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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第879页 > TPC6103
TPC6103
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U - MOS III ）
TPC6103
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 29毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 13 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
12
V)
增强型： V
th
=
0.5
to
1.2
V
(V
DS
=
10
V，I
D
=
200
A)
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
漏极功耗
漏极功耗
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
12
12
±8
5.5
22
2.2
0.7
5.3
2.75
0.22
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
(t
=
5 s)
（注2A ）
(t
=
5 s)
（注2B ）
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3T1A
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复雪崩能量（注4 ）
通道温度
存储温度范围
重量： 0.011克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道至
环境（T
=
5 s)
（注2A ）
耐热性，信道至
环境（T
=
5 s)
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
56.8
178.5
单位
° C / W
° C / W
电路CON组fi guration
6
5
4
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ：参见下页。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2
3
1
2006-11-16
TPC6103
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
t
on
0V
5
V
4.7
I
D
= 2.8
A
V
OUT
R
L
=
2.1
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±8
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 12
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
8 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 200 A
V
GS
= 1.8
V，I
D
= 1.4
A
V
GS
= 2.5
V，I
D
= 2.8
A
V
GS
= 4.5
V，I
D
= 2.8
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 2.8
A
民
12
4
0.5
6.5
V
DD
10
V, V
GS
= 5
V,
I
D
= 5.5
A
典型值。
65
42
29
13
1520
330
380
9.5
16
28
74
20
15
5
最大
±10
10
1.2
90
55
35
ns
nC
pF
S
m
单位
A
A
V
V
V
DD
6
V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏
当前
脉冲（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
—
I
DR
= 5.5
A，V
GS
=
0 V
民
—
—
典型值。
—
—
最大
22
1.2
单位
A
V
正向电压（二极管）
2
2006-11-16
TPC6103
记号
（注5 ）
很多代码（月）
LOT号
产品型号
（或缩写代码）
S3C
产品特定的代码
批号
（年）
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
针＃ 1
注1 ：
确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：（1）装置安装在玻璃环氧基板（一） （叔
=
5 s)
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二） （叔
=
5 s)
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= 10
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.5 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
= 2.75
A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
3
2006-11-16
TPC6103
I
D
– V
DS
5
5
1.8
1.9
2.5
4
2
3
4, 4.5
1.6
3
10
1.7
8
2.5
3
2
I
D
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
1.9
(A)
(A)
5
4
6
1.8
I
D
漏电流
漏电流
I
D
1.7
4
1.6
2
VGS
= 1.4
V
0
0
1
2
3
4
5
2
1.5
1
VGS
= 1.4
V
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
10
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
1
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
8
(V)
V
DS
100°C
0.8
I
D
(A)
6
4
25°C
2
Ta
= 55°C
0
0
漏源电压
0.6
漏电流
0.4
0.2
1.1
A
ID
= 4.5
A
2.2
A
2
4
6
8
10
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
1
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
(S)
|Y
fs
|
30
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
Ta
= 55°C
0.3
正向转移导纳
10
100°C
3
25°C
0.1
1.8
V
2.5
V
0.03
VGS
= 4.5
V
1
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
4
2006-11-16
TPC6103
R
DS （ ON）
- TA
160
常见的来源
脉冲测试
100
I
DR
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
120
I
DR
(A)
反向漏电流
30
80
VGS
= 1.8
V
ID
= 1.4A
40
2.5
V
4.5
V
0
80
40
0
40
2.8
A
5.5
A
2.8
A
10
2.0
1.8
4.5
ID
= 1.4A
3
1
VGS
=
0 V
ID
= 1.4
A,
2.8
A,
5.5
A
80
120
160
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度
Ta
(
°
C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
2.0
V
th
- TA
常见的来源
VDS
= 10
V
ID
= 200 A
脉冲测试
3000
V
th
(V)
栅极阈值电压
100
30
（PF ）
西塞
1000
科斯
CRSS
1.5
C
电容
300
1.0
100
常见的来源
Ta
=
25°C
f
=
1兆赫
VGS
=
0 V
0.3
1
3
10
0.5
30
10
0.1
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
环境温度
Ta
(
°
C)
P
D
- TA
2.5
(1) t
=
5 s
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
（ 1）直流
1
(2) t
=
5 s
0.5
（ 2）直流
0
0
20
动态输入/输出特性
10
常见的来源
ID
= 5.5
A
16
Ta
=
25°C
脉冲测试
2.5
V
12
6
VDD
= 10
V
VDD
= 10
V
8
5
4
2.5
V
0
0
0
40
2
5
V
4
VGS
(W)
(V)
2
8
漏极功耗
漏源电压
40
80
120
160
8
16
24
32
环境温度
Ta
(
°
C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
5
2006-11-16
栅源电压
1.5
V
GS
(V)
P
D
V
DS
TPC6103
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U - MOS III ）
TPC6103
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 29毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 13 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
12
V)
增强型： V
th
=
0.5
to
1.2
V
(V
DS
=
10
V，I
D
=
200
A)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
漏极功耗
漏极功耗
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
12
12
±8
5.5
22
2.2
0.7
5.3
2.75
0.22
150
55~150
单位
V
V
V
A
脉冲（注1 ）
(t
=
5 s)
（注2A ）
(t
=
5 s)
（注2B ）
JEDEC
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
6
5
―
―
2-3T1A
JEITA
东芝
重量： 0.011克（典型值）。
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复雪崩能量（注4 ）
通道温度
存储温度范围
电路CON组fi guration
4
热特性
特征
耐热性，信道至
环境（T
=
5 s)
（注2A ）
耐热性，信道至
环境（T
=
5 s)
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
56.8
178.5
单位
° C / W
° C / W
1
2
3
注1 ， （ OTE 2 ，注3 ，注4和注5 ：参见下页。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2004-07-06
TPC6103
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
t
on
0V
5
V
4.7
I
D
= 2.8
A
V
OUT
R
L
=
2.1
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±8
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 12
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
8 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 200 A
V
GS
= 1.8
V，I
D
= 1.4
A
V
GS
= 2.5
V，I
D
= 2.8
A
V
GS
= 4.5
V，I
D
= 2.8
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 2.8
A
民
12
4
0.5
6.5
V
DD
10
V, V
GS
= 5
V,
I
D
= 5.5
A
典型值。
65
42
29
13
1520
330
380
9.5
16
28
74
20
15
5
最大
±10
10
1.2
90
55
35
ns
nC
pF
S
m
单位
A
A
V
V
V
DD
6
V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏
当前
脉冲（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
—
I
DR
= 5.5
A，V
GS
=
0 V
民
—
—
典型值。
—
—
最大
22
1.2
单位
A
V
正向电压（二极管）
2
2004-07-06
TPC6103
记号
（注5 ）
很多代码（月）
LOT号
产品型号
（或缩写代码）
S3C
产品特定的代码
批号
（年）
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
针＃ 1
注1 ：
确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：（1）装置安装在玻璃环氧基板（一） （叔
=
5 s)
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二） （叔
=
5 s)
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= 10
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.5 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
= 2.75
A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
在标记的左下角显示引脚1 。
3
2004-07-06
TPC6103
I
D
– V
DS
5
5
1.8
1.9
2.5
4
2
3
4, 4.5
1.6
3
10
1.7
8
2.5
3
2
I
D
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
1.9
(A)
(A)
5
4
6
1.8
I
D
漏电流
漏电流
I
D
1.7
4
1.6
2
VGS
= 1.4
V
0
0
1
2
3
4
5
2
1.5
1
VGS
= 1.4
V
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
10
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
1
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
8
(V)
V
DS
100°C
0.8
I
D
(A)
6
4
25°C
2
Ta
= 55°C
0
0
漏源电压
0.6
漏电流
0.4
0.2
1.1
A
ID
= 4.5
A
2.2
A
2
4
6
8
10
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
1
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
(S)
|Y
fs
|
30
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
Ta
= 55°C
0.3
正向转移导纳
10
100°C
3
25°C
0.1
1.8
V
2.5
V
0.03
VGS
= 4.5
V
1
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
4
2004-07-06
TPC6103
R
DS （ ON）
- TA
160
常见的来源
脉冲测试
100
I
DR
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
120
I
DR
(A)
反向漏电流
30
80
VGS
= 1.8
V
ID
= 1.1A
40
2.5
V
4.5
V
0
80
40
0
40
2.2
A
4.5
A
2.5
A
10
2.0
1.8
4.5
ID
= 1.1A
3
1
VGS
=
0 V
ID
= 1.1
A,
2.2
A,
4.5
A
80
120
160
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度
Ta
(
°
C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
2.0
V
th
- TA
常见的来源
VDS
= 10
V
ID
= 200 A
脉冲测试
3000
V
th
(V)
栅极阈值电压
100
30
（PF ）
西塞
1000
科斯
CRSS
1.5
C
电容
300
1.0
100
常见的来源
Ta
=
25°C
f
=
1兆赫
VGS
=
0 V
0.3
1
3
10
0.5
30
10
0.1
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
环境温度
Ta
(
°
C)
P
D
- TA
2.5
(1) t
=
5 s
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
（ 1）直流
1
(2) t
=
5 s
0.5
（ 2）直流
0
0
20
动态输入/输出特性
10
常见的来源
ID
= 6
A
16
Ta
=
25°C
脉冲测试
2.5
V
12
VDD
= 10
V
VGS
(W)
(V)
2
8
漏极功耗
漏源电压
VDD
= 10
V
5
V
4
8
5
4
2.5
V
0
0
2
40
80
120
160
8
16
24
32
0
40
环境温度
Ta
(
°
C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
5
2004-07-06
栅源电压
1.5
6
V
GS
(V)
P
D
V
DS
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