TPC8076
MOSFET的
硅N沟道MOS ( U- MOS )
TPC8076
1.应用
锂离子二次电池
笔记本电脑
移动设备
2.特点
(1)
(2)
(3)
(4)
由于占用空间小,小而薄的封装
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 3.9毫欧(典型值)(V
GS
= 10 V)
低漏电流:I
DSS
= 10
A
(最大值) (Ⅴ
DS
= 33 V)
增强型: V
th
= 1.3 2.3 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 0.3 mA)的
3.包装和内部电路
1 ,2,3 :源
4 :门
5 ,6,7 ,8:漏
SOP-8
25
4.绝对最大额定值(注) (T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
功耗
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
(T = 10秒)
(T = 10秒)
(注1 )
(注1 )
(注2 )
(注3)
(注4 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
T
ch
T
英镑
等级
33
±20
18
72
1.9
1.0
183
18
150
-55到150
W
W
mJ
A
A
单位
V
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
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5.热特性
特征
通道到环境的热阻
通道到环境的热阻
(T = 10秒)
(T = 10秒)
(注2 )
(注3)
符号
R
第(章-a)的
R
第(章-a)的
最大
65.7
125
单位
/W
/W
注1 :确保通道温度不超过150 。
注2 :设备安装在玻璃环氧基板( a)所示,图5.1
注3 :设备安装在玻璃环氧基板( b)所示,图5.2
注4 : V
DD
= 24 V ,T
ch
= 25 (初始) , L = 0.5 mH的,R
G
= 1
,
I
AR
= 18 A
图。 5.1设备安装在玻璃环氧树脂
板(一)
图。 5.2设备安装在玻璃环氧树脂
板(二)
注意:
该晶体管是静电放电敏感,应谨慎处理。
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7,打标(注)
图。 7.1标志
注意:
下一个批号的行标识产品标签的指示。
没有下划线: [铅] /包括> MCV
下划线: [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如RoHS指令
产品的兼容性。
RoHS指令是对指令2002/95 / EC欧洲议会和2003年1月27日理事会
在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。
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