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TPC8111
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U - MOS IV ）
TPC8111
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 8.1毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 23 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
11
44
1.9
1.0
31.5
11
0.19
150
55
150
单位
V
V
V
A
脉冲（注1 ）
JEDEC
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
―
―
2-6J1B
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
JEITA
东芝
重0.080克（典型值）。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ，请参阅
下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2
3
4
1
2002-03-25
TPC8111
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
65.8
125
单位
° C / W
° C / W
记号
（注5 ）
TPC8111
※
TYPE
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
（一） ，安装到玻璃环氧树脂基板（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= 24
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.2 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
= 11
A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
※
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
2
2002-03-25
TPC8111
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
0V
I
D
= 5.5
A
V
OUT
R
L
=
2.7
4.7
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 30
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
20 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 1
mA
V
GS
= 4
V，I
D
= 5.5
A
V
GS
= 10
V，I
D
= 5.5
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 5.5
A
民
30
15
0.8
11
V
DD
24
V, V
GS
=
10 V,
I
D
= 11
A
典型值。
12
8.1
23
5710
560
590
18
23
109
396
107
12
20
最大
±10
10
2.0
18
12
ns
nC
pF
单位
A
A
V
V
m
S
V
GS
10
V
V
DD
15
V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压（二极管）
脉冲
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= 11
A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
44
1.2
单位
A
V
3
2002-03-25
TPC8111
I
D
– V
DS
10
10
5
3
4
2.5
2.4
2.3
6
2.2
4
2.1
2
VGS
= 2
V
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
20
10
3
2.7
5
4
12
I
D
– V
DS
2.6
2.5
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
8
16
(A)
(A)
I
D
漏电流
漏电流
I
D
2.4
2.3
8
2.2
4
VGS
= 2.1
V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
I
D
– V
GS
40
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
0.5
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
(V)
漏源电压V
DS
I
D
(A)
30
0.4
0.3
漏电流
20
0.2
ID
= 11
A
0.1
5.5
10
25
100
0
0
1
2
Ta
= 55°C
3
4
5
0
0
2.5
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
100
50
Ta
= 55°C
25
10
5
3
100
R
DS （ ON）
– I
D
|Y
fs
| (S)
50
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
30
30
VGS
= 4.5
V
10
5
3
10
正向转移导纳
1
0.5
0.3
0.1
0.3 0.5
1
3
5
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
10
30 50
1
0.5
0.3
0.1
0.3 0.5
1
3
5
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
10
30 50
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
4
2002-03-25
TPC8111
R
DS （ ON）
- TA
25
常见的来源
20
ID
= 11
A,
5.5
A,
2.5
A
脉冲测试
100
10
I
DR
– V
DS
5
3
10
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
VGS
= 4.5
V
10
ID
= 11
A,
5.5
A,
2.5
A
5
10
反向漏电流
15
I
DR
(A)
1
1
VGS
=
0 V
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.2
0.4
0.6
0.8
1
环境温度Ta （C ）
漏源电压V
DS
(V)
电容 - V
DS
50000
30000
2.5
V
th
- TA
常见的来源
VDS
= 10
V
2
ID
= 1
mA
脉冲测试
1.5
（PF ）
10000
5000
3000
西塞
栅极阈值电压V
th
(V)
电容
C
1000
500
科斯
CRSS
1
常见的来源
300
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
100
0.1
0.3
1
0.5
3
10
30
100
0
80
40
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
漏源电压V
DS
(V)
P
D
- TA
2.0
(1)
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
t
=
10 s
30
动态输入/输出特性
12
(W)
(V)
1.6
VDD
= 24
V
12
VDS
12
6
8
VDD
= 24
V
6
常见的来源
VGS
ID
= 11
A
Ta
=
25°C
脉冲测试
4
P
D
漏源电压V
DS
20
漏极功耗
(2)
0.8
15
6
10
0.4
5
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
20
40
60
80
100
120
0
140
环境温度Ta （C ）
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
5
2002-03-25
栅源电压
1.2
V
GS
(V)
25
10
TPC8111
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U - MOS IV ）
TPC8111
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 8.1毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 23 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
11
44
1.9
1.0
31.5
11
0.19
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1B
重0.080克（典型值）。
脉冲（注1 ）
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
电路CON组fi guration
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
8
7
6
5
注： （注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ：参见下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-11-16
TPC8111
热特性
特征
耐热性，信道至环境
（注2A ）
(t
=
10 s)
耐热性，信道至环境
（注2B ）
(t
=
10 s)
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
65.8
125
单位
° C / W
° C / W
记号
（注5 ）
TPC8111
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：
（一） ，安装到玻璃环氧树脂基板（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= 24
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.2 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
= 11
A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周：连续数达52或53 ）
制造年份
（每年的最后一位数字）
2
2006-11-16
TPC8111
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
0V
V
GS
10 V
I
D
=
5.5 A
V
OUT
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±
16 V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
20 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
4 V，I
D
=
5.5 A
V
GS
=
10 V，I
D
=
5.5 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
5.5 A
民
典型值。
最大
单位
30
15
0.8
11
12
8.1
23
5710
560
590
18
23
109
396
107
12
20
±
10
10
2.0
18
12
A
A
V
V
m
S
V
DD
24 V, V
GS
=
10 V,
I
D
=
11 A
pF
R
L
=
2.7
4.7
ns
nC
V
DD
15 V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压（二极管）
脉冲
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
民
典型值。
最大
单位
A
V
I
DR
=
11 A，V
GS
=
0 V
44
1.2
3
2006-11-16
TPC8111
I
D
– V
DS
10
10
5
3
4
2.5
2.4
2.3
6
2.2
4
2.1
2
VGS
= 2
V
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
20
10
3
2.7
5
4
12
I
D
– V
DS
2.6
2.5
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
8
16
(A)
(A)
I
D
漏电流
漏电流
I
D
2.4
2.3
8
2.2
4
VGS
= 2.1
V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
40
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
0.5
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
(V)
V
DS
漏源电压
I
D
(A)
30
0.4
0.3
漏电流
20
0.2
ID
= 11
A
0.1
5.5
10
25
100
0
0
1
2
Ta
= 55°C
3
4
5
0
0
2.5
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
100
50
Ta
= 55°C
25
10
5
3
100
R
DS （ ON）
– I
D
(S)
50
|Y
fs
|
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
30
30
VGS
= 4.5
V
10
5
3
10
正向转移导纳
1
0.5
0.3
0.1
0.3 0.5
1
3
5
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
10
30 50
1
0.5
0.3
0.1
0.3 0.5
1
3
5
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
10
30 50
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
4
2006-11-16
TPC8111
R
DS （ ON）
- TA
25
常见的来源
20
ID
= 11
A,
5.5
A,
2.5
A
脉冲测试
100
10
I
DR
– V
DS
5
3
10
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
VGS
= 4.5
V
10
ID
= 11
A,
5.5
A,
2.5
A
5
10
反向漏电流
15
I
DR
(A)
1
1
VGS
=
0 V
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.2
0.4
0.6
0.8
1
环境温度
Ta
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
50000
30000
2.5
V
th
- TA
常见的来源
VDS
= 10
V
2
ID
= 1
mA
脉冲测试
1.5
（PF ）
10000
5000
3000
西塞
栅极阈值电压
电容
C
V
th
(V)
科斯
CRSS
1000
500
1
常见的来源
300
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
100
0.1
1
0.3
0.5
3
10
30
100
0
80
40
0
40
80
120
160
环境温度
Ta
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
P
D
- TA
2.0
(1)
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
t
=
10 s
30
动态输入/输出特性
12
(W)
(V)
1.6
VDD
= 24
V
12
VDS
12
6
8
VDD
= 24
V
6
常见的来源
VGS
ID
= 11
A
Ta
=
25°C
脉冲测试
4
20
漏极功耗
漏源电压
(2)
0.8
15
6
10
0.4
5
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
20
40
60
80
100
120
0
140
环境温度
Ta
(°C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
5
2006-11-16
栅源电压
1.2
V
GS
(V)
25
10
P
D
V
DS
TPC8111
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U - MOS IV ）
TPC8111
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 8.1毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 23 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
11
44
1.9
1.0
31.5
11
0.19
150
55
150
单位
V
V
V
A
脉冲（注1 ）
JEDEC
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
―
―
2-6J1B
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
JEITA
东芝
重0.080克（典型值）。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ，请参阅
下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2
3
4
1
2002-03-25
TPC8111
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
65.8
125
单位
° C / W
° C / W
记号
（注5 ）
TPC8111
※
TYPE
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
（一） ，安装到玻璃环氧树脂基板（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= 24
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.2 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
= 11
A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
※
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
2
2002-03-25
TPC8111
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
0V
I
D
= 5.5
A
V
OUT
R
L
=
2.7
4.7
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 30
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
20 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 1
mA
V
GS
= 4
V，I
D
= 5.5
A
V
GS
= 10
V，I
D
= 5.5
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 5.5
A
民
30
15
0.8
11
V
DD
24
V, V
GS
=
10 V,
I
D
= 11
A
典型值。
12
8.1
23
5710
560
590
18
23
109
396
107
12
20
最大
±10
10
2.0
18
12
ns
nC
pF
单位
A
A
V
V
m
S
V
GS
10
V
V
DD
15
V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压（二极管）
脉冲
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= 11
A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
44
1.2
单位
A
V
3
2002-03-25
TPC8111
I
D
– V
DS
10
10
5
3
4
2.5
2.4
2.3
6
2.2
4
2.1
2
VGS
= 2
V
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
20
10
3
2.7
5
4
12
I
D
– V
DS
2.6
2.5
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
8
16
(A)
(A)
I
D
漏电流
漏电流
I
D
2.4
2.3
8
2.2
4
VGS
= 2.1
V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
I
D
– V
GS
40
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
0.5
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
(V)
漏源电压V
DS
I
D
(A)
30
0.4
0.3
漏电流
20
0.2
ID
= 11
A
0.1
5.5
10
25
100
0
0
1
2
Ta
= 55°C
3
4
5
0
0
2.5
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
100
50
Ta
= 55°C
25
10
5
3
100
R
DS （ ON）
– I
D
|Y
fs
| (S)
50
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
30
30
VGS
= 4.5
V
10
5
3
10
正向转移导纳
1
0.5
0.3
0.1
0.3 0.5
1
3
5
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
10
30 50
1
0.5
0.3
0.1
0.3 0.5
1
3
5
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
10
30 50
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
4
2002-03-25
TPC8111
R
DS （ ON）
- TA
25
常见的来源
20
ID
= 11
A,
5.5
A,
2.5
A
脉冲测试
100
10
I
DR
– V
DS
5
3
10
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
VGS
= 4.5
V
10
ID
= 11
A,
5.5
A,
2.5
A
5
10
反向漏电流
15
I
DR
(A)
1
1
VGS
=
0 V
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.2
0.4
0.6
0.8
1
环境温度Ta （C ）
漏源电压V
DS
(V)
电容 - V
DS
50000
30000
2.5
V
th
- TA
常见的来源
VDS
= 10
V
2
ID
= 1
mA
脉冲测试
1.5
（PF ）
10000
5000
3000
西塞
栅极阈值电压V
th
(V)
电容
C
1000
500
科斯
CRSS
1
常见的来源
300
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
100
0.1
0.3
1
0.5
3
10
30
100
0
80
40
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
漏源电压V
DS
(V)
P
D
- TA
2.0
(1)
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
t
=
10 s
30
动态输入/输出特性
12
(W)
(V)
1.6
VDD
= 24
V
12
VDS
12
6
8
VDD
= 24
V
6
常见的来源
VGS
ID
= 11
A
Ta
=
25°C
脉冲测试
4
P
D
漏源电压V
DS
20
漏极功耗
(2)
0.8
15
6
10
0.4
5
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
20
40
60
80
100
120
0
140
环境温度Ta （C ）
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
5
2002-03-25
栅源电压
1.2
V
GS
(V)
25
10
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TC1303B-AR2EUNTR
TLVH431QDCKTE4
TLC3704QJ
TS3V912BIN
TK11041
TLSH1100B
TG39-8
TD62603F
TLVH431CDBVT
TMS32C6415EZLZA6E3
TDA9983BHW/8/C1
TMS320C6746
TS339CD14C4
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    TPC8111
    -
    -
    -
    -
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
TPC8111
TOSHIBA
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联系人：何小姐
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全新原装正品/质量有保证
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电话：075582788161
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TOSHIBA/东芝
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支持送样，BOM配单
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
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TPC8111
TOSHIBA
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
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TOSHIBA
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联系人：朱经理、张小姐
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TOSHIBA
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电话：13528893675
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
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电话：0755-82561519
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电话：0755-83226745/82584980
联系人：马小姐
地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室
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电话：0755-83226745/82584980
联系人：马小姐
地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室
TPC8111
TOSHIBA
21+
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