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TPC8003

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSII ）

TPC8003

锂离子电池应用

便携式设备的应用

笔记本电脑应用

占地面积小，因小而薄的封装

: R

DS （ ON）

= 5.4毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 21 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 10 μA （最大值）（V

= 30 V)

增强型： V

= 0.8~2.5 V (V

= 10 V，I

= 1 mA）的

低漏源导通电阻

单位：mm

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

脉冲

（注1 ）

（T = 10秒）

（注2A ）

（T = 10秒）

（注2B ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

2.4

1.0

220

0.24

150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-6J1B

漏极功耗

重0.080克（典型值）。

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（注2A ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

电路CON组fi guration

注1 ，注2 ，注3和注4 ：参见下页。

此晶体管是静电感应装置。请处理好与

慎用。

2004-07-06

TPC8003

热特性

特征

耐热性，信道至环境

（T = 10秒）

（注2A ）

耐热性，信道至环境

（T = 10秒）

（注2B ）

符号

第（章-a）的

最大

52.1

125

单位

° C / W

记号

（注5 ）

TPC8003

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4 × 25.4 × 0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4 × 25.4 × 0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

= 24 V ，T

= 25 ° C（初始）， L = 1.0 mH的，R

= 25

= 13 A

注4 ： Reptitve评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

●

在标记的左下角显示引脚1 。

※

每周的代码：

（三位数）

制造周

（ 01年第一周：连续数达52或53 ）

制造年份

（每年的最后一位数字）

2004-07-06

TPC8003

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±16 V, V

= 0 V

= 30 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 10 V，I

= 1毫安

= 4 V，I

= 6.5 A

= 10 V，I

= 6.5 A

= 10 V，I

= 6.5 A

民

—

0.8

—

10.5

—

典型值。

—

8.3

5.4

4380

500

890

最大

±10

—

2.5

—

单位

开启时间

开关时间

下降时间

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

≈

24 V, V

= 10 V，I

= 13 A

—

235

—

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

反向漏

当前

脉冲（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

—

= 13 A，V

= 0 V

民

—

典型值。

—

最大

1.2

单位

正向电压（二极管）

2004-07-06

TPC8003

2004-07-06

TPC8003

2004-07-06

TPC8003

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSII ）

TPC8003

锂离子电池应用

便携式设备的应用

笔记本电脑应用

占地面积小，因小而薄的封装

: R

DS （ ON）

= 5.4毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 21 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 10 μA （最大值）（V

= 30 V)

增强型： V

= 0.8~2.5 V (V

= 10 V，I

= 1 mA）的

低漏源导通电阻

单位：mm

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流

脉冲

（注1 ）

（T = 10秒）

（注2A ）

（T = 10秒）

（注2B ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

2.4

1.0

220

0.24

150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-6J1B

漏极功耗

重0.080克（典型值）。

单脉冲雪崩能量

（注3）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（注2A ）（注4 ）

通道温度

存储温度范围

电路CON组fi guration

注1 ，注2 ，注3和注4 ：参见下页。

此晶体管是静电感应装置。请处理好与

慎用。

2004-07-06

TPC8003

热特性

特征

耐热性，信道至环境

（T = 10秒）

（注2A ）

耐热性，信道至环境

（T = 10秒）

（注2B ）

符号

第（章-a）的

最大

52.1

125

单位

° C / W

记号

（注5 ）

TPC8003

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4 × 25.4 × 0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4 × 25.4 × 0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

= 24 V ，T

= 25 ° C（初始）， L = 1.0 mH的，R

= 25

= 13 A

注4 ： Reptitve评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

●

在标记的左下角显示引脚1 。

※

每周的代码：

（三位数）

制造周

（ 01年第一周：连续数达52或53 ）

制造年份

（每年的最后一位数字）

2004-07-06

TPC8003

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

= ±16 V, V

= 0 V

= 30 V, V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 0 V

= 10 mA时， V

= 10 V，I

= 1毫安

= 4 V，I

= 6.5 A

= 10 V，I

= 6.5 A

= 10 V，I

= 6.5 A

民

—

0.8

—

10.5

—

典型值。

—

8.3

5.4

4380

500

890

最大

±10

—

2.5

—

单位

开启时间

开关时间

下降时间

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

≈

24 V, V

= 10 V，I

= 13 A

—

235

—

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

反向漏

当前

脉冲（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

—

= 13 A，V

= 0 V

民

—

典型值。

—

最大

1.2

单位

正向电压（二极管）

2004-07-06

TPC8003

2004-07-06

TPC8003

2004-07-06