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TPC8076
MOSFET的
硅N沟道MOS ( U- MOS )
TPC8076
1.应用
锂离子二次电池
笔记本电脑
移动设备
2.特点
(1)
(2)
(3)
(4)
由于占用空间小,小而薄的封装
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 3.9毫欧(典型值)(V
GS
= 10 V)
低漏电流:I
DSS
= 10
A
(最大值) (Ⅴ
DS
= 33 V)
增强型: V
th
= 1.3 2.3 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 0.3 mA)的
3.包装和内部电路
1 ,2,3 :源
4 :门
5 ,6,7 ,8:漏
SOP-8
25
4.绝对最大额定值(注) (T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
功耗
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
(T = 10秒)
(T = 10秒)
(注1 )
(注1 )
(注2 )
(注3)
(注4 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
T
ch
T
英镑
等级
33
±20
18
72
1.9
1.0
183
18
150
-55到150
W
W
mJ
A
A
单位
V
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2011-04-01
Rev.2.0
TPC8076
5.热特性
特征
通道到环境的热阻
通道到环境的热阻
(T = 10秒)
(T = 10秒)
(注2 )
(注3)
符号
R
第(章-a)的
R
第(章-a)的
最大
65.7
125
单位
/W
/W
注1 :确保通道温度不超过150 。
注2 :设备安装在玻璃环氧基板( a)所示,图5.1
注3 :设备安装在玻璃环氧基板( b)所示,图5.2
注4 : V
DD
= 24 V ,T
ch
= 25 (初始) , L = 0.5 mH的,R
G
= 1
,
I
AR
= 18 A
图。 5.1设备安装在玻璃环氧树脂
板(一)
图。 5.2设备安装在玻璃环氧树脂
板(二)
注意:
该晶体管是静电放电敏感,应谨慎处理。
2
2011-04-01
Rev.2.0
TPC8076
6,电气特性
6.1 。静态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSX
V
th
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 33 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= -20 V
V
DS
= 10 V,I
D
- 0.3毫安
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 9 A
33
18
1.3
典型值。
5.1
3.9
最大
±10
10
2.3
6.5
4.9
m
V
单位
A
6.2 。动态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
切换时间(上升时间)
切换时间(导通时间)
切换时间(下降时间)
切换时间(关断时间)
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
参见图6.2.1 。
测试条件
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
典型值。
2500
120
430
2.7
9.5
10
49
最大
ns
单位
pF
图。 6.2.1开关时间测试电路
25
6.3 。栅极电荷特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
总栅极电荷(栅极 - 源极加
栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
符号
Q
g
Q
gs1
Q
gd
测试条件
V
DD
24 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 18 A
典型值。
34
7.4
4
最大
单位
nC
6.4 。源极 - 漏极特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
反向漏电流(脉冲电流)
二极管的正向电压
(注5 )
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= 18 A,V
GS
= 0 V
典型值。
最大
72
-1.2
单位
A
V
注5 :确保通道温度不超过150 。
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2011-04-01
Rev.2.0
TPC8076
7,打标(注)
图。 7.1标志
注意:
下一个批号的行标识产品标签的指示。
没有下划线: [铅] /包括> MCV
下划线: [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如RoHS指令
产品的兼容性。
RoHS指令是对指令2002/95 / EC欧洲议会和2003年1月27日理事会
在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。
4
2011-04-01
Rev.2.0
TPC8076
8.特性曲线(注)
图。 8.1我
D
- V
DS
图。 8.2我
D
- V
DS
图。 8.3我
D
- V
GS
图。 8.4 V
DS
- V
GS
图。 8.5
DS ( ON)
- I
D
图。 8.6
DS ( ON)
- T
a
5
2011-04-01
Rev.2.0
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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全新原装正品/质量有保证
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