【TPCA8025东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSⅡ ）TPCA8025锂离子电池应用】,IC型号TPCA8025,TPCA8025 PDF资料,TPCA8025经销商,ic,电子元器件-51电子网

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TPCA8025

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSⅡ ）

TPCA8025

锂离子电池应用

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

6.0

±

0.3

5.0

±

0.2

单位：mm

1.27 0.4

±

0.1

8

5

0.05 M A

由于占用空间小，小而薄的封装

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 2.7毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

fs

| = 80S （典型值）。

0.15

±

0.05

1

0.95

±

0.05

4

0.595

0.166

±

0.05

4

A

低漏电流：I

DSS

= 10

μA

（最大值）（Ⅴ

DS

= 30 V)

增强型： V

th

= 1.3 2.5 V（V

DS

= 10 V，I

D

= 1 mA）的

5.0

±

0.2

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

=

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

DC

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

P

D

P

D

E

AS

I

AR

等级

30

30

±20

40

120

45

2.8

单位

V

V

V

A

W

W

0.6

±

0.1

1

4.25

±

0.2

脉冲（注1 ）

（ TC = 25 ℃ ）

(t

=

10 s)

（注2A ）

漏极功耗

漏极功耗

1,2,3 ： SORCE

5,6,7,8 ：排水

4 ：门

JEDEC

JEITA

2-5Q1A

漏极功耗

(t

=

10 s)

（注2B ）

1.6

W

东芝

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（ TC = 25 ℃ ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

208

40

4.5

150

55

150

mJ

A

mJ

°C

°C

重量： 0.069克（典型值）。

E

AR

T

ch

T

英镑

电路CON组fi guration

8

7

6

5

注意：对于注释1至4中，参考下页。

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和在显著变化

4

1

2

3

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计

经审查东芝半导体可靠性手册适当的可靠性（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，

估计的故障率，等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

1

2008-06-27

0.8

±

0.1

8

5

3.5

±

0.2

1.1

±

0.2

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

S

0.05 S

TPCA8025

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

（ TC = 25

℃

)

耐热性，信道至环境

(t

=

10 s)

（注2A ）

符号

R

TH（ CH-C ）

最大

2.78

单位

° C / W

R

第（章-a）的

44.6

° C / W

耐热性，信道至环境

(t

=

10 s)

（注2B ）

R

第（章-a）的

78.1

° C / W

记号

（注5 ）

TPCA

8025

产品型号

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：

（一），安装到玻璃环氧树脂基板（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4

×

25.4

×

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

×

25.4

×

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

DD

=

24 V ，T

ch

=

25 ° C（初始），L

=

0.1mH ，R

G

=

25

Ω,

I

AR

=

40 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

※周刊

代码：（三位数）

制造周

（ 01年度的第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（年份的最后一个数字）

2

2008-06-27

TPCA8025

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs1

Q

gd

V

DD

≈

24 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

40 A

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSX

V

th

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

V

GS

10 V

0V

4.7

Ω

测试条件

V

GS

= ±

20 V, V

DS

=

0 V

V

DS

=

30 V, V

GS

=

0 V

I

D

=

10毫安，V

GS

=

0 V

I

D

=

10毫安，V

GS

=

20 V

V

DS

=

10 V，I

D

=

1毫安

V

GS

=

4.5 V，I

D

=

20 A

V

GS

=

10 V，I

D

=

20 A

V

DS

=

10 V，I

D

=

20 A

民

典型值。

最大

±

100

单位

nA

μ

A

10

30

10

1.3

V

V

m

Ω

S

2.5

6

3.5

4.2

2.7

80

2200

430

690

12

22

23

74

49

8.5

16

40

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

pF

R

L

=

0.75

Ω

I

D

=

20 A

V

OUT

ns

V

DD

≈

15 V

税

≤

1%, t

w

=

10

μ

s

nC

源极 - 漏极额定值和特性

（大

=

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

I

DRP

V

DSF

测试条件

民

典型值。

最大

120

1.2

单位

A

V

I

DR

=

40 A，V

GS

=

0 V

3

2008-06-27

TPCA8025

I

D

– V

DS

50

8

10

4.5 4

3.8

100

3.6

10

4.5

6

8

5

4

I

D

– V

DS

3.8

常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

3.6

3.5

40

3.4

(A)

6

30

3.4

常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

3.2

10

VGS

=

3 V

I

D

I

D

漏电流

(A)

40

5

3.5

80

60

漏电流

20

20

3.2

VGS

=

3 V

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

0

0

1

2

3

4

5

漏

源极电压

V

DS

(V)

漏源电压

V

DS

(V)

I

D

– V

GS

100

V

DS

– V

GS

0.4

80

V

DS

(V)

常见的来源

VDS

=

10 V

脉冲测试

I

D

(A)

0.32

常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

40

漏源电压

60

0.24

漏电流

0.16

ID

=

40 A

20

100

Ta

= 55°C

0.08

20

10

25

0

0

1

2

3

4

5

6

0

0

2

4

6

8

10

门

源极电压

V

GS

(V)

门

源极电压

V

GS

(V)

|Y

fs

| – I

D

1000

100

常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

R

DS （ ON）

– I

D

正向转移导纳

|Y

fs

| (S)

100

Ta

= 55°C

10

100

25

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(mΩ)

10

4.5

1

常见的来源

VDS

=

10 V

脉冲测试

0.1

0.1

1

10

100

VGS

=

10 V

1

0.1

1

10

100

漏电流

I

D

(A)

漏电流

I

D

(A)

4

2008-06-27

TPCA8025

R

DS （ ON）

- TA

10

1000

I

DR

– V

DS

(A)

常见的来源

脉冲测试

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(mΩ)

8

ID

=

10, 20, 40 A

6

I

DR

100

10

4

3

1

反向漏电流

10

VGS

=

0 V

4 VGS

=

4.5 V

ID

=

10, 20, 40 A

2

VGS

=

10 V

0

80

1

常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

0.1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

40

0

40

80

120

160

环境温度

TA（

°

C)

漏

源极电压

V

DS

(V)

电容 - V

DS

10000

3

V

th

- TA

V

th

(V)

栅极阈值电压

100

2.5

（PF ）

西塞

1000

科斯

CRSS

100

常见的来源

VGS

=

0 V

f

=

1兆赫

Ta

=

25°C

1

10

2

电容

C

1.5

1

常见的来源

0.5 V

DS

=

10 V

ID

=

1mA

脉冲测试

0

80

40

0

10

0.1

40

80

120

160

漏

源极电压

V

DS

(V)

环境温度

TA（

°

C)

动态输入/输出

特征

50

V

DS

(V)

40

常见的来源

ID

=

40 A

Ta

=

25°C

脉冲测试

20

16

漏源电压

VDD = 6V

24

12

20

VGS

10

8

4

0

0

10

20

30

40

50

60

70

0

总栅极电荷

Q

g

（ NC ）

栅源电压

30

VDS

12

V

GS

(V)

5

2008-06-27

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15600

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2443+

23000

SOPAdvance

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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24+

8640

QFN-8

全新原装现货，原厂代理。

深圳市芯福林电子科技有限公司

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21+22+

27000

QFN8

原装正品

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联系人：朱先生

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24+

5000

QFN-8

100%原装正品，可长期订货

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2022

345860

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21000

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地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

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20918

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