TPC8401
东芝场效应晶体管硅N ，P沟道MOS型（ U- MOSII ）
TPC8401
锂离子二次电池的应用
便携式设备的应用
笔记本电脑
低漏源导通电阻
：P通道
DS （ ON）
= 27毫欧（典型值）。
N沟道
DS （ ON）
=
14
毫欧（典型值）。
高正向转移导纳
：P通道| Y
fs
| = 7 S（典型值）。
N沟道| Y
fs
| = 8 S（典型值）。
低漏电流
：P通道I
DSS
=
10
μA （V
DS
=
30
V)
N沟道我
DSS
=
10
μA （V
DS
= 30 V)
增强型
：P V频道
th
=
0.8~ 2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1mA)
N沟道V
th
= 0.8~2.5 V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1mA)
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
P沟道N沟道
30
30
±20
4.5
18
1.5
1.0
0.75
0.45
26.3
（注4A ）
4.5
0.10
150
55~150
30
30
±20
6
24
1.5
1.0
W
0.75
0.45
46.8
（注4B ）
6
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
JEDEC
V
V
V
A
―
―
2-6J1E
JEITA
东芝
重0.080克（典型值）。
漏功耗的单设备操作
（注3A ）
耗散
（T = 10秒）
在单器件值
（注2a）的双操作（注3B ）
漏功耗的单设备操作
（注3A ）
耗散
（T = 10秒）
在单器件值
（注2B ）双操作（注3B ）
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
在操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
电路CON组fi guration
注意：对于（注1） ， （注2a）中， （注2b）中， （注3a）中， （注3b）中， （注4a）中， （注4b）的和（注5） ，请参考
下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2002-05-17
TPC8401
热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
83.3
单位
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
125
° C / W
167
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
278
记号
TPC8401
*
TYPE
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
一个） ，安装到玻璃 - 环氧树脂板（一）
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
（单位：毫米）
二）装置安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ：
一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ：
A） V
DD
=
24
V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
=
4.5
A
B ）V
DD
= 24 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 6.0 A
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
*
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
2
2002-05-17
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东芝场效应晶体管硅N ，P沟道MOS型（ U- MOSII ）
TPC8401
锂离子二次电池的应用
便携式设备的应用
笔记本电脑
低漏源导通电阻
：P通道
DS （ ON）
= 27毫欧（典型值）。
N沟道
DS （ ON）
=
14
毫欧（典型值）。
高正向转移导纳
：P通道| Y
fs
| = 7 S（典型值）。
N沟道| Y
fs
| = 8 S（典型值）。
低漏电流
：P通道I
DSS
=
10
μA （V
DS
=
30
V)
N沟道我
DSS
=
10
μA （V
DS
= 30 V)
增强型
：P V频道
th
=
0.8~ 2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1mA)
N沟道V
th
= 0.8~2.5 V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1mA)
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
P沟道N沟道
30
30
±20
4.5
18
1.5
1.0
0.75
0.45
26.3
（注4A ）
4.5
0.10
150
55~150
30
30
±20
6
24
1.5
1.0
W
0.75
0.45
46.8
（注4B ）
6
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
JEDEC
V
V
V
A
―
―
2-6J1E
JEITA
东芝
重0.080克（典型值）。
漏功耗的单设备操作
（注3A ）
耗散
（T = 10秒）
在单器件值
（注2a）的双操作（注3B ）
漏功耗的单设备操作
（注3A ）
耗散
（T = 10秒）
在单器件值
（注2B ）双操作（注3B ）
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
在操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
电路CON组fi guration
注意：对于（注1） ， （注2a）中， （注2b）中， （注3a）中， （注3b）中， （注4a）中， （注4b）的和（注5） ，请参考
下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2002-05-17
TPC8401
热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
83.3
单位
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
125
° C / W
167
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
278
记号
TPC8401
*
TYPE
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
一个） ，安装到玻璃 - 环氧树脂板（一）
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
（单位：毫米）
二）装置安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ：
一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ：
A） V
DD
=
24
V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
=
4.5
A
B ）V
DD
= 24 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 6.0 A
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
*
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
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2002-05-17
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