【TPCA8011-H东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（超高速U- MOSIII ）TPCA8011-】,IC型号TPCA8011-H,TPCA8011-H PDF资料,TPCA8011-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPCA8011-H

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（超高速U- MOSIII ）

TPCA8011-H

高效率DC / DC转换器应用

笔记本电脑应用

便携式设备应用

6.0±0.3

0.5±0.1

1.27

单位：mm

0.4±0.1

0.05 M A

5.0±0.2

由于占用空间小，小而薄的封装

高速开关

小栅极电荷：Q

= 16 NC （典型值）。

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 2.7毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 120秒（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 10 μA （最大值）（V

= 20 V)

增强型： V

= 0.6 1.3 V（V

= 10 V，I

= 200

μA)

0.15±0.05

5.0±0.2

0.95±0.05

0.595

0.166±0.05

0.05 S

1.1±0.2

0.6±0.1

4.25±0.2

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 k)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

（ TC = 25 ℃ ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

英镑

等级

±12

120

2.8

单位

5 0.8±0.1

1,2,3：SOURCE

5,6,7,8：DRAIN

JEDEC

JEITA

东芝

4：GATE

―

2-5Q1A

脉冲（注1 ）

重量： 0.069克（典型值）。

漏极功耗（ TC = 25 ℃ ）

漏极功耗

10 s)

（注2A ）

漏极功耗

10 s)

（注2B ）

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

电路CON组fi guration

1.6

208

2.0

150

°C

注意：对于注释1至4中，参考下页。

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

2006-11-16

3.5±0.2

TPCA8011-H

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

(Tc=25℃)

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2A ）

符号

TH（ CH-C ）

最大

2.78

单位

° C / W

第（章-a）的

44.6

° C / W

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2B ）

第（章-a）的

78.1

° C / W

记号

（注5 ）

TPCA

8011-H

TYPE

LOT号

注1 ：通道温度不超过150 ℃，在使用过程中。

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

16 V ，T

25 ° C（初始），L

0.1 mH的，R

40 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（日历年的最后一位数字）

2006-11-16

TPCA8011-H

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

门开关充电

关闭

gs1

16 V, V

5 V，I

40 A

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

5 V

4.7

20A

OUT

0.5

10 V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±10

V, V

0 V

20 V, V

0 V

10毫安，V

0 V

10毫安，V

= 12

10 V，I

200

μA

2.5 V，I

= 20

4.5 V，I

20 A

10 V，I

20 A

民

0.6

典型值。

4.7

2.7

120

2900

430

1300

7.7

最大

±10

1.3

7.5

3.5

单位

10 V

税

＆ LT ;

1%, t

16 V, V

5 V，I

= 40

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

40 A，V

0 V

民

典型值。

最大

120

1.2

单位

2006-11-16

TPCA8011-H

– V

4.5

30 4

3.5

2.5

2.3

2.2

常见的来源

TA = 25°C

脉冲测试

100

2.6

– V

2.5

常见的来源

2.4

TA = 25°C

脉冲测试

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

2.1

2.3

2.2

2.1

1.9

4.5

1.9

VGS

1.7 V

3.5

VGS

1.7 V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

漏源电压V

(V)

漏源电压V

(V)

– V

100

0.40

– V

常见的来源

漏源电压V

(V)

常见的来源

VDS = 10V

脉冲测试

TA = 25°

0.32

脉冲测试

漏电流I

(A)

0.24

0.16

40 A

0.08

100

= 55°C

栅源电压

(V)

栅源电压

(V)

– I

(S)

1000

常见的来源

100

常见的来源

TA = 25°C

脉冲测试

VDS = 10V

脉冲测试

100

= 55°C

100

DS （ ON）

– I

正向转移导纳| Y

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

VGS

2.5 V

4.5

0.1

100

0.1

100

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

2006-11-16

TPCA8011-H

DS （ ON）

- TA

常见的来源

脉冲测试

1000

常见的来源

– V

(A)

25°C

脉冲测试

4.5

100

2.5

漏源导通电阻

DS （ ON）

(m)

40 A

VGS

2.5 V

VGS

4.5 V

10, 20 A

反向漏电流I

10, 20, 40 A

120

160

0.2

0.4

0 V

0.6

0.8

1.0

环境温度

(°C)

漏源电压V

(V)

电容 - V

10000

2.5

- TA

常见的来源

栅极阈值电压V

(V)

VDS

10 V

2.0

0.2毫安

脉冲测试

（PF ）

西塞

电容C

1.5

1000

科斯

1.0

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

100

0.1

CRSS

0.5

100

120

160

漏源电压V

(V)

环境温度

(°C)

动态输入/输出

特征

VDS

漏源电压V

(V)

常见的来源

VGS

40 A

25°C

脉冲测试

总栅极电荷Q

（ NC ）

栅源电压

(V)

2006-11-16

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全新原装现货，原厂代理。

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