TPC8105-H
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型(高速U- MOSII )
TPC8105H
高速度和高效率DC -DC转换器
锂离子电池应用
笔记本电脑
便携式设备的应用
占地面积小,因小而薄的封装
高速开关
小栅极电荷
:的Qg = 32 NC(典型值)。
: R
DS ( ON)
= 20毫欧(典型值)。
低漏源导通电阻
单位:mm
高正向转移导纳: | Y
fs
| =
12
S( TYP 。 )
低漏电流:I
DSS
=
10
μA (最大值) (V
DS
=
30
V)
增强型: V
th
=
0.8~2.0
V (V
DS
=
10
V,I
D
=
1
毫安)
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
(注1 )
(注1 )
(T = 10秒)
(注2A )
(T = 10秒)
(注2B )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
7
28
2.4
1.0
63.7
7
0.24
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1B
漏极功耗
漏极功耗
重0.080克(典型值)。
单脉冲雪崩能量
(注3)
雪崩电流
重复性雪崩能量
(注2A ) (注4 )
通道温度
存储温度范围
电路CON组fi guration
注:对于(注1 ) (注2 ) (注3)和(注4 ) ,请参阅
下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
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2002-01-18
TPC8105-H
热特性
特征
耐热性,信道至环境
(T = 10秒)
(注2A )
耐热性,信道至环境
(T = 10秒)
(注2B )
符号
R
第(章-a)的
R
第(章-a)的
最大
52.1
125
单位
° C / W
° C / W
记号
(注5 )
TPC8105
H
※
TYPE
注1 :请在使用条件下的设备,该通道的温度低于150 ℃。
注2 :
(一) ,安装到玻璃环氧树脂基板(一)
(二)装置安装在一个玻璃环氧板(二)
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
(单位:毫米)
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
(单位:毫米)
(a)
(b)
注3 : V
DD
=
24
V,T
ch
= 25 ° C(初始) , L = 1.0 mH的,R
G
= 25
,
I
AR
=
7
A
注4 : Reptitve评级;脉冲宽度有限的最大通道温度。
注5 :
●
在标记的左下角显示引脚1 。
※
示批号。生产(年:生产年份的最后一个十进制数,月
制作:一月到十二月是由字母A ,分别表示为L)
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2002-01-18