TPC8302
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（L
-π - MOSVI ）
2
TPC8302
锂离子电池应用
便携式设备的应用
笔记本电脑
2.5 V门极驱动
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
=
100
毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 5 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
20
V)
增强型： V
th
=
0.5~ 1.1
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
200
A)
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D 2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
3.5
14
1.5
W
1.0
0.75
W
0.45
16
3.5
0.1
150
55150
mJ
A
mJ
℃
℃
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1E
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单devece值
（T = 10秒）
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单devece值
（T = 10秒）
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ， 3B注，注5 ）
通道温度
存储温度范围
重0.080克（典型值）。
电路CON组fi guration
注意：对于（注1） ， （注2a）中， （注2b）中， （注3a）中， （注3b）中， （注4）
和（注5） ，请参见下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2002-05-17
TPC8302
热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
83.3
单位
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注2A ）
125
° C / W
167
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注2B ）
278
记号
TPC8302
*
TYPE
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
一个） ，安装到玻璃 - 环氧树脂板（一）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
二）装置安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ：
一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ：
V
DD
=
16
V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
=
3.5
A
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
*
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
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2002-05-17
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东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（L
-π - MOSVI ）
2
TPC8302
锂离子电池应用
便携式设备的应用
笔记本电脑
2.5 V门极驱动
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
=
100
毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 5 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
20
V)
增强型： V
th
=
0.5~ 1.1
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
200
A)
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D 2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
3.5
14
1.5
W
1.0
0.75
W
0.45
16
3.5
0.1
150
55150
mJ
A
mJ
℃
℃
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1E
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单devece值
（T = 10秒）
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单devece值
（T = 10秒）
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ， 3B注，注5 ）
通道温度
存储温度范围
重0.080克（典型值）。
电路CON组fi guration
注意：对于（注1） ， （注2a）中， （注2b）中， （注3a）中， （注3b）中， （注4）
和（注5） ，请参见下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
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2002-05-17
TPC8302
热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
83.3
单位
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注2A ）
125
° C / W
167
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注2B ）
278
记号
TPC8302
*
TYPE
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
一个） ，安装到玻璃 - 环氧树脂板（一）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
二）装置安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ：
一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ：
V
DD
=
16
V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
=
3.5
A
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
*
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
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2002-05-17
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