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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第177页 > TPC6101
TPC6101
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSII ）
TPC6101
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 48毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 8.2 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
20
V)
增强模型： V
th
=
0.5
to
1.2
V (V
DS
=
10
V,
I
D
=
200
A)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
脉冲
（注1 ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量（注3 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
存储温度范围
（注4 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
等级
-20
-20
±12
-4.5
A
I
DP
-18
单位
V
V
V
JEDEC
JEITA
―
―
2-3T1A
P
D
2.2
W
东芝
重量： 0.011克（典型值）。
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.7
3.3
-2.25
0.22
150
-55
150
W
mJ
A
mJ
°C
°C
电路CON组fi guration
6
5
4
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2A ）
符号
R
第（章-a）的
最大
56.8
单位
1
2
3
记号
（注5 ）
° C / W
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
178.5
° C / W
S3A
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ）请参阅下一个
页。
此晶体管是静电敏感设备。请处理一下
慎用。
1
2002-01-17
TPC6101
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
0 V
-5
V
4.7
W
V
DS
= -10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= -20
V, V
GS
=
0 V
I
D
= -10
毫安，V
GS
=
0 V
I
D
= -10
毫安，V
GS
=
12 V
V
DS
= -10
V，I
D
= -200毫安
V
GS
= -2
V，I
D
= -2.2
A
V
GS
= -2.5
V，I
D
= -2.2
A
V
GS
= -4.5
V，I
D
= -2.2
A
V
DS
= -10
V，I
D
= -2.2
A
民
-20
-8
-0.5
4.1
I
D
= -2.2
A
V
OUT
R
L
=
4.5
W
典型值。
110
75
48
8.2
830
300
370
6
11
57
112
12
6
6
最大
±10
-10
-1.2
180
100
60
ns
nC
pF
S
mW
单位
mA
mA
V
V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
V
DD
~ -10
V
-
V
DD
~ -16
V, V
GS
= -5
V,
-
I
D
= -4.5
A
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= -4.5
A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
-18
1.2
单位
A
V
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）装置安装在玻璃环氧基板（一） （叔
=
5 s)
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二） （叔
=
5 s)
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
16 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.5 mH的，R
G
=
25
W,
I
AR
= -2.25
A
注4 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：黑色圆形标记
“·”
坐落于零部件数量的左下侧标“ S3A ”表示终端
No.1.
2
2002-01-17
TPC6101
I
D
– V
DS
-5
-5
V
-4
V
-4
-3
V
-2.5
V
-2.0
V
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
-1.9
V
-8
-1.8
V
-3
-10
I
D
– V
DS
-2.4
V
-2.5
V
-5
V
-4
V
-3
V
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
-2.2
V
-2.0
V
(A)
I
D
I
D
漏电流
-1.7
V
-1.6
V
(A)
-6
漏电流
-2
-4
-1.8
V
-1.6
V
-2
VGS
= -1.4
V
-1
VGS
= -1.4
V
0
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
-10
常见的来源
VDS
= -10
V
脉冲测试
-1
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
-8
(V)
V
DS
漏源电压
-0.8
I
D
(A)
-6
-0.6
-2.2
A
-0.4
漏电流
-4
-2
100°C
0
0
-0.5
25°C
Ta
= -55°C
-1.5
-2
-2.5
-0.2
-1.1
A
0
0
-2
-4
ID
= -4.5
A
-1
-6
-8
-10
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
常见的来源
VDS
= -10
V
脉冲测试
1000
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
(S)
正向转移导纳| Y
fs
|
30
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m9)
Ta
= -55°C
10
25°C
100°C
300
3
100
-2.0
V
-2.5
V
VGS
= -4.5
V
1
30
0.3
0.1
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
10
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
3
2002-01-17
TPC6101
R
DS （ ON）
- TA
180
160
常见的来源
脉冲测试
-1.1
A
ID
= -2.2
A
-100
I
DR
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m9)
140
120
100
80
60
40
-2.5
V
20
0
-80
-4.5
V
VGS
= -2.0
V
(A)
反向漏电流I
DR
-30
-4.5
A
-10
-2.2
A
-1.1
A
-1.1
A
-2.2
A
-4.5
A
-4
V
-3
-2
V
-1
0
-1
V
VGS
= -0
V
-40
0
40
80
120
160
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
周围温度Ta （
°
C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
-2.0
V
th
- TA
常见的来源
VDS
= -10
V
ID
= -200毫安
脉冲测试
3000
栅极阈值电压V
th
(V)
-100
-1.6
（PF ）
1000
西塞
科斯
CRSS
电容C
-1.2
300
-0.8
100
Ta
=
25°C
f
=
1兆赫
VGS
=
0 V
10
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
30
-0.4
0
-80
-40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
周围温度Ta （
°
C)
P
D
- TA
2.5
(1) t
=
5 s
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
（ 1）直流
1
(2) t
=
5 s
0.5
（ 2）直流
0
0
-20
动态输入/输出特性
常见的来源
ID
= -6
A
Ta
=
25°C
脉冲测试
VGS
-12
VDS
-8
-8
V
-6
-10
(W)
(V)
2
-16
-8
P
D
V
DS
漏极功耗
漏源电压
VDD
= -16
V
-4
-4
-2
40
80
120
160
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
18
周围温度Ta （
°
C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
4
2002-01-17
栅源电压
1.5
V
GS
(V)
TPC6101
r
th
-
t
w
1000
（ ° C / W）
300
100
设备安装在玻璃 -
环氧树脂板（二） （注2b）的
r
th
瞬态热阻抗
30
10
设备安装在玻璃 -
环氧树脂板（一）（注2a）的
3
1
0.3
单脉冲
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲吨
w
(s)
安全工作区
-100
-30
ID MAX（脉冲） *
1毫秒*
(A)
-10
10毫秒*
-3
-1
-0.3
-0.1
-0.03
-0.01
漏电流
I
D
*:
单脉冲
Ta
=
25°C
VDSS
最大
-1
-3
-10
-30
-100
曲线必须降低
-0.003
线性地增加
温度
-0.001
-0.01 -0.03 -0.1 -0.3
漏源电压
V
DS
(V)
5
2002-01-17
TPC6101
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSII ）
TPC6101
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 48毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 8.2 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
20
V)
增强模型： V
th
=
0.5
to
1.2
V (V
DS
=
10
V,
I
D
=
200
A)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
脉冲
（注1 ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量（注3 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
存储温度范围
（注4 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
等级
-20
-20
±12
-4.5
A
I
DP
-18
单位
V
V
V
JEDEC
JEITA
―
―
2-3T1A
P
D
2.2
W
东芝
重量： 0.011克（典型值）。
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.7
3.3
-2.25
0.22
150
-55
150
W
mJ
A
mJ
°C
°C
电路CON组fi guration
6
5
4
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2A ）
符号
R
第（章-a）的
最大
56.8
单位
1
2
3
记号
（注5 ）
° C / W
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
178.5
° C / W
S3A
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ）请参阅下一个
页。
此晶体管是静电敏感设备。请处理一下
慎用。
1
2002-01-17
TPC6101
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
0 V
-5
V
4.7
W
V
DS
= -10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= -20
V, V
GS
=
0 V
I
D
= -10
毫安，V
GS
=
0 V
I
D
= -10
毫安，V
GS
=
12 V
V
DS
= -10
V，I
D
= -200毫安
V
GS
= -2
V，I
D
= -2.2
A
V
GS
= -2.5
V，I
D
= -2.2
A
V
GS
= -4.5
V，I
D
= -2.2
A
V
DS
= -10
V，I
D
= -2.2
A
民
-20
-8
-0.5
4.1
I
D
= -2.2
A
V
OUT
R
L
=
4.5
W
典型值。
110
75
48
8.2
830
300
370
6
11
57
112
12
6
6
最大
±10
-10
-1.2
180
100
60
ns
nC
pF
S
mW
单位
mA
mA
V
V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
V
DD
~ -10
V
-
V
DD
~ -16
V, V
GS
= -5
V,
-
I
D
= -4.5
A
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= -4.5
A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
-18
1.2
单位
A
V
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）装置安装在玻璃环氧基板（一） （叔
=
5 s)
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二） （叔
=
5 s)
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
16 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.5 mH的，R
G
=
25
W,
I
AR
= -2.25
A
注4 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：黑色圆形标记
“·”
坐落于零部件数量的左下侧标“ S3A ”表示终端
No.1.
2
2002-01-17
TPC6101
I
D
– V
DS
-5
-5
V
-4
V
-4
-3
V
-2.5
V
-2.0
V
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
-1.9
V
-8
-1.8
V
-3
-10
I
D
– V
DS
-2.4
V
-2.5
V
-5
V
-4
V
-3
V
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
-2.2
V
-2.0
V
(A)
I
D
I
D
漏电流
-1.7
V
-1.6
V
(A)
-6
漏电流
-2
-4
-1.8
V
-1.6
V
-2
VGS
= -1.4
V
-1
VGS
= -1.4
V
0
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
-10
常见的来源
VDS
= -10
V
脉冲测试
-1
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
-8
(V)
V
DS
漏源电压
-0.8
I
D
(A)
-6
-0.6
-2.2
A
-0.4
漏电流
-4
-2
100°C
0
0
-0.5
25°C
Ta
= -55°C
-1.5
-2
-2.5
-0.2
-1.1
A
0
0
-2
-4
ID
= -4.5
A
-1
-6
-8
-10
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
常见的来源
VDS
= -10
V
脉冲测试
1000
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
(S)
正向转移导纳| Y
fs
|
30
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m9)
Ta
= -55°C
10
25°C
100°C
300
3
100
-2.0
V
-2.5
V
VGS
= -4.5
V
1
30
0.3
0.1
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
10
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
3
2002-01-17
TPC6101
R
DS （ ON）
- TA
180
160
常见的来源
脉冲测试
-1.1
A
ID
= -2.2
A
-100
I
DR
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m9)
140
120
100
80
60
40
-2.5
V
20
0
-80
-4.5
V
VGS
= -2.0
V
(A)
反向漏电流I
DR
-30
-4.5
A
-10
-2.2
A
-1.1
A
-1.1
A
-2.2
A
-4.5
A
-4
V
-3
-2
V
-1
0
-1
V
VGS
= -0
V
-40
0
40
80
120
160
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
周围温度Ta （
°
C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
-2.0
V
th
- TA
常见的来源
VDS
= -10
V
ID
= -200毫安
脉冲测试
3000
栅极阈值电压V
th
(V)
-100
-1.6
（PF ）
1000
西塞
科斯
CRSS
电容C
-1.2
300
-0.8
100
Ta
=
25°C
f
=
1兆赫
VGS
=
0 V
10
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
30
-0.4
0
-80
-40
0
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
周围温度Ta （
°
C)
P
D
- TA
2.5
(1) t
=
5 s
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
（ 1）直流
1
(2) t
=
5 s
0.5
（ 2）直流
0
0
-20
动态输入/输出特性
常见的来源
ID
= -6
A
Ta
=
25°C
脉冲测试
VGS
-12
VDS
-8
-8
V
-6
-10
(W)
(V)
2
-16
-8
P
D
V
DS
漏极功耗
漏源电压
VDD
= -16
V
-4
-4
-2
40
80
120
160
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
18
周围温度Ta （
°
C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
4
2002-01-17
栅源电压
1.5
V
GS
(V)
TPC6101
r
th
-
t
w
1000
（ ° C / W）
300
100
设备安装在玻璃 -
环氧树脂板（二） （注2b）的
r
th
瞬态热阻抗
30
10
设备安装在玻璃 -
环氧树脂板（一）（注2a）的
3
1
0.3
单脉冲
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲吨
w
(s)
安全工作区
-100
-30
ID MAX（脉冲） *
1毫秒*
(A)
-10
10毫秒*
-3
-1
-0.3
-0.1
-0.03
-0.01
漏电流
I
D
*:
单脉冲
Ta
=
25°C
VDSS
最大
-1
-3
-10
-30
-100
曲线必须降低
-0.003
线性地增加
温度
-0.001
-0.01 -0.03 -0.1 -0.3
漏源电压
V
DS
(V)
5
2002-01-17
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