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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第686页 > TPC8110
TPC8110
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U - MOS III ）
TPC8110
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 17毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 16 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
40
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
40
40
±20
8
32
1.9
1.0
59.4
8
0.19
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1B
重0.080克（典型值）。
脉冲（注1 ）
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
电路CON组fi guration
W
mJ
A
mJ
°C
°C
8
7
6
5
1
2
3
4
注： （注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ：参见下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-11-16
TPC8110
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
65.8
125
单位
° C / W
° C / W
记号
（注5 ）
TPC8110
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
注1 ：
确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：
（一） ，安装到玻璃环氧树脂基板（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= 24
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
1.0 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
= 8
A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周：连续数达52或53 ）
制造年份
（每年的最后一位数字）
2
2006-11-16
TPC8110
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
0V
V
GS
10
V
4.7
I
D
= 4
A
V
OUT
R
L
=
5
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 40
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
20 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 1
mA
V
GS
= 4
V，I
D
= 4.0
A
V
GS
= 10
V，I
D
= 4.0
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 4.0
A
民
40
25
0.8
8
V
DD
32
V, V
GS
= 10
V,
I
D
= 8
A
典型值。
27
17
16
2180
275
330
6.0
15
30
115
48
5.5
12
最大
±10
10
2.0
35
25
ns
nC
pF
单位
A
A
V
V
m
S
V
DD
20
V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压（二极管）
脉冲
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= 8
A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
32
1.2
单位
A
V
3
2006-11-16
TPC8110
I
D
– V
DS
10
10
8
8
6
5
6
4
3.75
3.5
3.25
3.0
2.75
40
8
6
5
4
I
D
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
3.25
I
D
I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
(A)
(A)
30
10
3.75
3.5
漏电流
漏电流
2.5
4
VGS
= 2.25
V
2
20
3.0
2.75
10
2.5
VGS
= 2.25
V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
1
2
3
4
5
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
40
常见的来源
脉冲测试
VDS
= 10
V
30
0.8
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
0.6
脉冲测试
(A)
I
D
漏源电压
漏电流
V
DS
25
100
(V)
0.4
20
ID
= 8.0
A
0.2
10
2.0
4.0
Ta
= 55°C
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
12
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
(S)
50
30
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
1000
R
DS （ ON）
– I
D
Ta
= 55°C
|Y
fs
|
正向转移导纳
100
10
5
3
25
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
常见的来源
Ta
=
25°C
500
脉冲测试
300
100
50
30
VGS
= 4
V
10
10
5
1
0.5
0.3
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
30 50
3
0.1
0.3 0.5
1
3 5
10
30 50
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
4
2006-11-16
TPC8110
R
DS （ ON）
TC =
50
常见的来源
脉冲测试
100
I
DR
– V
DS
5
I
DR
(A)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
40
ID
=
8.0 A
2.0/4.0
A
10
10
3
VGS
= 4
V
20
ID
= 2.0/4.0/8.0
A
10
10
V
反向漏电流
30
1
1
VGS
=
0 V, 1 V
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.4
0.8
1.2
1.6
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
5000
3000
西塞
2
V
th
TC =
常见的来源
VDS
= 10
V
1.6
ID
= 1
mA
脉冲测试
1.2
（PF ）
1000
500
300
科斯
CRSS
100
50
30
0.1
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
0.3 0.5
1
3
5
10
30 50
栅极阈值电压
电容
C
V
th
(V)
0.8
0.4
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
TC =
2.0
(1)
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
t
=
10 s
40
动态输入/输出特性
常见的来源
ID
= 10
A
Ta
=
25°C
脉冲测试
40
(W)
(V)
1.6
P
D
漏极功耗
漏源电压
(2)
0.8
20
16
8
10
VGS
VDD
=
32 V
20
10
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
20
40
80
0
80
环境温度
Tc
(°C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
5
2006-11-16
栅源电压
1.2
V
DS
30
30
V
GS
(V)
VDS
TPC8110
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U - MOS III ）
TPC8110
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 17毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 16 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
40
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
40
40
±20
8
32
1.9
1.0
59.4
8
0.19
150
55
150
单位
V
V
V
A
脉冲（注1 ）
JEDEC
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
―
―
2-6J1B
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
JEITA
东芝
重0.080克（典型值）。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ，请参阅
下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2
3
4
1
2002-05-24
TPC8110
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
65.8
125
单位
° C / W
° C / W
记号
（注5 ）
TPC8110
※
TYPE
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
（一） ，安装到玻璃环氧树脂基板（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= 24
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
1.0 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
= 8
A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
※
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
2
2002-05-24
TPC8110
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
0V
I
D
= 4
A
V
OUT
R
L
=
5
4.7
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 40
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
20 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 1
mA
V
GS
= 4
V，I
D
= 4.0
A
V
GS
= 10
V，I
D
= 4.0
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 4.0
A
民
40
25
0.8
8
V
DD
32
V, V
GS
= 10
V,
I
D
= 8
A
典型值。
27
17
16
2180
275
330
6.0
15
30
115
48
5.5
12
最大
±10
10
2.0
35
25
ns
nC
pF
单位
A
A
V
V
m
S
V
GS
10
V
V
DD
20
V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压（二极管）
脉冲
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= 8
A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
32
1.2
单位
A
V
3
2002-05-24
TPC8110
I
D
– V
DS
10
10
8
8
6
5
6
3.0
4
3.75
3.5
3.25
2.75
40
8
6
5
4
I
D
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
3.25
I
D
I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
(A)
(A)
30
10
3.75
3.5
漏电流
漏电流
2.5
4
VGS
= 2.25
V
2
20
3.0
2.75
10
2.5
VGS
= 2.25
V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
1
2
3
4
5
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
I
D
– V
GS
40
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
0.8
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
0.6
脉冲测试
(A)
漏源电压V
DS
30
漏电流
I
D
(V)
0.4
25
20
10
100
ID
= 8.0
A
0.2
2.0
4.0
Ta
= 55°C
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
12
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
|Y
fs
| (S)
50
30
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
1000
R
DS （ ON）
– I
D
Ta
= 55°C
正向转移导纳
100
10
5
3
25
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
常见的来源
Ta
=
25°C
500
脉冲测试
300
100
50
30
VGS
= 4
V
10
10
5
1
0.5
0.3
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
30 50
3
0.1
0.3 0.5
1
3 5
10
30 50
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
4
2002-05-24
TPC8110
R
DS （ ON）
TC =
50
常见的来源
脉冲测试
100
I
DR
– V
DS
5
(A)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
40
I
DR
ID
=
8.0 A
2.0/4.0
A
10
10
3
VGS
= 4
V
20
ID
= 2.0/4.0/8.0
A
10
10
V
反向漏电流
30
1
1
VGS
=
0 V, 1 V
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.4
0.8
1.2
1.6
壳温度
(°C)
漏源电压V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
5000
3000
西塞
2
V
th
TC =
常见的来源
VDS
= 10
V
1.6
ID
= 1
mA
脉冲测试
1.2
1000
500
300
科斯
CRSS
100
50
30
0.1
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
0.3 0.5
1
3
5
10
30 50
栅极阈值电压V
th
(V)
电容
C
（PF ）
0.8
0.4
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压V
DS
(V)
壳温度
(°C)
P
D
TC =
2.0
(1)
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
t
=
10 s
40
动态输入/输出特性
常见的来源
ID
= 10
A
Ta
=
25°C
脉冲测试
40
(W)
(V)
1.6
P
D
漏源电压V
DS
漏极功耗
(2)
0.8
20
16
8
10
VGS
VDD
=
32 V
20
10
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
20
40
80
0
80
环境温度Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
5
2002-05-24
栅源电压
1.2
V
GS
30
30
(V)
VDS
TPC8110
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U - MOS III ）
TPC8110
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 17毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 16 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
40
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
40
40
±20
8
32
1.9
1.0
59.4
8
0.19
150
55
150
单位
V
V
V
A
脉冲（注1 ）
JEDEC
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
―
―
2-6J1B
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
JEITA
东芝
重0.080克（典型值）。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ，请参阅
下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2
3
4
1
2002-05-24
TPC8110
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
65.8
125
单位
° C / W
° C / W
记号
（注5 ）
TPC8110
※
TYPE
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
（一） ，安装到玻璃环氧树脂基板（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= 24
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
1.0 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
= 8
A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
※
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
2
2002-05-24
TPC8110
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
0V
I
D
= 4
A
V
OUT
R
L
=
5
4.7
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 40
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
20 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 1
mA
V
GS
= 4
V，I
D
= 4.0
A
V
GS
= 10
V，I
D
= 4.0
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 4.0
A
民
40
25
0.8
8
V
DD
32
V, V
GS
= 10
V,
I
D
= 8
A
典型值。
27
17
16
2180
275
330
6.0
15
30
115
48
5.5
12
最大
±10
10
2.0
35
25
ns
nC
pF
单位
A
A
V
V
m
S
V
GS
10
V
V
DD
20
V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压（二极管）
脉冲
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= 8
A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
32
1.2
单位
A
V
3
2002-05-24
TPC8110
I
D
– V
DS
10
10
8
8
6
5
6
3.0
4
3.75
3.5
3.25
2.75
40
8
6
5
4
I
D
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
3.25
I
D
I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
(A)
(A)
30
10
3.75
3.5
漏电流
漏电流
2.5
4
VGS
= 2.25
V
2
20
3.0
2.75
10
2.5
VGS
= 2.25
V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
1
2
3
4
5
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
I
D
– V
GS
40
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
0.8
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
0.6
脉冲测试
(A)
漏源电压V
DS
30
漏电流
I
D
(V)
0.4
25
20
10
100
ID
= 8.0
A
0.2
2.0
4.0
Ta
= 55°C
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
12
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
|Y
fs
| (S)
50
30
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
1000
R
DS （ ON）
– I
D
Ta
= 55°C
正向转移导纳
100
10
5
3
25
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
常见的来源
Ta
=
25°C
500
脉冲测试
300
100
50
30
VGS
= 4
V
10
10
5
1
0.5
0.3
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
30 50
3
0.1
0.3 0.5
1
3 5
10
30 50
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
4
2002-05-24
TPC8110
R
DS （ ON）
TC =
50
常见的来源
脉冲测试
100
I
DR
– V
DS
5
(A)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
40
I
DR
ID
=
8.0 A
2.0/4.0
A
10
10
3
VGS
= 4
V
20
ID
= 2.0/4.0/8.0
A
10
10
V
反向漏电流
30
1
1
VGS
=
0 V, 1 V
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.4
0.8
1.2
1.6
壳温度
(°C)
漏源电压V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
5000
3000
西塞
2
V
th
TC =
常见的来源
VDS
= 10
V
1.6
ID
= 1
mA
脉冲测试
1.2
1000
500
300
科斯
CRSS
100
50
30
0.1
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
0.3 0.5
1
3
5
10
30 50
栅极阈值电压V
th
(V)
电容
C
（PF ）
0.8
0.4
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压V
DS
(V)
壳温度
(°C)
P
D
TC =
2.0
(1)
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
t
=
10 s
40
动态输入/输出特性
常见的来源
ID
= 10
A
Ta
=
25°C
脉冲测试
40
(W)
(V)
1.6
P
D
漏源电压V
DS
漏极功耗
(2)
0.8
20
16
8
10
VGS
VDD
=
32 V
20
10
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
20
40
80
0
80
环境温度Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
5
2002-05-24
栅源电压
1.2
V
GS
30
30
(V)
VDS
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T494D687M004AS
TLV620612-Q1
TPS65810
TC7WT241FU
TL081BI
TV15C110K
TIBPAL22VP10-20CNT
TMS28F002FT90CDBJE
TC7MH240FK
TPS71525-Q1
TCO
TC74VCX2244FK
TMS28F010A-15C3NE4
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    TPC8110
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
锦迅科技(香港)有限公司
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电话：0755-83226745/82584980
联系人：马小姐
地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室
TPC8110
TOS
21+
3550
SOP8
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TPC8110
TOSHIBA/东芝
21+
18600
SOP-8
全新原装正品/质量有保证
深圳市百域芯科技有限公司
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电话：075582788161
联系人：王小姐
地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507
TPC8110
TOSHIBA/东芝
24+
30000
支持送样，BOM配单
深圳市晶美隆科技有限公司
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电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TPC8110
TPC
24+
18530
SOP-8
全新原装现货热卖
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制

电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TPC8110
TOSHIBA
24+
11880
SOP-8
优势现货，只做原装正品
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制

电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TPC8110
TOSHIBA/东芝
24+
11631
SOP8
全新原装正品现货热卖
深圳市楷瑞达科技电子有限公司
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电话：13528893675
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
TPC8110
TOS
22+
5000
SOP-8
13528893675￥/片,大量原装库存长期供应欢迎实单
深圳市向鸿伟业电子有限公司
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
TPC8110
TOSHIBA/东芝
2407+
5999
SOP-8
专业做场效管MOS原装现货
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电话：13510131896
联系人：欧阳
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TPC8110
TOSHIBA
20+
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QR
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电话：0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人：何
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TOSHIBA/东芝
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