TP0620
低门槛
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-200V
R
DS （ ON）
（最大）
12
I
D（上）
（分钟）
-0.75A
V
GS （ TH）
（最大）
-2.4V
订单号码/套餐
TO-92
TP0620N3
MIL视觉筛选可用
特点
低门槛 - -2.4 V最大
高输入阻抗
低输入电容 - 85pF的典型
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
注：请参阅尺寸封装外形部分。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
SGD
TO-92
11/12/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
TP0620
热特性
包
TO-92
I
D
（连续） *
-175mA
I
D
（脉冲的）
-0.8A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1W
θ
jc
°
C / W
125
θ
ja
°
C / W
170
I
DR
*
-175mA
I
DRM
-0.8A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
-200
-1.0
-2.4
-4.5
-100
-10
-1.0
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
-0.25
-0.75
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
300
100
150
85
30
10
150
85
35
10
15
20
16
-1.8
V
ns
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
V
GS
= 0V时，我
SD
= -0.5A
ns
V
DD
= -25V
I
D
= -0.75A
R
根
= 25
pF
9.0
7.0
15
12
1.7
%/°C
m
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -2.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= -5V, V
DS
= -25V
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -5V ，我
D
= -0.1A
V
GS
= -10V ，我
D
= -0.2A
V
GS
= -10V ，我
D
= -0.2A
V
DS
= -25V ，我
D
= -0.4A
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
A
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
（上）
R
根
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
输入
t
D（上）
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
2
D.U.T.
产量
R
L
V
DD
TP0620
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.15
20
导通电阻与漏电流
1.1
16
V
GS
= -5V
V
GS
= -10V
BV
DSS
（归一化）
1.05
R
DS （ ON）
（欧姆）
12
1.0
8
0.95
4
0.9
-50
0
50
100
150
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
T
j
(°C)
传输特性
-2.0
1.2
I
D
（安培）
V
（ TH ）
和R
DS
随温度的变化
1.66
-5
5
V
DS
= -25V
A
°
C
=
1.1
1.33
V
GS （ TH）
（归一化）
I
D
（安培）
1.0
T
A
R
DS （ ON）
@
-10V ， -0.2A
1.0
-1.0
=
T
A
0
15
°
C
0.9
0.66
V
（ TH ）
@ -1mA
0.8
0.33
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0.7
-50
0
50
100
150
0
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
200
-10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
0
F = 1MHz的
-8
150
V
DS
= -10V
170 pF的
C（皮法）
V
GS
（伏）
-6
100
C
国际空间站
V
DS
= -40V
-4
50
C
OSS
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
-40
-2
65 pF的
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
11/12/01
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R
DS （ ON）
（归一化）
T
=
25
°
C
QQ：2881677436 复制
