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TPC6108

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSⅢ ）

TPC6108

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

占地面积小，因小而薄的封装

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 50毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 7.4 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

μA （最大值）（V

增强模型： V

0.8

2.0

V，I

毫安）

暂定

单位：mm

最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 k)

栅源电压

漏电流

脉冲

漏极功耗（T

5 s)

漏极功耗（T

5 s)

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

在双操作单个设备的价值

（注意图2a ，图3b ，5）

通道温度

存储温度范围

（注1 ）

（注2A ）

（注2B ）

（注4 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

4.5

2.2

0.7

1.3

2.25

0.22

150

55~150

单位

漏

门

来源

漏

JEDEC

―

2-3T1A

JEITA

东芝

重量： 0.011克（典型值）。

电路CON组fi guration

°C

热特性

特征

耐热性，信道至环境（叔

5 s)

（注2A ）

耐热性，信道至环境（叔

5 s)

（注2B ）

符号

最大

单位

第（章-a）的

56.8

° C / W

第（章-a）的

178.5

° C / W

注：对于（注1 ）（注2 ）（注3 ）（注4 ）和（注5 ），请参考

到下一个页面。

此晶体管是静电敏感器件。请处理好与

慎用。

2004-10-28

TPC6108

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅源charge1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

gs1

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

4.7

0 V

= 2.2

OUT

6.8

= 10

V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±16

V, V

0 V

= 30

V, V

0 V

= 10

毫安，V

0 V

= 10

毫安，V

20 V

= 10

V，I

1毫安

= 4.5

V，I

= 2.2

= 10

V，I

= 2.2

= 10

V，I

= 2.2

暂定

民

0.8

3.7

典型值。

7.4

570

3.5

1.8

2.5

最大

±10

2.0

100

单位

税

＆ LT ;

1%, t

V, V

= 10

= 4.5

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

= 4.5

A，V

0 V

民

典型值。

最大

1.2

单位

2004-10-28

TPC6108

标记（注5 ）

很多代码（月）

批号（每周代码）

暂定

S3H

产品特定的代码

批号

（年）

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

产品型号

（或缩写代码）

针＃ 1

注1 ：确保通道温度不超过150 。

注2 ：（1）装置安装在玻璃环氧基板（一）（叔

5 s)

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）（叔

5 s)

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

= 24

V，T

25 ° C（初始），L

0.2 mH的，R

-2.25 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

●

在标记的左下角显示引脚1 。

2004-10-28

TPC6108

暂定

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

030619EAA

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权

东芝或其它。

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市

文件应在客户自己的风险进行。

东芝产品不应被嵌入到禁止要生产的下游产品

现卖，根据任何法律和法规。

2004-10-28

TPC6108

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（ U- MOSⅥ ）

TPC6108

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

占地面积小，因小而薄的封装

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 50毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 7.4 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

μA

（最大值）（Ⅴ

增强型： V

0.8

2.0

V (V

V，I

毫安）

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

脉冲

（注1 ）

（注2A ）

（注2B ）

（注3）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

±20

4.5

2.2

0.7

1.3

2.25

0.22

150

单位

漏

门

来源

漏

漏极功耗（T

5 s)

漏极功耗（T

5 s)

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-3T1A

重复性雪崩能量

在双操作单个设备的价值

（注4 ）

通道温度

存储温度范围

重量： 0.011克（典型值）。

注意：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道至环境（叔

5 s)

（注2A ）

耐热性，信道至环境（叔

5 s)

（注2B ）

符号

第（章-a）的

最大

56.8

178.5

单位

° C / W

电路CON组fi guration

注意：对于注释1至5，参见第3页。

注意：该晶体管是静电敏感器件。小心轻放。

2008-12-04

TPC6108

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅源charge1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

gs1

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

4.7

= 2.2

OUT

6.8

= 10

V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±16

V, V

0 V

= 30

V, V

0 V

= 10

毫安，V

0 V

= 10

毫安，V

20 V

= 10

V，I

1毫安

= 4.5

V，I

= 2.2

= 10

V，I

= 2.2

= 10

V，I

= 2.2

民

0.8

3.7

≈ 24

V, V

≈ 10

= 4.5

典型值。

7.4

570

3.5

1.8

2.5

最大

±10

2.0

100

单位

μA

mΩ

≈ 15

税

≤

1%, t

μs

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

= 4.5

A，V

0 V

民

典型值。

最大

1.2

单位

2008-12-04

TPC6108

记号

（注5 ）

很多代码（月）

批号（每周代码）

产品型号

（或缩写代码）

S3H

产品特定的代码

批号

（年）

A线指示

领导

（以Pb计） - 免费包

针＃ 1

注1 ：确保通道温度不超过150 。

注2 ：（1）装置安装在玻璃环氧基板（一）（叔

5 s)

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）（叔

5 s)

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

= 24

V，T

25 ° C（初始），L

0.2 mH的，R

Ω,

-2.25 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

●

该型号标志的左下方显示引脚1 。

2008-12-04

TPC6108

– V

4.5

3.5

常见的来源

25°C

脉冲测试

2.8

3.5

– V

常见的来源

25°C

脉冲测试

(A)

4.5

漏电流

2.4

VGS

= 2.2V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

漏电流

2.6

2.8

2.6

2.4

VGS

= 2.2V

漏源电压

VDS

(V)

漏源电压

VDS

(V)

– V

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

= 55°C

100

1.0

– V

常见的来源

25°C

脉冲测试

(V)

VDS

漏源电压

0.8

ID （ A）

0.6

= 4.5

0.4

2.2

0.2

1.1

漏电流

栅源电压

VGS

(V)

栅源电压

VGS

(V)

| – I

100

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

= 55°C

100

1000

DS （ ON）

– I

正向转移导纳

(S)

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

100

VGS

= 4.5

常见的来源

25°C

脉冲测试

0.1

100

0.1

100

漏极电流ID （ A）

2008-12-04

TPC6108

DS （ ON）

150

常见的来源

脉冲测试

100

常见的来源

25°C

脉冲测试

反向漏电流IDR （ A）

漏源导通电阻

DS （ ON）

(

μΩ)

= 1.1/2.2/4.5

100

VGS

= 4.5

= 1.1/2.2/4.5

VGS

= 10

120

160

0.1

0.2

0.4

0.6

VGS

0 V

0.8

1.0

1.2

环境温度Ta （C ）

漏源电压

VDS

(V)

电容 - V

10000

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

2.0

（PF ）

1000

电容C

西塞

栅极阈值电压

VTH （V）的

1.6

1.2

100

科斯

0.8

常见的来源

VGS

= 10

= 1

脉冲测试

120

160

CRSS

0.4

0.1

100

漏源电压

VDS

(V)

环境温度Ta （C ）

2.5

(1) t

（1）设备安装在一

玻璃环氧基板（一）（注2a）的

（ 2）设备安装在一

玻璃环氧基板（二）（注2b）的

动态输入/输出

特征

漏极功耗

PD （W）的

VDS

2.0

VDS

VDD

= 24

1.5

（ 1）直流

1.0

(2) t

0.5

漏源电压

VGS

（ 2）直流

120

160

常见的来源

= 4.5

25°C

脉冲测试

环境温度Ta （C ）

总栅极电荷Qg （ NC）

2008-12-04

栅源电压

VGS （ V）

(V)