【TPC8027东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOS IV ）TPC8027锂离子电池应用】,IC型号TPC8027,TPC8027 PDF资料,TPC8027经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPC8027

东芝场效应晶体管

硅N沟道MOS型（U - MOS IV ）

TPC8027

锂离子电池应用

便携式设备的应用

笔记本电脑应用

占地面积小，因小而薄的封装

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 2.1毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 48 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 10

μA

（最大值）（Ⅴ

= 30 V)

增强型： V

= 1.3 2.5 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

单位：mm

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

脉冲

（注1 ）

10 s)

（注2A ）

10 s)

（注2B ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

1.9

1.0

0.029

150

单位

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-6J1B

漏极功耗

°C

重量0.08克（典型值）

电路CON组fi guration

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（注2A ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

注1 ，注2 ，注3和注4 ：参见下页。

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和温度的显著变化等），可能会导致该产品在减少

可靠性显著即使操作条件（即工作温度/电流/电压等）内

绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性（ “处理

注意事项“ /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，并估计

故障率等）。

此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。

2009-09-29

TPC8027

热特性

特征

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2A ）

符号

第（章-a）的

最大

65.8

单位

° C / W

耐热性，信道至环境

10 s)

（注2B ）

第（章-a）的

125

° C / W

记号

（注5 ）

TPC8027

产品型号（或缩写代码）

LOT号

注6

注1 ：

确保通道温度不超过150 ℃。

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

24 V ，T

25 ° C（初始），L

0.2 mH的，我

18 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

上的标记的左下表示引脚1 。

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（日历年的最后一位数字）

注6 ：根据批号的行标识产品标签的指示。

没有下划线： [铅] /包括> MCV

下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令

产品的兼容性。 RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27局的

2003年1月关于在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。

2009-09-29

TPC8027

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

gs1

24 V, V

10 V，I

18 A

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

10 V

4.7

测试条件

= ±

20 V, V

0 V

30 V, V

0 V

10毫安，V

0 V

10毫安，V

20 V

10 V，I

1毫安

4.5 V，I

9 A

10 V，I

9 A

10 V，I

9 A

民

典型值。

最大

100

单位

1.3

2.5

5.5

2.7

3.5

2.1

4200

1000

1400

120

113

10 V, V

0 V，F

1兆赫

9 A

1.67

OUT

15 V

税

＆ LT ;

1%, t

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

民

典型值。

最大

1.2

单位

18 A，V

0 V

2009-09-29

TPC8027

– V

4.5 4

3.8

常见的来源

25°C

脉冲测试

4 3.8

4.5

– V

3.6

常见的来源

25°C

脉冲测试

3.5

3.4

(A)

漏电流

3.5

3.4

3.2

VGS

3 V

0.4

0.8

1.2

1.6

漏电流

3.6

(A)

3.2

VGS

3 V

0.2

0.4

0.6

0.8

漏

源极电压

(V)

漏源电压

(V)

– V

0.20

– V

(V)

常见的来源

25°C

脉冲测试

(A)

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

0.16

100°C

25°C

= 55°C

漏源电压

0.12

漏电流

0.08

18 A

4.5

0.04

门

源极电压

(V)

门

源极电压

(V)

| – I

1000

100

常见的来源

25°C

脉冲测试

DS （ ON）

– I

正向转移导纳

| (S)

100

= 55°C

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

100

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

0.1

100

4.5

VGS

10 V

0.1

100

漏电流

(A)

漏电流

(A)

2009-09-29

TPC8027

DS （ ON）

- TA

– V

1000

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

4.5,9,18 A

VGS

4.5 V

4.5,9,18 A

VGS

10 V

(A)

常见的来源

脉冲测试

常见的来源

25°C

脉冲测试

4.5

100

反向漏电流

VGS

0 V

120

160

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

环境温度

TA（

漏

源极电压

(V)

电容 - V

10000

西塞

2.5

- TA

(V)

栅极阈值电压

（PF ）

电容

1000

CRSS

科斯

1.5

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

100

0.1

100

0.5

常见的来源

VDS

10 V

1mA

脉冲测试

120

160

漏

源极电压

(V)

环境温度

TA（

- TA

动态输入/输出

特征

(V)

1.6

漏极功耗

漏源电压

VDS = 24V

VDD = 6V

VGS

(2)

0.8

0.4

120

160

100

120

140

160

环境温度

TA（

总栅极电荷

（ NC ）

2009-09-29

栅源电压

1.2

(V)

(1)

（1）设备安装在一个玻璃epoxyboard

（一）（注2a）的

（2），安装到玻璃 - epoxyboard

（二）（注2b）的

10 s

常见的来源

18 A

25°C

脉冲测试

(W)

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TPC

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23000

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32000

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