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TPC8117

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSⅢ ）

TPC8117

锂离子电池应用

笔记本电脑应用

占地面积小，因小而薄的封装

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

: R

DS （ ON）

= 3.0毫欧（典型值）。

: |Y

| = 54 S（典型值）。

单位：mm

低漏电流：I

DSS

μA

（最大值）（Ⅴ

增强型： V

0.8

2.0

V (V

V，I

毫安）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

1.9

1.0

211

0.030

150

单位

°C

脉冲（注1 ）

漏极功耗（T

10 s)

（注2A ）

漏极功耗（T

10 s)

（注2B ）

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（注2A ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-6J1B

重0.080克（典型值）。

电路CON组fi guration

注1 ，注2 ，注3和注4 ：参见下页。

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和温度的显著变化，

等），可能会导致该产品在可靠性，降低显著

即使在操作条件下（即，操作

温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性（ “处理

注意事项“ / ”减额

概念及方法“ ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

2009-09-29

TPC8117

热特性

特征

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2A ）

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2B ）

符号

第（章-a）的

最大

65.8

125

单位

° C / W

记号

（注5 ）

TPC8117

产品型号（或缩写代码）

LOT号

（每周代码）

注6

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

= 24

V，T

25 ° C（初始），L

500

μH,

Ω,

= 18

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

上的标记的左下表示引脚1 。

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（日历年的最后一位数字）

注6 ：根据批号的行标识产品标签的指示。

没有下划线： [铅] /包括> MCV

下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令

产品的兼容性。 RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27局的

2003年1月关于在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。

2009-09-29

TPC8117

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

gs1

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 9

OUT

1.7Ω

4.7

= 10

V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±20

V, V

0 V

= 30

V, V

0 V

= 10

毫安，V

0 V

= 10

毫安，V

20 V

= 10

V，I

= 1

= 4

V，I

= 9

= 10

V，I

= 9

= 10

V，I

= 9

民

0.8

≈ 24

V, V

= 10

= 18

典型值。

5.5

3.0

4600

970

1500

300

800

130

最大

±100

2.0

7.9

3.9

单位

μA

mΩ

≈ 15

税

≤

1%, t

μs

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏

当前

脉冲

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

= 18

A，V

0 V

民

典型值。

最大

1.2

单位

正向电压（二极管）

2009-09-29

TPC8117

– V

2.8

常见的来源

25°C

脉冲测试

2.6

3.2

– V

2.8

常见的来源

25°C

脉冲测试

(A)

2.6

漏电流

2.4

漏电流

2.4

VGS

= 2.2

VGS

= 2.2

0.2

0.4

0.6

0.8

漏源电压

(V)

漏源电压

(V)

– V

0.5

– V

(V)

常见的来源

25°C

脉冲测试

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

(A)

0.4

漏源电压

0.3

漏电流

0.2

4.5

= 18

100

= 55°C

0.1

栅源电压

(V)

栅源电压

(V)

| – I

1000

100

常见的来源

25°C

脉冲测试

DS （ ON）

– I

正向转移导纳

| (S)

100

= 55°C

100

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

VGS

= 10

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

0.1

100

0.1

100

漏电流

(A)

漏电流

(A)

2009-09-29

TPC8117

DS （ ON）

- TA

100

– V

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

= 4.5, 9, 18

(A)

常见的来源

脉冲测试

VGS

0 V

VGS

= 4

= 4.5, 9, 18

反向漏电流

VGS

= 10

常见的来源

25°C

脉冲测试

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

120

160

环境温度

(

漏源电压

(V)

电容 - V

10000

- TA

(V)

栅极阈值电压

100

（PF ）

西塞

1.6

1.2

电容

1000

科斯

CRSS

0.8

常见的来源

0.4

VDS

= 10

= 1

脉冲测试

120

160

100

0.1

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

漏源电压

(V)

环境温度

(

- TA

（1）设备安装在一

玻璃环氧基板（一）（注2a）的

（ 2）设备安装在一

玻璃环氧基板（二）（注2b）的

10 s

动态输入/输出

特征

(V)

1.6

VDD }

24V

漏极功耗

VDS

漏源电压

(2)

0.8

VDD }

24V

0.4

VGS

120

160

200

120

160

200

环境温度

(

总栅极电荷

（ NC ）

2009-09-29

栅源电压

1.2

(V)

(1)

常见的来源

= 18

25°C

脉冲测试

(W)