TP2104
低门槛
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-40V
R
DS ( ON)
(最大)
6.0
V
GS ( TH)
(最大)
-2.0V
订单号码/套餐
TO-236AB*
TP2104K1
TO-92
TP2104N3
DIE
TP2104ND
产品标识为SOT- 23 :
P1L
哪里
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 23 。各单位出货3000片载带卷盘。
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式(常关)晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征,这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压,高输入阻抗,低输入电容,并快速
开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
D
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
11/12/01
的s
S摹
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
TO-236AB
(SOT-23)
顶视图
TO-92
注:请参阅尺寸封装外形部分。
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任,并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的,由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更,恕不另行通知。有关最新的产品规格,请参阅
Supertex公司网站: http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息,请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
TP2104
热特性
包
SOT-23
TO-92
I
D
(连续) *
-0.16A
-0.25A
I
D
(脉冲的)
-0.8A
-1.0A
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.36W
0.74W
θ
jc
°
C / W
200
125
θ
ja
°
C / W
350
170
I
DR
*
-0.16A
-0.25A
I
DRM
-0.8A
-1.0A
*
I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
( 25°C ,除非另有规定)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS ( TH)
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
-40
-1.0
5.8
-1.0
-2.0
6.5
-100
-10
-1
I
D(上)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
注意事项:
1.所有的DC参数,除非另有说明, 100%在25℃下进行测试。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
2.所有参数交流采样测试。
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
A
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS ,
I
D
= -1.0mA
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -50mA
V
GS
= -10V ,我
D
= -0.5A
V
GS
= -10V ,我
D
= -0.5A
V
DS
= -25V ,我
D
= -0.5A
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
-0.6
10.0
6.0
0.55
150
200
35
22
8
4
4
5
5
-1.2
400
60
30
10
6
8
9
8
-2.0
1.0
%/°C
m
pF
ns
V
ns
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
(上)
R
根
t
(关闭)
t
r
t
D(关闭)
t
F
输入
t
D(上)
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
2
V
DD
= -25V
I
D
= -0.5A
R
根
= 25
V
GS
= 0V时,我
SD
= -0.5A
V
GS
= 0V时,我
SD
= -0.5A
D.U.T.
产量
R
L
V
DD
TP2104
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.1
20
导通电阻与漏电流
16
V
GS
= -4.5V
BV
DSS
(归一化)
R
DS ( ON)
(欧姆)
12
1.0
V
GS
= -10V
8
4
0.9
-50
0
50
100
150
0
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
T
j
(
°
C)
传输特性
-2.0
I
D
(安培)
V
GS ( TH)
和R
DS ( ON)
随温度的变化
1.2
1.6
1.1
V
DS
= -25V
-1.6
R
DS ( ON)
@ -10V , -0.5A
1.4
-1.2
1.0
V
GS ( TH)
@ -1mA
0.9
1.2
-0.8
125°C
1.0
0.8
0.8
25°C
-0.4
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0.7
-50
0
50
100
150
V
GS
(伏)
电容与漏 - 源极电压
100
-10
T
j
(
°
C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
-8
75
V
DS
= -10V
C(皮法)
V
GS
(伏)
-6
50
C
国际空间站
25
-4
V
DS
= -40V
125 pF的
C
OSS
C
RSS
-2
35 pF的
0
0
-10
-20
-30
-40
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
(伏)
Q
G
( nanocoulombs )
11/12/01
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动,桑尼维尔, CA 94089
电话: ( 408 ) 744-0100 传真: ( 408 ) 222-4895
www.supertex.com
R
DS ( ON)
(归一化)
V
GS ( TH)
(归一化)
T
A
= -55°C
I
D
(安培)