【TPC8045-H东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOSⅥ -H ）TPC8045-H开关】,IC型号TPC8045-H,TPC8045-H PDF资料,TPC8045-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPC8045-H

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOSⅥ -H ）

TPC8045-H

开关稳压器的应用

电机驱动应用

DC- DC转换器应用

由于占用空间小，小而薄的封装

高速开关

小栅极电荷：

Q

SW

= 23 NC （典型值）。

低漏源导通电阻：

R

DS （ ON）

= 2.7毫欧（典型值）。

高正向转移导纳：

|Y

fs

| = 67 S（典型值）。

低漏电流：

I

DSS

= 10

μA

（最大值）（Ⅴ

DS

= 40 V)

增强模式：

V

th

= 1.3 2.3 V（V

DS

= 10 V，I

D

= 1 mA）的

单位：mm

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

=

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

DC

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

T

ch

T

英镑

等级

40

±20

18

72

1.9

1.0

150

18

0.06

150

55

150

单位

V

JEDEC

A

2-6J1B

脉冲（注1 ）

(t

=

10 s)

（注2A ）

(t

=

10 s)

（注2B ）

JEITA

东芝

漏极功耗

W

mJ

A

mJ

°C

重量： 0.085克（典型值）。

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（ TC = 25 ℃ ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

电路CON组fi guration

8

7

6

5

注意：对于注释1至4中，参考下页。

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使操作条件（即工作温度/电流/电压等）是

内的绝对最大额定值。请在审查东芝设计相应的可靠性

半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人

可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

1

2

3

4

开始商业生产

2008-10

1

2013-11-01

TPC8045-H

热特性

特征

耐热性，信道至环境

(t

=

10 s)

(t

=

10 s)

（注2A ）

（注2B ）

耐热性，信道至环境

符号

R

第（章-a）的

R

第（章-a）的

最大

65.8

125

单位

° C / W

记号

（注5 ）

产品型号

（或缩写代码）

LOT号

记

注意：下一个批号的行标识产品标签的指示

[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以

环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

RoHS指令是指令2002 /欧洲议会95 / EC和

对2003年1月27日，安理会就使用某些的限制

有害物质在电气和电子设备。

TPC8045

H

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4

×

25.4

×

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

×

25.4

×

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

DD

=

24 V ，T

ch

=

25 ° C（初始），L

=

500

μH,

R

G

=

25

Ω,

I

AR

=

18 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

*

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年度的第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（年份的最后一个数字）

2

2013-11-01

TPC8045-H

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

栅极电阻

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

门开关充电

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs1

Q

gd

Q

SW

V

DD

≈

32 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

18 A

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSX

V

th

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

rg

t

r

V

GS

t

on

10 V

0V

4.7

Ω

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

测试条件

V

GS

= ±20

V, V

DS

=

0 V

V

DS

=

40 V, V

GS

=

0 V

I

D

=

10毫安，V

GS

=

0 V

I

D

=

10毫安，V

GS

= 20

V

DS

=

10 V，I

D

=

1毫安

V

GS

=

4.5 V，I

D

=

9 A

V

GS

=

10 V，I

D

=

9 A

V

DS

=

10 V，I

D

=

9 A

民

40

25

1.3

33.5

I

D

=

9 A

R

L

=

2.2

Ω

V

OUT

典型值。

3.2

2.7

67

5800

305

950

1.0

6.4

16

76

90

48

15

16

23

最大

±100

10

2.3

4.4

3.9

7540

445

1.5

ns

nC

Ω

pF

单位

nA

μA

V

mΩ

S

V

DD

≈

20 V

税

≤

1%, t

w

=

10

μs

V

DD

≈

32 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

18 A

V

DD

≈

32 V, V

GS

=

5 V，I

D

=

18 A

源极 - 漏极额定值和特性

（大

=

25°C)

特征

最大正向电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

I

FP

V

DSF

测试条件

I

DR

=

18 A，V

GS

=

0 V

民

典型值。

最大

72

1.2

单位

A

V

3

2013-11-01

TPC8045-H

10

20

4.5 3.4

3.1

3

2.9

I

D

– V

DS

50

2.8

常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

40

4.5 3.6

10

3.4

3.1

3.2

I

D

– V

DS

3

常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

2.9

16

(A)

I

D

I

D

漏电流

2.7

(A)

12

30

漏电流

8

2.6

4

VGS

=

2.5 V

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

20

2.8

10

2.7

VGS

=

2.6 V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2

漏源电压

V

DS

(V)

漏源电压

V

DS

(V)

I

D

– V

GS

50

V

DS

– V

GS

0.2

常见的来源

Ta

=

25℃

脉冲测试

40

(V)

V

DS

漏源电压

100

Ta

= 55°C

25

常见的来源

VDS

=

10 V

脉冲测试

0.16

I

D

(A)

30

0.12

漏电流

20

0.08

ID

=

18 A

0.04

4.5

9

10

0

1

2

3

4

5

0

2

4

6

8

10

栅源电压

V

GS

(V)

栅源电压

V

GS

(V)

Y

fs

– I

D

(S)

1000

常见的来源

VDS

=

10 V

脉冲测试

100

常见的来源

Ta

=

25

℃

脉冲测试

R

DS （ ON）

– I

D

|Y

fs

|

100

Ta

= 55°C

10

100

25

正向转移导纳

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(mΩ)

10

4.5

VGS

=

10 V

1

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

漏电流

I

D

(A)

漏电流

I

D

(A)

4

2013-11-01

TPC8045-H

R

DS （ ON）

- TA

6

1000

I

DR

– V

DS

常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

100

10

3

4.5

10

1

VGS

=

0 V

2

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(mΩ)

5

4

ID

=

4.5, 9, 18 A

3

VGS

=

4.5 V

2

VGS

=

10 V

1

ID

=

4.5, 9, 18 A

反向漏电流

I

DR

(A)

1

0.1

0

常见的来源

脉冲测试

0

80

40

0

40

80

120

160

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

环境温度

Ta

(

°

C)

漏源电压

V

DS

(V)

电容 - V

DS

10000

西塞

2.5

V

th

- TA

V

th

(V)

栅极阈值电压

（PF ）

2

1000

科斯

1.5

电容

C

CRSS

100

常见的来源

VGS

=

0 V

f

=

1兆赫

Ta

=

25°C

10

0.1

1

10

100

1

0.5

常见的来源

VDS

=

10 V

ID

=

1毫安

脉冲测试

40

0

40

80

120

160

0

80

漏源电压

V

DS

(V)

环境温度

Ta

(

°

C)

P

D

- TA

2

动态输入/输出

特征

50

常见的来源

ID

=

18 A

Ta

=

25°C

脉冲测试

VDS

=

32 V

8

16

VDD

=

32 V

VGS

10 8

4

8

20

(V)

1.6

P

D

40

16

V

DS

漏极功耗

漏源电压

(2)

0.8

20

16

0.4

0

40

80

120

160

0

40

80

120

0

160

环境温度

Ta

(

°

C)

总栅极电荷

Q

g

（ NC ）

5

2013-11-01

栅源电压

1.2

30

12

V

GS

(V)

(1)

（1）设备安装在玻璃环氧

板（一）（注2a）的

（2），安装到玻璃 - 环氧

板（二）（注2b）的

t=10s

(W)