TPCS8205
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOS II ）
TPCS8205
锂离子电池应用
便携式设备的应用
笔记本电脑
l
l
l
l
l
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 30毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| =
10
S（ TYP 。 ）
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
= 20 V)
增强型： V
th
= 0.5~1.2 V (V
DS
=
10
V，I
D
= 200 A)
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20kΩ)
栅源电压
排水柯伦
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
等级
20
20
±12
5
20
1.1
W
P
D(2)
0.5
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3R1E
耗电
耗散
（T = 10秒）
单设备价值
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
耗电
耗散
（T = 10秒）
单设备价值
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在操作单个设备的价值
（注2A ， 3B注，注5 ）
通道温度
存储温度范围
单设备
手术
（注3A ）
单设备
手术
（注3A ）
重量： 0.035克（典型值）。
P
D (1)
0.6
W
电路CON组fi guration
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.35
32.5
5
0.05
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
注意：对于（注1） ， （注2a）中， （注2b）中， （注3a）中， （注3b）中， （注4）
和（注5） ，请参见下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2003-02-20
TPCS8205
热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
114
单位
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
250
° C / W
208
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
357
记号
（注6 ）
TYPE
S8205
※
LOT号
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
（单位：毫米）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
（单位：毫米）
注3 ：
一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
= 16 V ，T
ch
= 25 ° C（ Initiaal ） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AR
= 5.0 A
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
○
较低的标记权表示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（一低位日历年的数字）
2
2003-02-20
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东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOS II ）
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锂离子电池应用
便携式设备的应用
笔记本电脑
l
l
l
l
l
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 30毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| =
10
S（ TYP 。 ）
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
= 20 V)
增强型： V
th
= 0.5~1.2 V (V
DS
=
10
V，I
D
= 200 A)
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20kΩ)
栅源电压
排水柯伦
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
等级
20
20
±12
5
20
1.1
W
P
D(2)
0.5
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3R1E
耗电
耗散
（T = 10秒）
单设备价值
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
耗电
耗散
（T = 10秒）
单设备价值
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在操作单个设备的价值
（注2A ， 3B注，注5 ）
通道温度
存储温度范围
单设备
手术
（注3A ）
单设备
手术
（注3A ）
重量： 0.035克（典型值）。
P
D (1)
0.6
W
电路CON组fi guration
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.35
32.5
5
0.05
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
注意：对于（注1） ， （注2a）中， （注2b）中， （注3a）中， （注3b）中， （注4）
和（注5） ，请参见下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2003-02-20
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热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
114
单位
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
250
° C / W
208
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
357
记号
（注6 ）
TYPE
S8205
※
LOT号
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
（单位：毫米）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
（单位：毫米）
注3 ：
一个）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
= 16 V ，T
ch
= 25 ° C（ Initiaal ） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AR
= 5.0 A
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
○
较低的标记权表示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（一低位日历年的数字）
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2003-02-20
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