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TPC8009-H
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（高速U- MOSIII ）
TPC8009-H
高速度和高效率DC -DC转换器
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
·
·
·
·
·
·
·
占地面积小，因小而薄的封装
高速开关
小栅极电荷：Q
g
= 29 NC （典型值）。
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 8毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| =
16
S（ TYP 。 ）
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
增强型： V
th
=
1.1
以2.3 V（V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
(t
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
13
52
1.9
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1B
漏极功耗
W
重0.080克（典型值）。
1.0
W
电路CON组fi guration
219
13
0.19
150
-55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
8
7
6
5
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）请参阅下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2002-01-17
TPC8009-H
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
符号
R
第（章-a）的
最大
65.8
单位
° C / W
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
125
° C / W
记号
（注5 ）
TPC8009
H
※
TYPE
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
24 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
1.0 mH的，R
G
=
25
W,
I
AR
=
13 A
注4 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。
注5 ：
·
在标记的左下角显示引脚1 。
※
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
2
2002-01-17
TPC8009-H
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
门开关充电
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
Q
SW
V
DD
~
24 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
13 A
-
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
10 V
0V
4.7
W
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
= -20
V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
4.5 V，I
D
=
6.5 A
V
GS
=
10 V，I
D
=
6.5 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
6.5 A
民
30
15
1.1
8
典型值。
11
8
16
1460
250
600
5
13
12
37
29
16
4.2
7.3
9.1
最大
±10
10
2.3
15
10
ns
nC
pF
单位
mA
mA
V
V
mW
S
I
D
=
6.5 A
V
OUT
R
L
=
2.3
W
V
DD
~
15 V
-
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
V
DD
~
24 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
13 A
-
V
DD
~
24 V, V
GS
=
5 V，I
D
=
13 A
-
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压（二极管）
脉冲
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
=
13 A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
52
-1.2
单位
A
V
3
2002-01-17
TPC8009-H
I
D
– V
DS
10
10
4
3
2.9
8
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
2.8
20
10
4
I
D
– V
DS
3.1
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
3
16
(A)
(A)
I
D
6
I
D
2.9
12
2.8
8
2.5
2.7
VGS
=
2.5 V
0
0
2.7
漏电流
4
2.6
2.5
漏电流
2
VGS
=
2.4 V
0
0
4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
50
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
1
0.9
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
(V)
V
DS
漏源电压
40
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
3.5
ID
=
13 A
6.5
I
D
漏电流
(A)
30
20
25
10
100
Ta
= -55°C
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
100
Ta
= -55°C
25
10
100
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
正向转移导纳| Y
fs
|
(S)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m9)
VGS
=
4.5 V
10
10
1
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
0
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
4
2002-01-17
TPC8009-H
R
DS （ ON）
- TA
18
16
ID
=
13、6.5、3.5 A
100
10
5
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m9)
14
12
10
8
6
4
2
0
-80
-40
常见的来源
脉冲测试
0
40
80
120
160
10
VGS
=
4.5 V
ID
=
13、6.5、3.5 A
(A)
反向漏电流I
DR
3
10
VGS
=
0 V
1
1
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.1
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
环境温度Ta （C ）
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
2.5
V
th
- TA
栅极阈值电压V
th
(V)
2
（PF ）
西塞
1000
科斯
CRSS
100
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
10
0.1
1
10
100
电容C
1.5
1
常见的来源
0.5 V
DS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
-80
-40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
环境温度Ta （C ）
P
D
- TA
2
(1)
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
(2)
0.8
t
=
10 s
30
动态输入/输出特性
12
常见的来源
Ta
=
25°C
VDD
=
24 V
VDS
20
6
VDD
=
24 V
15
12
10
6
5
2
VGS
4
6
ID
=
13脉冲测试
12
(W)
(V)
1.6
P
D
V
DS
8
漏极功耗
漏源电压
0.4
0
0
50
100
150
200
0
0
5
10
15
20
25
0
30
环境温度Ta （C ）
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
5
2002-01-17
栅源电压
1.2
V
GS
(V)
25
10
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    TPC8009-H
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