TPC6003
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPC6003
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 19毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 7 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10 μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
增强模型： V
th
= 1.3 2.5 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
脉冲
（注1 ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量（注3 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
存储温度范围
（注4 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
等级
30
30
±20
6
A
I
DP
24
单位
V
V
V
JEDEC
W
―
―
2-3T1A
P
D
2.2
JEITA
东芝
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.7
5.8
3
0.22
150
-55
150
W
mJ
A
mJ
°C
°C
重量： 0.011克（典型值）。
电路CON组fi guration
6
5
4
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2A ）
符号
R
第（章-a）的
最大
56.8
单位
° C / W
1
2
3
记号
（注5 ）
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
178.5
° C / W
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ）请参阅下一个
页。
此晶体管是静电敏感设备。请处理一下
慎用。
S2D
1
2002-01-15
TPC6003
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
~
24 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
6 A
-
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
t
on
10 V
0V
4.7
W
I
D
=
3 A
R
L
=
5
W
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
= -20
V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
4.5 V，I
D
=
3 A
V
GS
=
10 V，I
D
=
3 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
3 A
民
30
15
1.3
3.5
V
OUT
典型值。
25
19
7
1250
155
170
5
11
9
63
25
20
5
最大
±10
10
2.5
32
24
ns
nC
pF
单位
mA
mA
V
V
mW
S
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
V
DD
~
15 V
-
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
=
6 A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
24
-1.2
单位
A
V
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
2510毫秒*
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
24 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.5 mH的，R
G
=
25
W,
I
AR
=
3.0 A
注4 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：黑色圆形标记
“·”
坐落于零部件数量的左下侧标“ S2D ”表示终端
No.1.
2
2002-01-15
TPC6003
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPC6003
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 19毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 7 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10 μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
增强模型： V
th
= 1.3 2.5 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
脉冲
（注1 ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量（注3 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
存储温度范围
（注4 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
等级
30
30
±20
6
A
I
DP
24
单位
V
V
V
JEDEC
W
―
―
2-3T1A
P
D
2.2
JEITA
东芝
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.7
5.8
3
0.22
150
-55
150
W
mJ
A
mJ
°C
°C
重量： 0.011克（典型值）。
电路CON组fi guration
6
5
4
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2A ）
符号
R
第（章-a）的
最大
56.8
单位
° C / W
1
2
3
记号
（注5 ）
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
178.5
° C / W
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ）请参阅下一个
页。
此晶体管是静电敏感设备。请处理一下
慎用。
S2D
1
2002-01-15
TPC6003
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
~
24 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
6 A
-
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
t
on
10 V
0V
4.7
W
I
D
=
3 A
R
L
=
5
W
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
= -20
V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
4.5 V，I
D
=
3 A
V
GS
=
10 V，I
D
=
3 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
3 A
民
30
15
1.3
3.5
V
OUT
典型值。
25
19
7
1250
155
170
5
11
9
63
25
20
5
最大
±10
10
2.5
32
24
ns
nC
pF
单位
mA
mA
V
V
mW
S
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
V
DD
~
15 V
-
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
=
6 A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
24
-1.2
单位
A
V
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
2510毫秒*
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
24 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.5 mH的，R
G
=
25
W,
I
AR
=
3.0 A
注4 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：黑色圆形标记
“·”
坐落于零部件数量的左下侧标“ S2D ”表示终端
No.1.
2
2002-01-15
TPC6003
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPC6003
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 19毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 7 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10 μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
增强模型： V
th
= 1.3 2.5 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
脉冲
（注1 ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量（注3 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
存储温度范围
（注4 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
等级
30
30
±20
6
A
I
DP
24
单位
V
V
V
JEDEC
W
―
―
2-3T1A
P
D
2.2
JEITA
东芝
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.7
5.8
3
0.22
150
-55
150
W
mJ
A
mJ
°C
°C
重量： 0.011克（典型值）。
电路CON组fi guration
6
5
4
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2A ）
符号
R
第（章-a）的
最大
56.8
单位
° C / W
1
2
3
记号
（注5 ）
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
178.5
° C / W
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ）请参阅下一个
页。
此晶体管是静电敏感设备。请处理一下
慎用。
S2D
1
2002-01-15
TPC6003
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
~
24 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
6 A
-
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
t
on
10 V
0V
4.7
W
I
D
=
3 A
R
L
=
5
W
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
= -20
V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
4.5 V，I
D
=
3 A
V
GS
=
10 V，I
D
=
3 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
3 A
民
30
15
1.3
3.5
V
OUT
典型值。
25
19
7
1250
155
170
5
11
9
63
25
20
5
最大
±10
10
2.5
32
24
ns
nC
pF
单位
mA
mA
V
V
mW
S
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
V
DD
~
15 V
-
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
=
6 A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
24
-1.2
单位
A
V
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
2510毫秒*
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
24 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.5 mH的，R
G
=
25
W,
I
AR
=
3.0 A
注4 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：黑色圆形标记
“·”
坐落于零部件数量的左下侧标“ S2D ”表示终端
No.1.
2
2002-01-15
TPC6003
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPC6003
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 19毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 7 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10 μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
增强型： V
th
= 1.3 2.5 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
DC
（注1 ）
脉冲
（注1 ）
(t
=
5 s)
（注2A ）
(t
=
5 s)
（注2B ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
（注4 ）
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
6
A
24
单位
V
V
V
漏电流
漏极功耗
漏极功耗
JEDEC
2.2
0.7
5.8
3
0.22
150
55
150
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
―
―
2-3T1A
JEITA
东芝
单脉冲雪崩能量（注3 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
存储温度范围
重量： 0.011克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2A ）
符号
R
第（章-a）的
最大
56.8
单位
° C / W
电路CON组fi guration
6
5
4
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
178.5
° C / W
1
2
3
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ：参见下页。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2007-01-15
TPC6003
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPC6003
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 19毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 7 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10 μA （最大值） （V
DS
= 30 V)
增强模型： V
th
= 1.3 2.5 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
脉冲
（注1 ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量（注3 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
存储温度范围
（注4 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
等级
30
30
±20
6
A
I
DP
24
单位
V
V
V
JEDEC
W
―
―
2-3T1A
P
D
2.2
JEITA
东芝
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
0.7
5.8
3
0.22
150
-55
150
W
mJ
A
mJ
°C
°C
重量： 0.011克（典型值）。
电路CON组fi guration
6
5
4
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2A ）
符号
R
第（章-a）的
最大
56.8
单位
° C / W
1
2
3
记号
（注5 ）
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
178.5
° C / W
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ）请参阅下一个
页。
此晶体管是静电敏感设备。请处理一下
慎用。
S2D
1
2002-01-15
TPC6003
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
~
24 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
6 A
-
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
t
on
10 V
0V
4.7
W
I
D
=
3 A
R
L
=
5
W
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
= -20
V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
4.5 V，I
D
=
3 A
V
GS
=
10 V，I
D
=
3 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
3 A
民
30
15
1.3
3.5
V
OUT
典型值。
25
19
7
1250
155
170
5
11
9
63
25
20
5
最大
±10
10
2.5
32
24
ns
nC
pF
单位
mA
mA
V
V
mW
S
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
ms
=
V
DD
~
15 V
-
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
=
6 A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
24
-1.2
单位
A
V
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
2510毫秒*
FR-4
25.4
25.4
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
24 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.5 mH的，R
G
=
25
W,
I
AR
=
3.0 A
注4 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：黑色圆形标记
“·”
坐落于零部件数量的左下侧标“ S2D ”表示终端
No.1.
2
2002-01-15
QQ：2881677436 复制
