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TPC6107

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSIV ）

TPC6107

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

占地面积小，因小而薄的封装

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 40毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

fs

| = 9.6 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

=

10

μA （最大值）（V

DS

=

20

V)

增强模型： V

th

=

0.5

to

1.2

V

(V

DS

=

10

V，I

D

=

200

A)

单位：mm

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

=

20 k)

栅源电压

漏电流

漏极功耗

DC

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

P

D

E

AS

I

AR

（注4 ）

E

AR

T

ch

T

英镑

等级

20

±12

4.5

18

2.2

0.7

1.3

2.25

0.22

150

55

150

单位

V

A

脉冲（注1 ）

(t

=

5 s)

（注2A ）

(t

=

5 s)

（注2B ）

JEDEC

W

mJ

A

mJ

°C

2-3T1A

JEITA

东芝

重量： 0.011克（典型值）。

单脉冲雪崩能量（注3 ）

雪崩电流

重复性雪崩能量

通道温度

存储温度范围

注意：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道至环境

(t

=

5 s)

（注2A ）

耐热性，信道至环境

(t

=

5 s)

（注2B ）

符号

R

第（章-a）的

R

第（章-a）的

最大

56.8

178.5

单位

° C / W

电路CON组fi guration

6

5

4

注：（注1 ）（注2 ）（注3 ）（注4 ）和（注5 ）：参见下页。

此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。

1

2

3

1

2006-11-17

TPC6107

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSX

V

th

R

DS （ ON）

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs

Q

gd

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

V

GS

0 V

5

V

4.7

V

DS

= 10

V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

测试条件

V

GS

= ±10

V, V

DS

=

0 V

V

DS

= 20

V, V

GS

=

0 V

I

D

= 10

毫安，V

GS

=

0 V

I

D

= 10

毫安，V

GS

=

12 V

V

DS

= 10

V，I

D

= 200 A

V

GS

= 2

V，I

D

= 2.2

A

V

GS

= 2.5

V，I

D

= 2.2

A

V

GS

= 4.5

V，I

D

= 2.2

A

V

DS

= 10

V，I

D

= 2.2

A

民

20

8

0.5

4.8

I

D

= 2.2

A

V

OUT

R

L

=

4.5

V

DD

16

V, V

GS

= 5

V,

I

D

= 4.5

A

典型值。

110

70

40

9.6

680

130

140

6

16

38

85

9.8

2

3

最大

±10

10

1.2

180

100

55

ns

nC

pF

S

m

单位

A

V

DD

10

V

税

＆ LT ;

1%, t

w

=

10

s

=

源极 - 漏极额定值和特性

（大

=

25°C)

特征

脉冲漏极电流反向

正向电压（二极管）

（注1 ）

符号

I

DRP

V

DSF

测试条件

I

DR

= 4.5

A，V

GS

=

0 V

民

典型值。

最大

18

1.2

单位

A

V

记号

（注5 ）

很多代码（月）

LOT号

产品型号

（或缩写代码）

S3G

产品特定的代码

批号

（年）

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

针＃ 1

2

2006-11-17

TPC6107

注1 ：

确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：（1）装置安装在玻璃环氧基板（一）（叔

=

5 s)

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）（叔

=

5 s)

FR-4

25.4

×

25.4

×

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

×

25.4

×

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

DD

=

16 V ，T

ch

=

25 ° C（初始），L

=

0.2 mH的，R

G

=

25

,

I

AR

= 2.25

A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

在标记的左下角显示引脚1 。

3

2006-11-17

TPC6107

I

D

– V

DS

5

V

2.5

V

3

V

4

V

2.0

V

常见的来源

Ta

=

25℃脉冲测试

1.9

V

10

I

D

– V

DS

2.3

V

5

V

4

V

3

V

6

2.5

V

1.9

V

4

1.8

V

1.7

V

2

1.6

V

2.0

V

2.2

V

常见的来源

Ta

=

25℃脉冲测试

漏电流I

D

(A)

1.8

V

3

1.7

V

2

1.6

V

1

1.5

V

VGS

= 1.4

V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

漏电流I

D

(A)

4

8

0

VGS

= 1.4

V

1

2

3

4

5

漏源电压

V

DS

(V)

漏源电压

V

DS

(V)

I

D

– V

GS

10

常见的来源

VDS

= 10

V

脉冲测试

1.0

V

DS

– V

GS

常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

8

(V)

0.8

漏电流I

D

(A)

漏源电压

6

V

DS

0.6

4

0.4

2

25°C

0.2

1.1

A

2.2

A

ID

= 4.5

A

100°C

0

0.5

1.0

1.5

Ta

= 55°C

2.0

2.5

0

2

4

6

8

10

栅源电压V

GS

(V)

栅源电压V

GS

(V)

|Y

fs

| – I

D

(S)

100

常见的来源

VDS

= 10

V

脉冲测试

Ta

= 55°C

25°C

10

100°C

3

1000

R

DS （ ON）

– I

D

常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

正向转移导纳| Y

fs

|

30

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(m)

300

2.0

V

100

2.5

V

VGS

= 4.5

V

30

1

0.3

0.1

0.3

1

3

10

30

100

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

4

2006-11-17

TPC6107

R

DS （ ON）

- TA

200

常见的来源

100

I

DR

– V

DS

常见的来源

Ta

=

25°C

脉冲测试

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(m)

脉冲测试

150

ID

= 2.2

A

1.1

A

VGS

= 2.0

V

100

4.5

A

(A)

反向漏电流I

DR

30

10

4

V

3

2

V

1

V

2.5

V

50

2.2

A,

1.1

A

VGS

= 0

V

4.5

A,

2.2

A,

1.1

A

4.5

V

0

80

40

0

40

80

120

160

0.3

0.1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

环境温度

Ta

(

°

C)

漏源电压

V

DS

(V)

- V

DS

10000

2.0

V

th

- TA

常见的来源

栅极阈值电压V

th

(V)

3000

1.6

（PF ）

VDS

= 10

V

ID

= 200 A

脉冲测试

1000

电容C

西塞

1.2

300

科斯

100

常见的来源

Ta

=

25°C

30

f

=

1兆赫

VGS

=

0 V

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

CRSS

0.8

0.4

0

80

40

0

40

80

120

160

漏源电压

V

DS

(V)

环境温度

Ta

(

°

C)

P

D

- TA

2.5

30

动态输入/输出

特征

V

DS

(V)

常见的来源

ID

= 4.5

A

Ta

=

25°C

脉冲测试

12

(W)

漏极功耗P

D

1.5

（ 1）直流

1.0

(2) t

=

5 s

0.5

（ 2）直流

漏源电压

（ 2）设备安装在一

玻璃环氧基板（二）

（注2B ）

20

VDS

15

8

V

8

6

10

4

V

VDD

= 16

V

4

5

VGS

0

2

0

40

80

120

160

5

10

15

0

20

环境温度

Ta

(

°

C)

总栅极电荷Q

g

（ NC ）

5

2006-11-17

栅源电压V

GS

2.0

25

10

(V)

(1) t

=

5 s

（1）设备安装在一

玻璃环氧树脂板（一）

（注2A ）