TPC8210
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOS III ）
TPC8210
锂离子电池应用
便携式设备的应用
笔记本电脑应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 11毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 13 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10 μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
增强型： V
th
= 1.3 2.5 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
等级
30
30
±20
8
32
1.5
W
P
D(2)
1.1
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1E
耗电
耗散
（T = 10秒）
（注2A ）
单设备
手术
（注3A ）
单设备价值
在双操作
（注3B ）
单设备
手术
（注3A ）
单设备价值
在双操作
（注3B ）
重量0.08克（典型值）
耗电
耗散
（T = 10秒）
（注2B ）
P
D (1)
0.75
W
电路CON组fi guration
8
7
6
5
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.45
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
83.2
8
0.1
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ：参见下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2007-01-16
TPC8210
热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
83.3
单位
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
114
° C / W
167
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
278
标记（注6 ）
TPC8210
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
注1 ：
确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
注3 ：
一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备。
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备。
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
= 24 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 8 A
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周：序列号为52或53 ）
制造年份
（每年的最后一位数字）
2
2007-01-16
TPC8210
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOS III ）
TPC8210
锂离子电池应用
便携式设备的应用
笔记本电脑应用
l
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
=
11
毫欧（典型值）。
l
高正向转移导纳： | Y
fs
| =
13
S（ TYP 。 ）
l
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
l
增强型： V
th
=
1.3
2.5 V（V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
等级
30
30
±20
8
32
1.5
W
P
D(2)
1.1
单位
V
V
V
A
耗电
耗散
（T = 10秒）
（注2A ）
单设备
手术
（注3A ）
单设备价值
在双操作
（注3B ）
单设备
手术
（注3A ）
单设备价值
在双操作
（注3B ）
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1E
重量0.08克（典型值）
P
D (1)
0.75
W
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.45
8
83.2
8
0.1
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
7
6
5
耗电
耗散
（T = 10秒）
（注2B ）
电路CON组fi guration
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ，请
参见下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2003-02-18
TPC8210
热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
83.3
单位
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
114
° C / W
167
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
278
标记（注6 ）
TPC8210
※
TYPE
LOT号
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
注3 ：
一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备。
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备。
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
= 24 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 8 A
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
·
在标记的左下角显示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（一低位日历年的数字）
2
2003-02-18
TPC8210
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOS III ）
TPC8210
锂离子电池应用
便携式设备的应用
笔记本电脑应用
l
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
=
11
毫欧（典型值）。
l
高正向转移导纳： | Y
fs
| =
13
S（ TYP 。 ）
l
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
l
增强型： V
th
=
1.3
2.5 V（V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
等级
30
30
±20
8
32
1.5
W
P
D(2)
1.1
单位
V
V
V
A
耗电
耗散
（T = 10秒）
（注2A ）
单设备
手术
（注3A ）
单设备价值
在双操作
（注3B ）
单设备
手术
（注3A ）
单设备价值
在双操作
（注3B ）
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1E
重量0.08克（典型值）
P
D (1)
0.75
W
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.45
8
83.2
8
0.1
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
7
6
5
耗电
耗散
（T = 10秒）
（注2B ）
电路CON组fi guration
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ，请
参见下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2003-02-18
TPC8210
热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
83.3
单位
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
114
° C / W
167
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
278
标记（注6 ）
TPC8210
※
TYPE
LOT号
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
注3 ：
一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备。
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备。
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
= 24 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 8 A
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
·
在标记的左下角显示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（一低位日历年的数字）
2
2003-02-18
TPC8210
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOS III ）
TPC8210
锂离子电池应用
便携式设备的应用
笔记本电脑应用
l
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
=
11
毫欧（典型值）。
l
高正向转移导纳： | Y
fs
| =
13
S（ TYP 。 ）
l
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
l
增强型： V
th
=
1.3
2.5 V（V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
等级
30
30
±20
8
32
1.5
W
P
D(2)
1.1
单位
V
V
V
A
耗电
耗散
（T = 10秒）
（注2A ）
单设备
手术
（注3A ）
单设备价值
在双操作
（注3B ）
单设备
手术
（注3A ）
单设备价值
在双操作
（注3B ）
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1E
重量0.08克（典型值）
P
D (1)
0.75
W
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.45
8
83.2
8
0.1
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
7
6
5
耗电
耗散
（T = 10秒）
（注2B ）
电路CON组fi guration
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ，请
参见下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2003-02-18
TPC8210
热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
83.3
单位
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
114
° C / W
167
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
278
标记（注6 ）
TPC8210
※
TYPE
LOT号
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
注3 ：
一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备。
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备。
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
= 24 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 8 A
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
·
在标记的左下角显示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（一低位日历年的数字）
2
2003-02-18
TPC8210
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOS III ）
TPC8210
锂离子电池应用
便携式设备的应用
笔记本电脑应用
l
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
=
11
毫欧（典型值）。
l
高正向转移导纳： | Y
fs
| =
13
S（ TYP 。 ）
l
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
l
增强型： V
th
=
1.3
2.5 V（V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
等级
30
30
±20
8
32
1.5
W
P
D(2)
1.1
单位
V
V
V
A
耗电
耗散
（T = 10秒）
（注2A ）
单设备
手术
（注3A ）
单设备价值
在双操作
（注3B ）
单设备
手术
（注3A ）
单设备价值
在双操作
（注3B ）
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1E
重量0.08克（典型值）
P
D (1)
0.75
W
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.45
8
83.2
8
0.1
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
7
6
5
耗电
耗散
（T = 10秒）
（注2B ）
电路CON组fi guration
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ，请
参见下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2003-02-18
TPC8210
热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
83.3
单位
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
114
° C / W
167
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
278
标记（注6 ）
TPC8210
※
TYPE
LOT号
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
注3 ：
一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备。
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备。
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
= 24 V ，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 8 A
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
·
在标记的左下角显示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（一低位日历年的数字）
2
2003-02-18
QQ：2880707522 复制
