【1 - MBIT （ 128K ×8）BOOT BLOCK FLASH MEMORY28F001BX】,IC型号TP28F001BX-T90,TP28F001BX-T90 PDF资料,TP28F001BX-T90经销商,ic,电子元器件-51电子网

1 - MBIT （ 128K ×8）

BOOT BLOCK FLASH MEMORY

28F001BX -T 28F001BX -B 28F001BN -T 28F001BN -B

高集成度阻塞架构

一个8 KB的引导块瓦特锁闭

两个4 KB参数块

一个112 KB的主座

100000擦除程序周期每

块

简化编程和擦除

通过片上自动算法

写状态机（ WSM ）

SRAM兼容写接口

深度掉电模式

0 05

典型

0 8

典型

12 0V

5% V

高性能读

70 75纳秒90纳秒120 ns的150纳秒

最大访问时间

5 0V

10% V

硬件数据保护功能

擦除功率在写锁定

TRANSITIONS

先进的封装符合JEDEC引脚排列

32引脚PDIP

32引脚PLCC封装TSOP

ETOX

二非易失性闪存

技术

EPROM兼容的加工基地

大批量制造

经验

扩展温度选项

英特尔28F001BX -B和28F001BX -T组合的Intel标准闪存的成本效益

功能，简化写入和允许块擦除这些设备相结合，帮助系统设计人员

几个组件功能为一体的决策引导块闪光的创新替代EPROM和

EEPROM或电池备份的静态RAM许多新的和现有的设计可以利用的

28F001BX一体化受阻架构的自动化电气重新规划和标准处理器

接口

该28F001BX - B和28F001BX -T是1 048 576位非易失性存储器组织为131 072字节

8位，他们均提供32引脚塑料DIP 32引脚PLCC和32引脚TSOP封装的引脚分配

符合JEDEC标准的字节宽度的EPROM中，这些器件采用一个集成的命令端口和

状态机的简化块擦除和字节重新编程28F001BX - T的块位置亲

与高内存启动，如英特尔的微处理器和微控制器兼容韦迪

MCS -186系列80286 I386

i486

i860

和80960CA完全相同的内存分割

在28F001BX -B内存映射是专为从低内存启动微处理器和微控制器

如Intel的MCS- 51 MCS -196 80960KX和80960SX家庭的所有其他功能都是相同的，除非

另有说明，术语28F001BX可以指设备在整个本文件的其余部分

引导块部分包括重新编程写入锁定功能，以保证数据的完整性据

设计包含安全代码，将弹出系统最小和代码下载到其他

该28F001BX英特尔28F001BX的位置采用了先进的CMOS电路用于要求高的系统

性能存取速度低功耗和对噪声的抗扰度及其访问时间提供

为各种微处理器和微控制器深断电无等待状态的表现

模式降低功耗0 25

通过V典型

在笔记本电脑的手持仪器的关键

心理状态和其它低功耗应用的RP电源控制输入也提供了绝对的数据保护

系统上电或断电时化

英特尔的ETOX加工基地生产的28F001BX建立在多年的经验， EPROM产生的

的质量可靠性和成本效益最高水平

记

该28F001BN相当于28F001BX

其他品牌和名称是其各自所有者的财产

本文档中的信息均与英特尔产品相关的英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何专利或

版权销售英特尔产品和使用，除非在英特尔的条款和条件出售此类产品的英特尔保留作出正确的规定

修改这些参数，恕不另行通知微电脑产品随时可能有轻微的变化，以本规范勘误表

版权

英特尔公司1995年

1995年11月

订单号290406-007

28F001BX -T 28F001BX -B

290406 –1

图1 28F001BX框图

表1引脚说明

符号

–A

-DQ

TYPE

输入

产量

名称和功能

地址输入

内存地址的地址是在内部锁存

一个写周期

数据输入输出

在内存写入的输入数据和命令

在存储状态寄存器和标识符周期输出数据读取周期的

数据引脚为高电平有效和浮动三态时关闭芯片被取消或

输出被禁止的数据在写周期期间内部锁存

芯片使能

激活该设备的控制逻辑的输入缓存器的解码器和

感测放大器CE为低电平有效CE高取消选择的存储设备和

降低功耗的待机水平

断电

将器件置于深省电模式RP为低电平有效

RP高门正常运行RP

允许引导的程序设计

块RP也锁定了擦除或写入时，低电平有效提供数据业务

在电源转换RP主动复位内部自动化退出保障

从深层关机设置设备来读取阵列模式

OUTPUT ENABLE

通过数据缓冲器在一个栅极上的设备的输出

读周期OE是低电平有效OE

（脉冲的）允许的编程

BOOT BLOCK

写使能

控制写入命令寄存器和阵列模块WE

是低电平有效的地址和数据被锁存，在WE脉冲的上升沿

擦除程序电源

用于擦除该阵列的块或

编程的每个块的字节注意用v

PPL

最大内存内容

不能被改变

器件电源

(5V

10%)

地

输入

GND

28F001BX -T 28F001BX -B

28F010

GND

290406 – 2

28F010

图2 DIP引脚配置

28F010

GND

290406– 3

图3 TSOP引脚配置

28F001BX -T 28F001BX -B

290406– 4

图4 PLCC引脚配置

应用

该28F001BX闪光“引导块”记忆垫片

非挥发性在系统中的电擦除和

英特尔的标准闪存重新编程能力

通过提供四个独立可擦除块和英特

光栅的状态机来控制擦除和亲

克功能的专业阻挡architec-

自命的28F001BX的自动化编程

提供了一个全功能的非挥发性快闪记忆体

适用于广泛的应用，包括个人电脑

开机BIOS内存最小芯片嵌入式亲

程序存储器和参数数据存储

28F001BX结合了硬件的亲的安全

三的灵活性tected 8 KB的引导块

另外可再编程模块（两个4 KB的纸张

rameter块和一个112 KB的代码块）到

一台多功能高性价比的闪存加成

盟友重新编程一块不影响代码

存储在另一个块确保数据的完整性

闪速存储器的灵活性降低了成本

在整个设计的生命周期期间的早期

制度的生命闪存阶段减少亲

的toType开发和测试时间允许

系统设计者来修改系统软件elec-

trically与手动删除组件能很好地协同

荷兰国际集团生产的闪存提供灵活的固件内

洁具为刚刚在时间配置降低系统

库存和消除不必要的处理和

不太可靠的连接，嵌在后期的生活

周期时，软件更新或代码''错误''是

往往不可预知的和昂贵的闪存reduc-

通过允许制造商ES更新费用

送软盘更新与技术人员Alterna-

tively远程更新，通过通信链路是

可能速度高达9600波特，由于闪光灯

内存的快速编程时间

28F001BX -T 28F001BX -B

可重新编程的环境，如per-

SONAL电脑是理想的应用

28F001BX内部状态机提供

类似SRAM的计时程序并使用擦除

命令和状态寄存器阻塞

方案允许BIOS更新，在主，参

同时还提供了恢复代码的ETER块

万一停电引导块OC-

更新或者在小人BIOS代码被损

rupted参数块还提供了方便的

配置存储备份SRAM和电池

EISA配置的系统，例如可以

在闪光灯参数存储的硬件配置

阻断降低了系统的SRAM

笔记本电脑的BIOS也日趋复杂

用加入了电源管理软件

和扩展系统设置程序屏幕BIOS代码

复杂性增加了代码更新的潜力

出售，但笔记本电脑的紧凑DE-后

迹象使得硬件更新速度非常昂贵的引导

区块快闪记忆体提供了一种廉价的更新

解决方案的笔记本电脑，同时降低笔记本obsoles-

萤光对于便携式计算机和手持设备

深省电模式大大降低了系

在OP-缓慢的时期统电源要求

关合作或睡眠模式

该28F001BX给出了嵌入式系统设计 -

呃几个功能所需的内部状态马

折角降低外部代码献给大小

在擦除和编程算法以及释放

所述微控制器或微处理器，以响应

在程序和擦除等系统的请求

四大块允许的逻辑分割

整个嵌入式软件为8- K字节的块

引导代码的主要亲的112千字节的块

克码和两个4千字节块的更新

参数数据存储诊断信息和

数据或任一引导代码或扩展亲

克码引导块的硬件保护

防止未经授权或写它的关键代码擦除

在该领域进一步的省电模式也锁

出擦除或写入操作提供了绝对的

系统上电或电源时的数据保护

失此硬件保护提供了AD-明显

vantages安全相关的应用中，如

军事运输和医疗的28F001BX

非常适合最小芯片嵌入式应用

系统蒸发散，从通信到汽车

290406 –5

图5 28F001BX -T在80C188系统

290406 –6

图6 28F001BX -B在80C51系统