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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第360页 > TPC6001
TPC6001
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSII ）
TPC6001
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 22毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 15 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10 μA （最大值） （V
DS
= 20 V)
增强型： V
th
= 0.5 1.2 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 200 A)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
漏极功耗
漏极功耗
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
6
24
2.2
0.7
5.8
3
0.22
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
(t
=
5 s)
（注2A ）
(t
=
5 s)
（注2B ）
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3T1A
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复雪崩能量（注4 ）
通道温度
存储温度范围
重量： 0.011克（典型值）。
电路CON组fi guration
6
5
4
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2A ）
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
56.8
178.5
单位
° C / W
° C / W
1
2
3
注1 ，注2 ，注3 ，注4和注5 ：参见下页。
此晶体管是静电感应装置。请慎用处理。
1
2004-07-06
TPC6001
记号
（注5 ）
很多代码（月）
LOT号
产品型号
（或缩写代码）
S2A
产品特定的代码
批号
（年）
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
针＃ 1
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
16 V, V
GS
=
5 V，I
D
=
6 A
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
5 V
0V
4.7
I
D
=
3 A
R
L
=
3.3
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
= 12
V
V
DS
=
10 V，I
D
=
200
A
V
GS
=
2.0 V，I
D
=
3 A
V
GS
=
2.5 V，I
D
=
3 A
V
GS
=
4.5 V，I
D
=
3 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
3 A
民
20
8
0.5
7.5
V
OUT
典型值。
35
28
22
15
755
172
222
6
11
32
64
15
10
5
最大
±10
10
1.2
60
45
30
ns
nC
pF
S
m
单位
A
A
V
V
V
DD
10 V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
2
2004-07-06
TPC6001
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
=
6 A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
24
1.2
单位
A
V
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
16 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.5 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
=
3.0 A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ： 。
在标记的左下角显示引脚1 。
3
2004-07-06
TPC6001
I
D
– V
DS
10
4
6
8
2.5
2
1.8
1.7
16
10
1.6
6
1.5
4
1.4
2
VGS
=
1.3 V
0
0
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
20
2.5
4.5
I
D
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
2
10, 8, 6
12
1.8
(A)
ID
漏电流
漏电流
ID
(A)
8
1.6
4
1.4
VGS
=
1.2 V
2
4
6
8
10
漏源电压
VDS
(V)
漏源电压
VDS
(V)
I
D
– V
GS
14
常见的来源
VDS
=
10 V
12
脉冲测试
0.5
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
VDS （ V）
漏源电压
0.4
ID
(A)
10
8
6
4
25°C
0.3
漏电流
0.2
ID
=
6 A
0.1
3A
1.5 A
0
0
2
100°C
0
0
0.5
1
Ta
= 55°C
1.5
2
2.5
3
2
4
6
8
10
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
100
R
DS （ ON）
– I
D
| YFS | （ S）
50
漏源导通电阻
RDS （ ON） （ MΩ）
30
正向转移导纳
Ta
= 55°C
25°C
100°C
30
2V
2.5 V
VGS
=
4.5 V
10
5
3
10
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
3
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
1
1
3
5
10
30
50
100
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
漏极电流ID
(A)
漏极电流ID
(A)
4
2004-07-06
TPC6001
R
DS （ ON）
- TA
100
常见的来源
脉冲测试
100
I
DR
– V
DS
(A)
漏源导通电阻
RDS （ ON） （ MΩ）
80
30
10 V
5V
1V
3V
VGS
=
0 V
IDR
反向漏电流
60
ID
=
3 A, 1.5 A
40
VGS
=
2 V
20
6A
10
3
1
VGS
=
2.5 V
ID
=
6 A, 3 A, 1.5 A
VGS
=
4.5 V ID
=
6 A, 3 A, 1.5 A
40
0
40
80
120
160
0.3
0
80
0.1
0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
环境温度
Ta
(
°
C)
漏源电压
VDS
(V)
电容
– V
DS
10000
1.4
V
th
- TA
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
200
A
脉冲测试
3000
（PF ）
VTH
栅极阈值电压
西塞
科斯
CRSS
(V)
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
80
1000
电容
C
300
100
常见的来源
30 VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
40
0
40
80
120
160
漏源电压
VDS
环境温度
Ta
(
°
C)
P
D
- TA
2.5
(1) t
=
5 s
30
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
（ 1）直流
1
(2) t
=
5 s
0.5
（ 2）直流
0
0
动态输入/输出特性
12
常见的来源
ID
=
6 A
Ta
=
25°C
脉冲测试
20
VDS
=
16 V
15
8V
10
VGS
5
4V
2
4
VDD
=
16 V
4V
8
(W)
(V)
2
PD
VDS
漏极功耗
漏源电压
6
40
80
120
160
0
0
4
8
12
16
20
24
0
28
环境温度
Ta
(
°
C)
总栅极电荷
Qg
（ NC ）
5
2004-07-06
栅源电压
1.5
VGS
(V)
25
8V
10
TPC6001
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSII ）
TPC6001
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 22毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 15 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10 μA （最大值） （V
DS
= 20 V)
增强型： V
th
= 0.5 1.2 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 200 A)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
漏极功耗
漏极功耗
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
6
24
2.2
0.7
5.8
3
0.22
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
(t
=
5 s)
（注2A ）
(t
=
5 s)
（注2B ）
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3T1A
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复雪崩能量（注4 ）
通道温度
存储温度范围
重量： 0.011克（典型值）。
电路CON组fi guration
6
5
4
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2A ）
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
56.8
178.5
单位
° C / W
° C / W
1
2
3
注1 ，注2 ，注3 ，注4和注5 ：参见下页。
此晶体管是静电感应装置。请慎用处理。
1
2004-07-06
TPC6001
记号
（注5 ）
很多代码（月）
LOT号
产品型号
（或缩写代码）
S2A
产品特定的代码
批号
（年）
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
针＃ 1
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
16 V, V
GS
=
5 V，I
D
=
6 A
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
V
GS
5 V
0V
4.7
I
D
=
3 A
R
L
=
3.3
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
= 12
V
V
DS
=
10 V，I
D
=
200
A
V
GS
=
2.0 V，I
D
=
3 A
V
GS
=
2.5 V，I
D
=
3 A
V
GS
=
4.5 V，I
D
=
3 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
3 A
民
20
8
0.5
7.5
V
OUT
典型值。
35
28
22
15
755
172
222
6
11
32
64
15
10
5
最大
±10
10
1.2
60
45
30
ns
nC
pF
S
m
单位
A
A
V
V
V
DD
10 V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
2
2004-07-06
TPC6001
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
=
6 A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
24
1.2
单位
A
V
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
16 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.5 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
=
3.0 A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ： 。
在标记的左下角显示引脚1 。
3
2004-07-06
TPC6001
I
D
– V
DS
10
4
6
8
2.5
2
1.8
1.7
16
10
1.6
6
1.5
4
1.4
2
VGS
=
1.3 V
0
0
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
20
2.5
4.5
I
D
– V
DS
常见的来源
Ta
=
25℃脉冲测试
2
10, 8, 6
12
1.8
(A)
ID
漏电流
漏电流
ID
(A)
8
1.6
4
1.4
VGS
=
1.2 V
2
4
6
8
10
漏源电压
VDS
(V)
漏源电压
VDS
(V)
I
D
– V
GS
14
常见的来源
VDS
=
10 V
12
脉冲测试
0.5
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
VDS （ V）
漏源电压
0.4
ID
(A)
10
8
6
4
25°C
0.3
漏电流
0.2
ID
=
6 A
0.1
3A
1.5 A
0
0
2
100°C
0
0
0.5
1
Ta
= 55°C
1.5
2
2.5
3
2
4
6
8
10
栅源电压
VGS
(V)
栅源电压
VGS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
100
R
DS （ ON）
– I
D
| YFS | （ S）
50
漏源导通电阻
RDS （ ON） （ MΩ）
30
正向转移导纳
Ta
= 55°C
25°C
100°C
30
2V
2.5 V
VGS
=
4.5 V
10
5
3
10
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
3
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
1
1
3
5
10
30
50
100
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
漏极电流ID
(A)
漏极电流ID
(A)
4
2004-07-06
TPC6001
R
DS （ ON）
- TA
100
常见的来源
脉冲测试
100
I
DR
– V
DS
(A)
漏源导通电阻
RDS （ ON） （ MΩ）
80
30
10 V
5V
1V
3V
VGS
=
0 V
IDR
反向漏电流
60
ID
=
3 A, 1.5 A
40
VGS
=
2 V
20
6A
10
3
1
VGS
=
2.5 V
ID
=
6 A, 3 A, 1.5 A
VGS
=
4.5 V ID
=
6 A, 3 A, 1.5 A
40
0
40
80
120
160
0.3
0
80
0.1
0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
环境温度
Ta
(
°
C)
漏源电压
VDS
(V)
电容
– V
DS
10000
1.4
V
th
- TA
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
200
A
脉冲测试
3000
（PF ）
VTH
栅极阈值电压
西塞
科斯
CRSS
(V)
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
80
1000
电容
C
300
100
常见的来源
30 VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
40
0
40
80
120
160
漏源电压
VDS
环境温度
Ta
(
°
C)
P
D
- TA
2.5
(1) t
=
5 s
30
（1）设备安装在一
玻璃环氧树脂板（一）
（注2A ）
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二）
（注2B ）
（ 1）直流
1
(2) t
=
5 s
0.5
（ 2）直流
0
0
动态输入/输出特性
12
常见的来源
ID
=
6 A
Ta
=
25°C
脉冲测试
20
VDS
=
16 V
15
8V
10
VGS
5
4V
2
4
VDD
=
16 V
4V
8
(W)
(V)
2
PD
VDS
漏极功耗
漏源电压
6
40
80
120
160
0
0
4
8
12
16
20
24
0
28
环境温度
Ta
(
°
C)
总栅极电荷
Qg
（ NC ）
5
2004-07-06
栅源电压
1.5
VGS
(V)
25
8V
10
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