TPC8107
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPC8107
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
·
·
·
·
·
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 5.5毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 31 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
(t
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
-30
-30
±20
-13
-52
1.9
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1B
漏极功耗
W
1.0
W
重0.080克（典型值）。
219
-13
0.19
150
-55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ，请参阅
下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2
3
4
1
2003-02-20
TPC8107
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
符号
R
第（章-a）的
最大
65.8
单位
° C / W
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
125
° C / W
记号
（注5 ）
TPC8107
※
TYPE
LOT号
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= -24
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
1.0 mH的，R
G
=
25
W,
I
AR
= -13
A
注4 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
·
在标记的左下角显示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（一低位日历年的数字）
2
2003-02-20
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东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPC8107
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 5.5毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 31 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
(t
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
13
52
1.9
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1B
漏极功耗
W
重0.080克（典型值）。
1.0
W
电路CON组fi guration
219
13
0.19
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
8
7
6
5
注： （注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ：参见下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-11-16
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东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ）
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锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
·
·
·
·
·
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 5.5毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 31 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
(t
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
-30
-30
±20
-13
-52
1.9
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1B
漏极功耗
W
1.0
W
重0.080克（典型值）。
219
-13
0.19
150
-55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ，请参阅
下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2
3
4
1
2003-02-20
TPC8107
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
符号
R
第（章-a）的
最大
65.8
单位
° C / W
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
125
° C / W
记号
（注5 ）
TPC8107
※
TYPE
LOT号
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= -24
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
1.0 mH的，R
G
=
25
W,
I
AR
= -13
A
注4 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
·
在标记的左下角显示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（一低位日历年的数字）
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2003-02-20
QQ：2880707522 复制
