TP2635/TP2640
P-沟道增强型
垂直的DMOS场效应管
特点
低门槛 - -2.0V最大。
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
概述
这些低阈增强模式（常关）
晶体管采用垂直DMOS结构和Supertex公司
成熟的硅栅的制造工艺。这
结合生产设备的功率处理
双极晶体管和具有高的输入能力
阻抗和正温度COEF网络cient固有
在MOS器件。所有MOS结构的特点，
这些设备是无热失控和热
诱发二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
栅极至源极电压
工作和存储温度
焊接温度
1
销刀豆网络gurations
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
SGD
NC
NC
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
TO-92
（ TOP VIEW ）
SO-8
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
注： 1 。
为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
订购信息
设备
封装选项
SO-8
-
-
TP2640LG
TP2640LG-G
TO-92
TP2635N3
TP2635N3-G
TP2640N3
TP2640N3-G
BV
DSS
/ BV
DGS
-350V
R
DS （ ON）
（最大）
15Ω
V
GS （ TH）
（最大）
-2.0V
I
D（上）
（分钟）
-0.7A
TP2635
TP2640
-400V
15Ω
-2.0V
-0.7A
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
1
TP2635/TP2640
热特性
套餐一
D
（连续）
1
I
D
（脉冲的）
SO-8
TO-92
-210mA
-180mA
-1.25A
-0.8A
功耗
@T
C
= 25
O
C
1.3W
2
1.0W
Θ
jc
(
O
C / W ）
24
125
Θ
jc
(
O
C / W ）
96
2
170
I
DR1
210mA
-180mA
I
DRM
-1.25A
-0.8A
注意事项：
1. I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
2.安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米
电气特性
（T = 25° C除非另有规定编）
J
符号
参数
民
典型值
最大
单位
条件
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
I
GSS
漏极至源极突破性
电压下降
栅极阈值电压
TP2640
TP2635
-400
-350
-0.8
-
-
-
-
-
-
-2.0
5
-100
-1.0
-10.0
-1.0
V
V
毫伏/
O
C
nA
A
A
mA
A
Ω
%/
O
C
m
Ω
V
GS
= 0V时，我
D
= -2.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= -100V, V
GS
= 0V
V
DS
=最大额定值，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -200mA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -150mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -300mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -300mA
V
DS
= -25V ，我
D
= -300mA
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V ， F = 1MHz的
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
I
DSS
零栅极电压漏极电流
-
-
I
D（上）
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源极导通状态
阻力
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
0.7
-
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
11
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
-
15
15
15
0.75
-
300
50
12
10
15
60
40
-1.8
-
pF
ns
V
DD
= 25V ，我
D
= 2.0A,
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 200毫安
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.0A
V
ns
注意事项：
1.全直流参数在25℃经过100％测试，除非另有说明。 （脉冲测试： 300秒脉冲， 2 ％占空比）
2.所有参数交流采样测试。
N沟道开关波形和测试电路
0V
10%
脉冲
发电机
90%
t
（上）
R
根
输入
-10V
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
输入
t
D（上）
0V
D.U.T.
产量
R
L
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
V
DD
2
TP2635/TP2640
8引脚SOIC封装外形（ LG）
4.90 ± 0.10
8
6.00 ± 0.20
3.90 ± 0.10
注2
1
顶视图
0.17 - 0.25
1.75最大
1.25敏
5° - 15°
（ 4 PLC）的
45°
0.25 - 0.50
注2
0° - 8°
0.10 - 0.25
1.27BSC
0.40 - 1.27
0.31 - 0.51
SIDE VIEW
注意事项：
1.以毫米为单位所有尺寸。角度。
2.如果在角落里不倒角，那么引脚1标识符
必须位于该区域之内的指示。
端视图
3引脚TO- 92封装外形（ N3 ）
0.135 MIN
0.125 - 0.165
0.080 - 0.105
1
2
3
底部视图
0.175 - 0.205
0.170 - 0.210
1 2 3
飞机座位
0.500 MIN
0.014 - 0.022
0.014 - 0.022
0.045 - 0.055
0.095 - 0.105
前视图
SIDE VIEW
注意事项：
所有尺寸的单位均为毫米;各个角度的度数。
（包图纸（S ）本数据表可能不会再FL ECT最新的特定连接的阳离子。如需最近的封装外形
信息，请访问
http://www.supertex.com/packaging.html 。 ）
DOC 。 ＃ DSFP ， TP2635_TP2640
C032807
5
QQ：2880707522 复制
