TP2535
TP2540
低门槛
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-350V
-400V
R
DS （ ON）
（最大）
25
25
V
GS （ TH）
（最大）
-2.4V
-2.4V
I
D（上）
（分钟）
-0.4A
-0.4A
订单号码/套餐
TO-92
TP2535N3
TP2540N3
TO-243AA*
—
TP2540N8
DIE
—
TP2540ND
*
同SOT- 89 。
产品供应在2000年一块载带卷盘。
MIL视觉筛选可用。
产品标识为TO- 243AA
特点
低门槛 - -2.4V最大。
高输入阻抗
低输入电容 - 125pF最大。
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
TP5D
哪里
= 2个星期的α-日期代码
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
D
G
D
S
S摹
TO-243AA
(SOT-89)
TO-92
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
注：请参阅尺寸封装外形部分。
11/12/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
TP2535/TP2540
热特性
包
TO-92
TO-243AA
I
D
（连续） *
-86mA
-125mA
I
D
（脉冲的）
-0.6A
-1.2A
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.74W
1.6W
θ
jc
°
C / W
125
15
θ
ja
°
C / W
170
78
I
DR
*
-86mA
-125mA
I
DRM
-0.6A
-1.2A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR5板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。 Signficant P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
TP2540
TP2535
民
-400
-350
-1.0
-2.4
4.8
-100
-10
-1.0
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
300
100
175
60
20
10
125
70
25
10
10
20
13
-1.8
V
ns
V
GS
= 0V时，我
SD
= -100mA
V
GS
= 0V时，我
SD
= -100mA
ns
V
DD
= -25V
I
D
= -0.4A
R
根
= 25
pF
-0.2
-0.4
-0.3
-1.1
20
19
30
25
0.75
%/°C
m
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -2mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1mA
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -25V
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -100mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -100mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -100mA
V
DS
= -25V ，我
D
= -100mA
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
（上）
R
根
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
输入
t
D（上）
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
2
D.U.T.
产量
R
L
V
DD
TP2535/TP2540
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.1
100
导通电阻与漏电流
80
V
GS
= -4.5V
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
60
1.0
40
V
GS
= -10V
20
0.9
-50
0
50
100
150
0
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
T
j
(
°
C)
传输特性
-2
1.2
I
D
（安培）
V
（ TH ）
和R
DS
随温度的变化
2.5
V
DS
= - 25V
-1.6
T
A
= -55°C
R
DS （ ON）
@ -10V ， -0.1A
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
-1.2
25°C
-0.8
-0.4
V
（ TH ）
@ -1mA
125°C
0.8
0.5
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50
0
50
100
150
0
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
200
-10
T
j
(
°
C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
-8
150
V
DS
= - 10V
C（皮法）
V
GS
（伏）
-6
100
V
DS
= - 40V
-4
C
国际空间站
50
-2
190 pF的
60pF
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
-40
C
OSS
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
11/12/01
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
R
DS （ ON）
（归一化）
V
GS （ TH）
（归一化）
I
D
（安培）
QQ：2881677436 复制
