TPA6130A2
YZH
RTJ
SLOS488A - 2006年11月 - 修订2006年12月
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138 - mW的DirectPath立体声耳机与I放大器
2
C中的卷控制
特点
的DirectPath 地为参考的输出
- 消除了输出隔直电容
- 减少电路板面积
- 减少了元件高度和成本
- 完整的低音响应无衰减
电源电压范围： 2.5 V至5.5 V
64步音量调节音量控制
高电源抑制比（ >100分贝
PSRR ）
差分输入的最大噪声
抑制（ 68分贝CMRR ）
高阻抗输出禁用时
高级咔嗒抑制
电路
–
–
–
数字I
2
C总线控制
每通道静音和开启
软件关断
多模式支持：惠普立体声，双单声道
惠普和单通道BTL操作
- 功放状态
节省空间的无铅（无铅）封装
- 20针， 4毫米×4mm的QFN
- 16球为2mm ×2mm的WCSP
ESD保护的8 kV的HBM和IEC联系
应用
手机
便携式媒体播放器
笔记本电脑
高保真的应用
描述
该TPA6130A2是一种立体声的DirectPath 耳机放大器与我
2
C数字音量控制。该TPA6130A2
具有最小的静态电流消耗，典型的我
DD
4毫安，使其成为最适合于便携式
应用程序。在我
2
空调控制允许用64步音量调节音量控制，频道最大的灵活性
独立的使能和静音，并配置输出到立体声，双单声道或单的能力
受话器BTL功放驱动300毫瓦的功率为16个
负载。
该TPA6130A2是高保真放大器98分贝的信噪比。一个PSRR可达100分贝以上使
直接对电池的连接而不会影响用户的听觉体验。 9的输出噪声
μVRMS
（典型
A计权）
提供在寂静期间的最小噪声背景下。配置差异
投入和高共模抑制比允许最大的噪声抑制在移动设备中的噪音环境。
TPA6130A2包装包括2 2毫米的晶片级封装，以及4乘4毫米QFN封装。
简化应用图
音频来源
GPIO
SD
离开了M
0.47
m
F
离开了P
0.47
m
F
右出M
0.47
m
F
右出P
0.47
m
F
CPP CPN
CPVSS
1
m
F
1
m
F
VDD
1
m
F
RIGHTINP
RIGHTINM
TPA6130A2
HPRIGHT
GND
GND
VDD
LEFTINP
LEFTINM
HPLEFT
我知道了
2
SDA ，SCL
1
m
F
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
直接路径是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
功能框图
LEFTINM
左
LEFTINP
HPLEFT
收益
控制
反流行
RIGHTINM
右
RIGHTINP
HPRIGHT
热
当前
极限
CPP
CPN
CPVSS
收费
泵
动力
管理
I2C接口
与控制
SD
SDA
SCL
VDD
GND
VDD
GND
耳机频道独立使能和静音。在我
2
C接口控制通道增益，设备
模式，并且电荷泵激活。电荷泵产生一个负电源电压的输出
放大器。这允许在0 V偏压时的输出，而无需笨重的输出电容器。热
块检测故障和损坏发生之前关闭设备。在我
2
C寄存器记录热故障
条件。当前限位块防止输出电流越来越高到足以损坏设备。
去流行块消除了在上电，掉电发声持久性有机污染物，以及放大器启用和禁用
事件。
2
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CPVSS
16
15
GND
VDD
20
19
18
17
A1
CPN
B1
HPLEFT
C1
VDD
D1
HPRIGHT
A2
CPP
B2
CPVSS
C2
GND
D2
SCL
A3
GND
B3
LEFTINP
C3
A4
VDD
B4
LEFTINM
C4
A4
VDD
B4
LEFTINM
C4
A3
GND
B3
LEFTINP
C3
A2
CPP
B2
CPVSS
C2
GND
D2
SCL
A1
CPN
B1
HPLEFT
C1
VDD
CPN
CPP
LEFTINM
LEFTINP
GND
RIGHTINP
RIGHTINM
1
CPVSS
HPLEFT
GND
VDD
HPRIGHT
2
3
4
14
13
12
T
OP VIEW
RIGHTINP RIGHTINM
D3
SDA
D4
SD
RIGHTINM RIGHTINP
D4
SD
D3
SDA
5
6
7
8
9
10
11
D1
GND
顶（记号侧）查看WCSP封装（ YZH ）
底部（球侧）查看WCSP封装（ YZH ）
顶视图QFN封装（ RTJ ）
终端功能
终奌站
名字
V
DD
GND
CPP
CPN
LEFTINM
LEFTINP
CPVSS
HPLEFT
RIGHTINM
RIGHTINP
球
WCSP
A4
A3
A2
A1
B4
B3
B2
B1
C4
C3
引脚QFN
20
19
18
17
1
2
15, 16
14
5
4
3, 9, 10,
13
12
6
7
8
11
模垫
输入/
输出/
动力
（ I / O / P）
P
P
P
P
I
I
P
O
I
I
描述
电荷泵电源。 V
DD
必须连接到普通V
DD
电压
供应量。去耦至GND （引脚19上的QFN ）与自己的1
F
电容。
电荷泵地。接地必须连接到公共电源GND 。这是
建议将此引脚去耦到V
DD
电荷泵引脚（引脚20上的
该QFN ） 。
电荷泵飞电容正极。接飞跨电容的一侧
以CPP 。
电荷泵飞电容器负极。接飞跨电容的一侧
到CPN 。
左声道负差分输入。阻抗必须匹配LEFTINP 。
采用单端输入时左输入连接到LEFTINM 。
左声道正差分输入。阻抗必须匹配LEFTINM 。 AC
地面LEFTINP附近的信号源，同时保持匹配阻抗LEFTINM
在使用单端输入。
由电荷泵产生的负电源。去耦至引脚19上的QFN或
接地平面。使用1
F
电容。
耳机的左声道输出。连接到耳机插孔左侧端。
右声道负差分输入。阻抗必须匹配RIGHTINP 。
采用单端输入时，输入正确的连接到RIGHTINM 。
右声道积极的差分输入。阻抗必须匹配RIGHTINM 。 AC
附近的信号源地RIGHTINP同时保持匹配阻抗
RIGHTINM采用单端输入时。
模拟地。必须连接到普通电源GND 。建议在此
引脚可用于分离V
DD
模拟。采用13引脚的去耦引脚12上的QFN
封装。
模拟V
DD
. V
DD
必须连接到普通V
DD
供应量。解耦与自己
1 μF电容模拟地（在引脚QFN 13 ） 。
关机。低电平有效。可承受5V输入。
SDA - 我
2
C数据。可承受5V输入。
SCL - 我
2
C时钟。可承受5V输入。
耳机的光通道输出。连接到耳机插孔的右侧端。
焊接QFN封装底部的散热焊盘的GND层
PCB 。它所需的机械稳定性，并提高热性能。
GND
V
DD
SD
SDA
SCL
HPRIGHT
热
PAD
C2
C1
D4
D3
D2
D1
不适用
P
P
I
I / O
I
O
P
GND
SDA
SCL
SD
HPRIGHT
3
TPA6130A2
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
值/单位
电源电压，V
DD
V
I
输入电压
连续输出总功率耗散
T
A
T
J
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
ESD保护
IEC接触放电ESD保护
(2)
最小负载阻抗
(1)
(2)
HBM输出引脚
HBM所有其他引脚
无需外部保护
V14MLA0603压敏电阻器用于外部保护
RIGHTINx ， LEFTINx
SD ， SCL ， SDA
0.3 V至6.0 V
= 2.7 V至3.6 V
-0.3 V至7 V
见耗散额定值表
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
-65_C到150_C
260°C
8千伏
3.5千伏
8千伏
15千伏
12.8
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
经测试符合IEC 61000-4-2标准在TPA6130A2 EVM 。
耗散额定值表
包
RTJ
YZH
(1)
(2)
T
A
≤
25°C
额定功率
4100毫瓦
970毫瓦
降额
因素
(1) (2)
41毫瓦/°C的
9.7毫瓦/°C的
T
A
= 70°C
额定功率
2250毫瓦
530毫瓦
T
A
= 85°C
额定功率
1640毫瓦
390毫瓦
降额因子与JEDEC高钾板测量： 1S2P - 一个信号层和两个平面层。
见JEDEC标准51-3的低K板， JEDEC标准51-7高-K主板，和JEDEC
标准51-12使用封装的热信息。请参阅JEDEC文档页面
下载副本：
http://www.jedec.org/download/default.cfm 。
可选项
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
包装设备
(1)
20针， 4毫米
×
4毫米QFN
16球，及2mm
×
2毫米WSCP
产品型号
TPA6130A2RTJ
(2)
TPA6130A2YZH
符号
BSG
BRU
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
在RTJ包仅提供卷带封装。如需订购，后缀“R”添加到零件编号末尾为3000的卷轴，或添加
后缀为“T”的零件编号的末尾250的卷轴（例如， TPA6130A2RTJR ） 。
推荐工作条件
民
电源电压，V
DD
V
IH
V
IL
T
A
高电平输入电压
低电平输入电压
SCL ， SDA ， SD
SCL，SDA
SD
–40
2.5
1.3
0.6
0.35
85
最大
5.5
单位
V
V
V
V
°C
工作自由空气的温度
4
TPA6130A2
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电气特性
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
| VOS |
PSRR
CMRR
|I
IH
|
|I
IL
|
输出失调电压
电源抑制比
共模抑制比
高层次的输入电流
低电平输入电流
测试条件
V
DD
= 2.5 V至5.5 V ，输入接地
V
DD
= 2.5 V至5.5 V ，输入接地
V
DD
= 2.5 V至5.5 V
V
DD
= 5.5 V, V
I
= V
DD
V
DD
= 5.5 V, V
I
= 0 V
V
DD
= 2.5 V至5.5 V ， SD = V
DD
关断模式下，V
DD
= 2.5V至5.5V ， SD = 0 V
I
DD
电源电流
SW关断模式下，V
DD
= 2.5V至5.5V ， SWS = 1
包括HP放大器禁用，V
DD
= 2.5V至5.5 V ，
SWS = 0 ，电荷泵启用， SD = V
DD
SCL，SDA
SD
SCL ， SDA ， SD
4
0.4
25
1.4
民
TYP MAX
150
–109
–68
1
10
1
6
1
75
2.5
400
–90
单位
V
dB
dB
A
A
mA
A
A
mA
时序特性
(1) (2)
对于我
2
C接口的信号在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
f
SCL
t
瓦特（H）的
t
瓦特（L）的
t
su1
t
h1
t
（ BUF ）
t
su2
t
h2
t
su3
(1)
(2)
频率， SCL
脉冲持续时间， SCL为高电平
脉冲持续时间， SCL为低电平
建立时间， SDA到SCL
保持时间， SCL到SDA
停止和启动条件之间的总线空闲时间
建立时间， SCL启动条件
保持时间，启动条件SCL
建立时间， SCL停止条件
V
引体向上
= V
DD
一个上拉电阻
≤2
kΩ的需要5 V I
2
C总线电压。
总重量（H ）
SCL
总重量（L）的
测试条件
无等待状态
民
0.6
1.3
300
10
1.3
0.6
0.6
0.6
典型值
最大
400
单位
千赫
s
s
ns
ns
s
s
s
s
吨SU1
SDA
th1
图1. SCL和SDA时序
5
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138 - mW的DirectPath立体声耳机与I放大器
2
C中的卷控制
特点
的DirectPath 地为参考的输出
- 消除了输出隔直电容
- 减少电路板面积
- 减少了元件高度和成本
- 完整的低音响应无衰减
电源电压范围： 2.5 V至5.5 V
64步音量调节音量控制
高电源抑制比（ >100分贝
PSRR ）
差分输入的最大噪声
抑制（ 68分贝CMRR ）
高阻抗输出禁用时
高级咔嗒抑制
电路
–
–
–
数字I
2
C总线控制
每通道静音和开启
软件关断
多模式支持：惠普立体声，双单声道
惠普和单通道BTL操作
- 功放状态
节省空间的无铅（无铅）封装
- 20针， 4毫米×4mm的QFN
- 16球为2mm ×2mm的WCSP
ESD保护的8 kV的HBM和IEC联系
应用
手机
便携式媒体播放器
笔记本电脑
高保真的应用
描述
该TPA6130A2是一种立体声的DirectPath 耳机放大器与我
2
C数字音量控制。该TPA6130A2
具有最小的静态电流消耗，典型的我
DD
4毫安，使其成为最适合于便携式
应用程序。在我
2
空调控制允许用64步音量调节音量控制，频道最大的灵活性
独立的使能和静音，并配置输出到立体声，双单声道或单的能力
受话器BTL功放驱动300毫瓦的功率为16个
负载。
该TPA6130A2是高保真放大器98分贝的信噪比。一个PSRR可达100分贝以上使
直接对电池的连接而不会影响用户的听觉体验。 9的输出噪声
μVRMS
（典型
A计权）
提供在寂静期间的最小噪声背景下。配置差异
投入和高共模抑制比允许最大的噪声抑制在移动设备中的噪音环境。
TPA6130A2包装包括2 2毫米的晶片级封装，以及4乘4毫米QFN封装。
简化应用图
音频来源
GPIO
SD
离开了M
0.47
m
F
离开了P
0.47
m
F
右出M
0.47
m
F
右出P
0.47
m
F
CPP CPN
CPVSS
1
m
F
1
m
F
VDD
1
m
F
RIGHTINP
RIGHTINM
TPA6130A2
HPRIGHT
GND
GND
VDD
LEFTINP
LEFTINM
HPLEFT
我知道了
2
SDA ，SCL
1
m
F
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
直接路径是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
TPA6130A2
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SLOS488A - 2006年11月 - 修订2006年12月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
功能框图
LEFTINM
左
LEFTINP
HPLEFT
收益
控制
反流行
RIGHTINM
右
RIGHTINP
HPRIGHT
热
当前
极限
CPP
CPN
CPVSS
收费
泵
动力
管理
I2C接口
与控制
SD
SDA
SCL
VDD
GND
VDD
GND
耳机频道独立使能和静音。在我
2
C接口控制通道增益，设备
模式，并且电荷泵激活。电荷泵产生一个负电源电压的输出
放大器。这允许在0 V偏压时的输出，而无需笨重的输出电容器。热
块检测故障和损坏发生之前关闭设备。在我
2
C寄存器记录热故障
条件。当前限位块防止输出电流越来越高到足以损坏设备。
去流行块消除了在上电，掉电发声持久性有机污染物，以及放大器启用和禁用
事件。
2
TPA6130A2
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SLOS488A - 2006年11月 - 修订2006年12月
CPVSS
16
15
GND
VDD
20
19
18
17
A1
CPN
B1
HPLEFT
C1
VDD
D1
HPRIGHT
A2
CPP
B2
CPVSS
C2
GND
D2
SCL
A3
GND
B3
LEFTINP
C3
A4
VDD
B4
LEFTINM
C4
A4
VDD
B4
LEFTINM
C4
A3
GND
B3
LEFTINP
C3
A2
CPP
B2
CPVSS
C2
GND
D2
SCL
A1
CPN
B1
HPLEFT
C1
VDD
CPN
CPP
LEFTINM
LEFTINP
GND
RIGHTINP
RIGHTINM
1
CPVSS
HPLEFT
GND
VDD
HPRIGHT
2
3
4
14
13
12
T
OP VIEW
RIGHTINP RIGHTINM
D3
SDA
D4
SD
RIGHTINM RIGHTINP
D4
SD
D3
SDA
5
6
7
8
9
10
11
D1
GND
顶（记号侧）查看WCSP封装（ YZH ）
底部（球侧）查看WCSP封装（ YZH ）
顶视图QFN封装（ RTJ ）
终端功能
终奌站
名字
V
DD
GND
CPP
CPN
LEFTINM
LEFTINP
CPVSS
HPLEFT
RIGHTINM
RIGHTINP
球
WCSP
A4
A3
A2
A1
B4
B3
B2
B1
C4
C3
引脚QFN
20
19
18
17
1
2
15, 16
14
5
4
3, 9, 10,
13
12
6
7
8
11
模垫
输入/
输出/
动力
（ I / O / P）
P
P
P
P
I
I
P
O
I
I
描述
电荷泵电源。 V
DD
必须连接到普通V
DD
电压
供应量。去耦至GND （引脚19上的QFN ）与自己的1
F
电容。
电荷泵地。接地必须连接到公共电源GND 。这是
建议将此引脚去耦到V
DD
电荷泵引脚（引脚20上的
该QFN ） 。
电荷泵飞电容正极。接飞跨电容的一侧
以CPP 。
电荷泵飞电容器负极。接飞跨电容的一侧
到CPN 。
左声道负差分输入。阻抗必须匹配LEFTINP 。
采用单端输入时左输入连接到LEFTINM 。
左声道正差分输入。阻抗必须匹配LEFTINM 。 AC
地面LEFTINP附近的信号源，同时保持匹配阻抗LEFTINM
在使用单端输入。
由电荷泵产生的负电源。去耦至引脚19上的QFN或
接地平面。使用1
F
电容。
耳机的左声道输出。连接到耳机插孔左侧端。
右声道负差分输入。阻抗必须匹配RIGHTINP 。
采用单端输入时，输入正确的连接到RIGHTINM 。
右声道积极的差分输入。阻抗必须匹配RIGHTINM 。 AC
附近的信号源地RIGHTINP同时保持匹配阻抗
RIGHTINM采用单端输入时。
模拟地。必须连接到普通电源GND 。建议在此
引脚可用于分离V
DD
模拟。采用13引脚的去耦引脚12上的QFN
封装。
模拟V
DD
. V
DD
必须连接到普通V
DD
供应量。解耦与自己
1 μF电容模拟地（在引脚QFN 13 ） 。
关机。低电平有效。可承受5V输入。
SDA - 我
2
C数据。可承受5V输入。
SCL - 我
2
C时钟。可承受5V输入。
耳机的光通道输出。连接到耳机插孔的右侧端。
焊接QFN封装底部的散热焊盘的GND层
PCB 。它所需的机械稳定性，并提高热性能。
GND
V
DD
SD
SDA
SCL
HPRIGHT
热
PAD
C2
C1
D4
D3
D2
D1
不适用
P
P
I
I / O
I
O
P
GND
SDA
SCL
SD
HPRIGHT
3
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
值/单位
电源电压，V
DD
V
I
输入电压
连续输出总功率耗散
T
A
T
J
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
ESD保护
IEC接触放电ESD保护
(2)
最小负载阻抗
(1)
(2)
HBM输出引脚
HBM所有其他引脚
无需外部保护
V14MLA0603压敏电阻器用于外部保护
RIGHTINx ， LEFTINx
SD ， SCL ， SDA
0.3 V至6.0 V
= 2.7 V至3.6 V
-0.3 V至7 V
见耗散额定值表
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
-65_C到150_C
260°C
8千伏
3.5千伏
8千伏
15千伏
12.8
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
经测试符合IEC 61000-4-2标准在TPA6130A2 EVM 。
耗散额定值表
包
RTJ
YZH
(1)
(2)
T
A
≤
25°C
额定功率
4100毫瓦
970毫瓦
降额
因素
(1) (2)
41毫瓦/°C的
9.7毫瓦/°C的
T
A
= 70°C
额定功率
2250毫瓦
530毫瓦
T
A
= 85°C
额定功率
1640毫瓦
390毫瓦
降额因子与JEDEC高钾板测量： 1S2P - 一个信号层和两个平面层。
见JEDEC标准51-3的低K板， JEDEC标准51-7高-K主板，和JEDEC
标准51-12使用封装的热信息。请参阅JEDEC文档页面
下载副本：
http://www.jedec.org/download/default.cfm 。
可选项
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
包装设备
(1)
20针， 4毫米
×
4毫米QFN
16球，及2mm
×
2毫米WSCP
产品型号
TPA6130A2RTJ
(2)
TPA6130A2YZH
符号
BSG
BRU
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
在RTJ包仅提供卷带封装。如需订购，后缀“R”添加到零件编号末尾为3000的卷轴，或添加
后缀为“T”的零件编号的末尾250的卷轴（例如， TPA6130A2RTJR ） 。
推荐工作条件
民
电源电压，V
DD
V
IH
V
IL
T
A
高电平输入电压
低电平输入电压
SCL ， SDA ， SD
SCL，SDA
SD
–40
2.5
1.3
0.6
0.35
85
最大
5.5
单位
V
V
V
V
°C
工作自由空气的温度
4
TPA6130A2
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电气特性
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
| VOS |
PSRR
CMRR
|I
IH
|
|I
IL
|
输出失调电压
电源抑制比
共模抑制比
高层次的输入电流
低电平输入电流
测试条件
V
DD
= 2.5 V至5.5 V ，输入接地
V
DD
= 2.5 V至5.5 V ，输入接地
V
DD
= 2.5 V至5.5 V
V
DD
= 5.5 V, V
I
= V
DD
V
DD
= 5.5 V, V
I
= 0 V
V
DD
= 2.5 V至5.5 V ， SD = V
DD
关断模式下，V
DD
= 2.5V至5.5V ， SD = 0 V
I
DD
电源电流
SW关断模式下，V
DD
= 2.5V至5.5V ， SWS = 1
包括HP放大器禁用，V
DD
= 2.5V至5.5 V ，
SWS = 0 ，电荷泵启用， SD = V
DD
SCL，SDA
SD
SCL ， SDA ， SD
4
0.4
25
1.4
民
TYP MAX
150
–109
–68
1
10
1
6
1
75
2.5
400
–90
单位
V
dB
dB
A
A
mA
A
A
mA
时序特性
(1) (2)
对于我
2
C接口的信号在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
f
SCL
t
瓦特（H）的
t
瓦特（L）的
t
su1
t
h1
t
（ BUF ）
t
su2
t
h2
t
su3
(1)
(2)
频率， SCL
脉冲持续时间， SCL为高电平
脉冲持续时间， SCL为低电平
建立时间， SDA到SCL
保持时间， SCL到SDA
停止和启动条件之间的总线空闲时间
建立时间， SCL启动条件
保持时间，启动条件SCL
建立时间， SCL停止条件
V
引体向上
= V
DD
一个上拉电阻
≤2
kΩ的需要5 V I
2
C总线电压。
总重量（H ）
SCL
总重量（L）的
测试条件
无等待状态
民
0.6
1.3
300
10
1.3
0.6
0.6
0.6
典型值
最大
400
单位
千赫
s
s
ns
ns
s
s
s
s
吨SU1
SDA
th1
图1. SCL和SDA时序
5
TPA6130A2
YZH
RTJ
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138 - mW的DirectPath立体声耳机与I放大器
2
C中的卷控制
特点
的DirectPath 地为参考的输出
- 消除了输出隔直电容
- 减少电路板面积
- 减少了元件高度和成本
- 完整的低音响应无衰减
电源电压范围： 2.5 V至5.5 V
64步音量调节音量控制
高电源抑制比（ >100分贝
PSRR ）
差分输入的最大噪声
抑制（ 68分贝CMRR ）
高阻抗输出禁用时
高级咔嗒抑制
电路
–
–
–
数字I
2
C总线控制
每通道静音和开启
软件关断
多模式支持：惠普立体声，双单声道
惠普和单通道BTL操作
- 功放状态
节省空间的无铅（无铅）封装
- 20针， 4毫米×4mm的QFN
- 16球为2mm ×2mm的WCSP
ESD保护的8 kV的HBM和IEC联系
应用
手机
便携式媒体播放器
笔记本电脑
高保真的应用
描述
该TPA6130A2是一种立体声的DirectPath 耳机放大器与我
2
C数字音量控制。该TPA6130A2
具有最小的静态电流消耗，典型的我
DD
4毫安，使其成为最适合于便携式
应用程序。在我
2
空调控制允许用64步音量调节音量控制，频道最大的灵活性
独立的使能和静音，并配置输出到立体声，双单声道或单的能力
受话器BTL功放驱动300毫瓦的功率为16个
负载。
该TPA6130A2是高保真放大器98分贝的信噪比。一个PSRR可达100分贝以上使
直接对电池的连接而不会影响用户的听觉体验。 9的输出噪声
μVRMS
（典型
A计权）
提供在寂静期间的最小噪声背景下。配置差异
投入和高共模抑制比允许最大的噪声抑制在移动设备中的噪音环境。
TPA6130A2包装包括2 2毫米的晶片级封装，以及4乘4毫米QFN封装。
简化应用图
音频来源
GPIO
SD
离开了M
0.47
m
F
离开了P
0.47
m
F
右出M
0.47
m
F
右出P
0.47
m
F
CPP CPN
CPVSS
1
m
F
1
m
F
VDD
1
m
F
RIGHTINP
RIGHTINM
TPA6130A2
HPRIGHT
GND
GND
VDD
LEFTINP
LEFTINM
HPLEFT
我知道了
2
SDA ，SCL
1
m
F
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
直接路径是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
功能框图
LEFTINM
左
LEFTINP
HPLEFT
收益
控制
反流行
RIGHTINM
右
RIGHTINP
HPRIGHT
热
当前
极限
CPP
CPN
CPVSS
收费
泵
动力
管理
I2C接口
与控制
SD
SDA
SCL
VDD
GND
VDD
GND
耳机频道独立使能和静音。在我
2
C接口控制通道增益，设备
模式，并且电荷泵激活。电荷泵产生一个负电源电压的输出
放大器。这允许在0 V偏压时的输出，而无需笨重的输出电容器。热
块检测故障和损坏发生之前关闭设备。在我
2
C寄存器记录热故障
条件。当前限位块防止输出电流越来越高到足以损坏设备。
去流行块消除了在上电，掉电发声持久性有机污染物，以及放大器启用和禁用
事件。
2
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CPVSS
16
15
GND
VDD
20
19
18
17
A1
CPN
B1
HPLEFT
C1
VDD
D1
HPRIGHT
A2
CPP
B2
CPVSS
C2
GND
D2
SCL
A3
GND
B3
LEFTINP
C3
A4
VDD
B4
LEFTINM
C4
A4
VDD
B4
LEFTINM
C4
A3
GND
B3
LEFTINP
C3
A2
CPP
B2
CPVSS
C2
GND
D2
SCL
A1
CPN
B1
HPLEFT
C1
VDD
CPN
CPP
LEFTINM
LEFTINP
GND
RIGHTINP
RIGHTINM
1
CPVSS
HPLEFT
GND
VDD
HPRIGHT
2
3
4
14
13
12
T
OP VIEW
RIGHTINP RIGHTINM
D3
SDA
D4
SD
RIGHTINM RIGHTINP
D4
SD
D3
SDA
5
6
7
8
9
10
11
D1
GND
顶（记号侧）查看WCSP封装（ YZH ）
底部（球侧）查看WCSP封装（ YZH ）
顶视图QFN封装（ RTJ ）
终端功能
终奌站
名字
V
DD
GND
CPP
CPN
LEFTINM
LEFTINP
CPVSS
HPLEFT
RIGHTINM
RIGHTINP
球
WCSP
A4
A3
A2
A1
B4
B3
B2
B1
C4
C3
引脚QFN
20
19
18
17
1
2
15, 16
14
5
4
3, 9, 10,
13
12
6
7
8
11
模垫
输入/
输出/
动力
（ I / O / P）
P
P
P
P
I
I
P
O
I
I
描述
电荷泵电源。 V
DD
必须连接到普通V
DD
电压
供应量。去耦至GND （引脚19上的QFN ）与自己的1
F
电容。
电荷泵地。接地必须连接到公共电源GND 。这是
建议将此引脚去耦到V
DD
电荷泵引脚（引脚20上的
该QFN ） 。
电荷泵飞电容正极。接飞跨电容的一侧
以CPP 。
电荷泵飞电容器负极。接飞跨电容的一侧
到CPN 。
左声道负差分输入。阻抗必须匹配LEFTINP 。
采用单端输入时左输入连接到LEFTINM 。
左声道正差分输入。阻抗必须匹配LEFTINM 。 AC
地面LEFTINP附近的信号源，同时保持匹配阻抗LEFTINM
在使用单端输入。
由电荷泵产生的负电源。去耦至引脚19上的QFN或
接地平面。使用1
F
电容。
耳机的左声道输出。连接到耳机插孔左侧端。
右声道负差分输入。阻抗必须匹配RIGHTINP 。
采用单端输入时，输入正确的连接到RIGHTINM 。
右声道积极的差分输入。阻抗必须匹配RIGHTINM 。 AC
附近的信号源地RIGHTINP同时保持匹配阻抗
RIGHTINM采用单端输入时。
模拟地。必须连接到普通电源GND 。建议在此
引脚可用于分离V
DD
模拟。采用13引脚的去耦引脚12上的QFN
封装。
模拟V
DD
. V
DD
必须连接到普通V
DD
供应量。解耦与自己
1 μF电容模拟地（在引脚QFN 13 ） 。
关机。低电平有效。可承受5V输入。
SDA - 我
2
C数据。可承受5V输入。
SCL - 我
2
C时钟。可承受5V输入。
耳机的光通道输出。连接到耳机插孔的右侧端。
焊接QFN封装底部的散热焊盘的GND层
PCB 。它所需的机械稳定性，并提高热性能。
GND
V
DD
SD
SDA
SCL
HPRIGHT
热
PAD
C2
C1
D4
D3
D2
D1
不适用
P
P
I
I / O
I
O
P
GND
SDA
SCL
SD
HPRIGHT
3
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
值/单位
电源电压，V
DD
V
I
输入电压
连续输出总功率耗散
T
A
T
J
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
ESD保护
IEC接触放电ESD保护
(2)
最小负载阻抗
(1)
(2)
HBM输出引脚
HBM所有其他引脚
无需外部保护
V14MLA0603压敏电阻器用于外部保护
RIGHTINx ， LEFTINx
SD ， SCL ， SDA
0.3 V至6.0 V
= 2.7 V至3.6 V
-0.3 V至7 V
见耗散额定值表
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
-65_C到150_C
260°C
8千伏
3.5千伏
8千伏
15千伏
12.8
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
经测试符合IEC 61000-4-2标准在TPA6130A2 EVM 。
耗散额定值表
包
RTJ
YZH
(1)
(2)
T
A
≤
25°C
额定功率
4100毫瓦
970毫瓦
降额
因素
(1) (2)
41毫瓦/°C的
9.7毫瓦/°C的
T
A
= 70°C
额定功率
2250毫瓦
530毫瓦
T
A
= 85°C
额定功率
1640毫瓦
390毫瓦
降额因子与JEDEC高钾板测量： 1S2P - 一个信号层和两个平面层。
见JEDEC标准51-3的低K板， JEDEC标准51-7高-K主板，和JEDEC
标准51-12使用封装的热信息。请参阅JEDEC文档页面
下载副本：
http://www.jedec.org/download/default.cfm 。
可选项
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
包装设备
(1)
20针， 4毫米
×
4毫米QFN
16球，及2mm
×
2毫米WSCP
产品型号
TPA6130A2RTJ
(2)
TPA6130A2YZH
符号
BSG
BRU
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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在RTJ包仅提供卷带封装。如需订购，后缀“R”添加到零件编号末尾为3000的卷轴，或添加
后缀为“T”的零件编号的末尾250的卷轴（例如， TPA6130A2RTJR ） 。
推荐工作条件
民
电源电压，V
DD
V
IH
V
IL
T
A
高电平输入电压
低电平输入电压
SCL ， SDA ， SD
SCL，SDA
SD
–40
2.5
1.3
0.6
0.35
85
最大
5.5
单位
V
V
V
V
°C
工作自由空气的温度
4
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电气特性
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
| VOS |
PSRR
CMRR
|I
IH
|
|I
IL
|
输出失调电压
电源抑制比
共模抑制比
高层次的输入电流
低电平输入电流
测试条件
V
DD
= 2.5 V至5.5 V ，输入接地
V
DD
= 2.5 V至5.5 V ，输入接地
V
DD
= 2.5 V至5.5 V
V
DD
= 5.5 V, V
I
= V
DD
V
DD
= 5.5 V, V
I
= 0 V
V
DD
= 2.5 V至5.5 V ， SD = V
DD
关断模式下，V
DD
= 2.5V至5.5V ， SD = 0 V
I
DD
电源电流
SW关断模式下，V
DD
= 2.5V至5.5V ， SWS = 1
包括HP放大器禁用，V
DD
= 2.5V至5.5 V ，
SWS = 0 ，电荷泵启用， SD = V
DD
SCL，SDA
SD
SCL ， SDA ， SD
4
0.4
25
1.4
民
TYP MAX
150
–109
–68
1
10
1
6
1
75
2.5
400
–90
单位
V
dB
dB
A
A
mA
A
A
mA
时序特性
(1) (2)
对于我
2
C接口的信号在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
f
SCL
t
瓦特（H）的
t
瓦特（L）的
t
su1
t
h1
t
（ BUF ）
t
su2
t
h2
t
su3
(1)
(2)
频率， SCL
脉冲持续时间， SCL为高电平
脉冲持续时间， SCL为低电平
建立时间， SDA到SCL
保持时间， SCL到SDA
停止和启动条件之间的总线空闲时间
建立时间， SCL启动条件
保持时间，启动条件SCL
建立时间， SCL停止条件
V
引体向上
= V
DD
一个上拉电阻
≤2
kΩ的需要5 V I
2
C总线电压。
总重量（H ）
SCL
总重量（L）的
测试条件
无等待状态
民
0.6
1.3
300
10
1.3
0.6
0.6
0.6
典型值
最大
400
单位
千赫
s
s
ns
ns
s
s
s
s
吨SU1
SDA
th1
图1. SCL和SDA时序
5
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