使操作条件（即工作温度/电流/电压等）是

内的绝对最大额定值。请在审查东芝设计相应的可靠性

半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人

可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

2009-04-22

0.8

0.1

3.5

0.2

1.1

0.2

0.05 S

TPCA8045-H

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

（ TC = 25 ℃ ）

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2A ）

符号

TH（ CH-C ）

最大

2.78

单位

° C / W

第（章-a）的

44.6

° C / W

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2B ）

第（章-a）的

78.1

° C / W

记号

（注5 ）

TPCA

8045-H

※

产品型号

LOT号

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

24 V ，T

25 ° C（初始），L

100

μH,

Ω,

46 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年度的第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（年份的最后一个数字）

2009-04-22

TPCA8045-H

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

栅极电阻

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

门开关充电

关闭

gs1

≈

32 V, V

10 V，I

46 A

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

10 V

4.7

10 V, V

0 V，F

1兆赫

10 V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±20

V, V

0 V

40 V, V

0 V

10毫安，V

0 V

10毫安，V

= 20

10 V，I

1.0毫安

4.5 V，I

23 A

10 V，I

23 A

10 V，I

23 A

民

1.3

23 A

OUT

0.87Ω

典型值。

2.9

2.4

136

5800

305

950

1.0

4.6

最大

±100

2.3

4.1

3.6

7540

445

1.5

单位

μA

mΩ

≈

20 V

税

≤

1%, t

μs

≈

32 V, V

10 V，I

46 A

≈

32 V, V

5 V，I

46 A

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

46 A，V

0 V

民

典型值。

最大

138

1.2

单位

2009-04-22

TPCA8045-H

6 4.5

– V

3.1

3.3

3.2

常见的来源

25°C

脉冲测试

2.9

100

6 4.5

– V

3.3

3.4

3.6

3.2

常见的来源

25°C

脉冲测试

3.1

(A)

3.4

漏电流

(A)

漏电流

2.8

2.9

2.8

2.7

VGS

2.6 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.7

2.6

VGS

2.5 V

0.2

0.4

0.6

0.8

漏源电压

(V)

漏源电压

(V)

– V

100

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

0.5

– V

常见的来源

25°C

脉冲测试

(V)

漏源电压

= 55°C

100

0.4

(A)

0.3

漏电流

0.2

46 A

0.1

栅源电压

(V)

栅源电压

(V)

– I

(S)

1000

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

100

常见的来源

25°C

脉冲测试

DS （ ON）

– I

100

= 55°C

100

正向转移导纳

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

VGS

4.5 V

0.1

100

0.1

100

漏电流

(A)

漏电流

(A)

2009-04-22

TPCA8045-H

DS （ ON）

- TA

1000

– V

(A)

常见的来源

25°C

脉冲测试

4.5

VGS

0 V

常见的来源

脉冲测试

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

12, 23, 46 A

VGS

4.5 V

12, 23, 46 A

VGS

10 V

反向漏电流

100

120

160

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

环境温度

(

漏源电压

(V)

电容 - V

10000

西塞

2.5

- TA

(V)

栅极阈值电压

2.0

（PF ）

1000

科斯

1.5

电容

CRSS

100

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

0.1

100

1.0

常见的来源

0.5

VDS

10 V

1毫安

脉冲测试

120

160

漏源电压

(V)

环境温度

(

动态输入/输出

特征

常见的来源

46 A

25°C

脉冲测试

VDS

32 V

(V)

漏源电压

VDD

32 V

120

160

总栅极电荷

（ NC ）

栅源电压

(V)

2009-04-22

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