TP5322
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
特点
高输入阻抗
低门槛
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
低输入和输出泄漏
无二次击穿
互补N和P沟道器件
概述
Supertex公司TP5322是一个低门槛enhancement-
模式（常关），采用了先进的垂直晶体管
DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生了一种装置
与双极晶体管的功率处理能力
并用高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特征全部
MOS结构，该设备不受热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
高击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
电池供电系统
光伏设备
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
订购信息
封装选项
TO-236AB
1
TP5322K1
TP5322K1-G
TO-243AA
2
TP5322N8
TP5322N8-G
BV
DSS
/ BV
DGS
-220V
R
DS （ ON）
（最大）
12Ω
V
GS （ TH）
（最大）
-2.4V
I
D（上）
（分钟）
-0.7A
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
注意事项：
1
同SOT- 23 ，
2
同SOT- 89 。
产品标识为TO- 236AB ：
P3C
哪里
= 2个星期的α-日期代码
产品标识为TO- 243AA ：
TP3C
哪里
= 2个星期的α-日期代码
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度
3
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
销刀豆网络gurations
漏
D
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏可能
发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续运行
该设备在绝对评价等级会影响器件的可靠性。所有的电压都是
参考器件接地。
3
为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
门
来源
G
D
S
TO-236AB
（ TOP VIEW ）
TO-243AA
（ TOP VIEW ）
TP5322
热特性
包
TO-236AB
TO-243AA
I
D
（连续）
1
-0.12A
-0.26A
I
D
（脉冲的）
-0.70A
-0.90A
功耗
@T
C
= 25
O
C
0.36W
1.6W
2
Θ
jc
(
O
C / W ）
200
15
Θ
jc
(
O
C / W ）
350
78
2
I
DR1
-0.12A
-0.26A
I
DRM
-0.7A
-0.9A
注意事项：
1. I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
2.安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显着的P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
符号
参数
民
典型值
最大
单位
条件
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
I
GSS
I
D（ SS ）
I
D（上）
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
静态漏 - 源极导通状态
阻力
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
-220
-1.0
-
-
-
-
-0.7
-
-
-
-
-
-
-
-0.95
10
8.0
-
-2.4
4.5
-100
-10
-1.0
-
15
12
1.7
-
110
45
20
V
V
毫伏/
O
C
nA
A
mA
A
Ω
%/
O
C
mmho
pF
V
GS
= 0V时，我
D
= -2.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
=最大额定值，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -100mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -200mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -200mA
V
DS
= -25V ，我
D
= -200mA
V
GS
= 0V,
V
DS
= -25V,
F = 1MHz的
V
DD
= -25V,
I
D
= -0.7A,
R
根
= 25,
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
250
-
-
-
-
-
300
10
15
20
15
-1.8
-
V
ns
ns
注意事项：
1.全直流参数100％测试25
O
C除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
输入
R
根
D.U.T.
产量
R
L
10%
t
（上）
t
D（上）
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
V
DD
2
TP5322
3引脚TO- 236AB （ SOT -23 ）封装外形（ K1 ）
0.0173 ± 0.0027
(0.4394 ± 0.0685)
0.0906 ± 0.0079
(2.299 ± 0.199)
1
3
0.0512 ± 0.004
2
(1.3004 ± 0.1016)
测量图例=
0.0207 ± 0.003
尺寸以英寸
（单位：毫米）
0.0754 ± 0.0053
(1.915 ± 0.135)
(0.5257 ± 0.0762)
顶视图
0.115 ± 0.005
(2.920 ± 0.121)
0.0400 ± 0.007
(1.016 ± 0.178)
0.0210 ± 0.003
(0.5334 ± 0.076)
0.0382 ± 0.003
(0.9690 ± 0.0762)
0.0043 ± 0.0009
(0.1092 ± 0.0229)
0.0035 ± 0.0025
(0.0889 ± 0.0635)
0.0197
(0.50)
喃
SIDE VIEW
端视图
3
TP5322
3引脚TO - 243AA （ SOT- 89 ）表面贴装封装（ N8 ）
4.50 ± 0.10
1.72 ± 0.10
0.40 ± 0.05
禁区
1.50 ± 0.10
4.10 ± 0.15
2.45 ± 0.15
2.21 ± 0.08
在没有过孔/痕迹
这个区域。形状
垫可能会发生变化。
1.05 ± 0.15
0.42 ± 0.06
1.50 BSC
3.00 BSC
0.5 ± 0.06
顶视图
SIDE VIEW
底部视图
注意事项：
所有尺寸的单位均为毫米;各个角度的度数。
（包图纸（S ）本数据表可能不会再FL ECT最新的特定连接的阳离子。如需最近的封装外形
信息，请访问
http://www.supertex.com/packaging.html 。 ）
DOC 。 ＃ DSFP - TP5322
A032807
4
TP5322
TP5322
初始版本
P沟道增强模式
垂直的DMOS FET
特点
!
!
!
!
!
!
!
!
门槛低， -2.4V最大。
高输入阻抗
低输入电容， 110pFmax 。
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
概述
这些低阈增强模式（常关）
晶体管采用了先进的垂直DMOS结构，
Supertex公司的成熟的硅栅制造工艺。这
结合生产设备的功率处理
双极晶体管和具有高的输入能力
阻抗和固有的MOS正温度系数
设备。所有MOS结构的特征，这些设备
无热失控和热诱导的二次
击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于宽
开关和放大的应用范围，其中非常低
阈值电压，高的击穿电压，高输入
阻抗，低输入电容，和快速的开关速度
所需。
应用
!
!
!
!
!
!
逻辑电平接口，适用于TTL和CMOS
电池供电系统
光伏设备
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
D
D
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度****
****为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
G
D
S
G
S
TO-243AA
(SOT-89)*
TO-236AB
(SOT-23)*
* "Green"认证套餐
产品SOT- 89标
订购信息
订单号码/套餐
TO-243AA**
TP5322N8
TP5322N8-G*
TO-236AB***
TP5322K1
TP5322K1-G*
BV
DSS
/
BV
DGS
-220V
-220V
R
DS （ ON）
（最大）
12
12
V
GS （ TH）
（最大）
-2.4V
-2.4V
I
D（上）
（分钟）
-0.7A
-0.7A
TP3C
哪里
=2-week
阿尔法日期代码
产品标识为SOT- 23
P3C
哪里
=2-week
阿尔法日期代码
**同SOT- 89 。产品供应在2000年一块载带卷盘。
***同SOT-23封装。产品的3000片载带卷盘供应。
A042005
1
第3版
2004年9月14日
TP5322
热特性
包
TO-243AA
TO-236AB
I
D
（连续）
-0.26A
-0.12A
I
D
（脉冲的）
-0.90A
-0.70A
功耗@
T
A
= 25°C
1.6W
0.36W
θ
JC
° C / W
15
200
θ
JA
° C / W
78**
350
I
DR
*
-0.26A
-0.12A
I
DRM
-0.9A
-0.7A
*I
D
（连）由最大额定限制TJ 。
**安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著PD增长可能在陶瓷子状态。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
民
-220
-1.0
典型值
最大
-2.4
4.5
-100
-10
-1.0
-0.95
10
8.0
250
110
45
20
10
15
20
15
-1.8
300
15
12
1.7
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
A
%/°C
mmho
pF
ns
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -2mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1mA
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最大
评级，T
A
= 125°C
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -100mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -200mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -200mA
V
DS
= -25V ，我
D
= -200mA
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V
F = 1MHz的
V
DD
= -25V,
I
D
= -0.7A
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
-0.7
100
V
ns
注意事项：
1）所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲以2 ％的占空比）。
2 ）所有AC参数样本进行测试。
开关波形和测试电路
0V
输入
-10V
t
（上）
t
D（上）
0V
产量
V
DD
R
L
V
DD
t
r
t
（关闭）
t
D（关闭）
t
f
输入
脉冲
发电机
R
根
D.U.T
产量
DOC 。 ＃ DSFP - TP5322
A042005
2
第3版
2004年9月14日
QQ：2881677436 复制
