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TPC8A03-H

东芝场效应晶体管，内置的肖特基二极管

硅N沟道MOS类型（U - MOS V -H ）

TPC8A03-H

高效率DC- DC转换器应用

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

内置肖特基二极管

低正向电压： V

DSF

0.6

V（最大值）

高速开关

小栅极电荷：Q

= 8.4 NC （典型值）。

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 4.1毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 54 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 30 V)

增强型： V

= 1.3 2.3 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

（ TC = 25 ℃ ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

英镑

等级

±20

1.9

1.0

188

0.108

150

单位

JEDEC

JEITA

东芝

2-6J1B

脉冲（注1 ）

10 s)

（注2A ）

10 s)

（注2B ）

漏极功耗

重量： 0.085克（典型值）。

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

电路CON组fi guration

°C

注意：对于注释1至4中，参考下页。

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品

减少在可靠性显著即使操作条件（即操作

温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项”可靠性/ “降额

概念和方法“ ），并从个人数据的可靠性（即可靠性测试报告和估计故障率等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

2010-01-19

TPC8A03-H

热特性

特征

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2A ）

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2B ）

符号

第（章-a）的

最大

65.8

125

单位

° C / W

记号

（注5 ）

TPC8A03

产品型号（或缩写代码）

LOT号

注6

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

24 V ，T

25 ° C（初始），L

0.5 mH的，R

Ω,

17 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（日历年的最后一位数字）

注6 ：根据批号的行标识产品标签的指示。

没有下划线： [铅] /包括> MCV

下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令

产品的兼容性。 RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27局的

2003年1月关于在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。

2010-01-19

TPC8A03-H

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

栅极电阻

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

门开关充电

关闭

gs1

≈

24 V, V

10 V，I

17 A

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

10 V

4.7

10 V, V

0 V，F

5兆赫

10 V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±20

V, V

0 V

30 V, V

0 V

10毫安，V

0 V

10毫安，V

= 20

10 V，I

1毫安

4.5 V，I

8.5 A

10 V，I

8.5 A

10 V，I

8.5 A

民

1.3

8.5 A

OUT

1.76Ω

典型值。

5.1

4.1

2640

100

610

1.0

3.6

11.0

7.2

7.6

5.0

8.4

最大

±100

100

2.3

7.0

5.6

3430

150

1.5

单位

μA

mΩ

≈

15 V

税

≤

1%, t

μs

≈

24 V, V

10 V，I

17 A

≈

24 V, V

5 V，I

17 A

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

1 ，V

0 V

17 A，V

0 V

民

典型值。

0.4

最大

0.6

1.2

单位

2010-01-19

TPC8A03-H

5 4.5

– V

3.0

常见的来源

25°C

脉冲测试

10 8 5 4.5

– V

3.2

3.1

常见的来源

25°C

脉冲测试

3.0

(A)

2.8

2.7

VGS

2.5 V

漏电流

(A)

2.9

漏电流

2.9

2.8

VGS

2.6 V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

漏源电压

(V)

漏源电压

(V)

– V

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

0.20

– V

常见的来源

25°C

脉冲测试

0.15

(A)

漏源电压

漏电流

100

= 55°C

(V)

0.10

17 A

0.05

8.5

4.3

栅源电压

(V)

栅源电压

(V)

1000

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

100

= 55°C

DS （ ON）

(S)

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

4.5

正向转移导纳

100

VGS

10 V

常见的来源

25°C

脉冲测试

0.1

100

0.1

100

漏电流

(A)

漏电流

(A)

2010-01-19

TPC8A03-H

DS （ ON）

常见的来源

脉冲测试

4.3 A,8.5 A,17 A

100

4.5

(A)

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

反向漏电流

VGS

0 V

VGS

4.5 V

VGS

10 V

4.3 A,8.5 A,17 A

常见的来源

25°C

脉冲测试

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

120

160

环境温度

(°C)

漏源电压

(V)

电容

10000

西塞

2.5

(V)

栅极阈值电压

（PF ）

2.0

1000

科斯

1.5

电容

1.0

100

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

CRSS

0.5

0.1

100

常见的来源

VDS

10 V

1毫安

脉冲测试

120

160

漏源电压

(V)

环境温度

(°C)

- TA

2.0

动态输入/输出

特征

常见的来源

17 A

25°C

脉冲测试

(V)

漏极功耗

漏源电压

1.0

(2)

VDS

VDD

6 V

24V

12V

0.5

120

160

环境温度

(°C)

总栅极电荷

（ NC ）

2010-01-19

栅源电压

1.5

(V)

(1)

（1）设备安装在玻璃环氧

板（一）（注2a）的

（2），安装到玻璃 - 环氧

板（二）（注2b）的

吨≤ 10秒

(W)