TP0202K
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS （分钟）
(V)
30
30
r
DS （ ON）
(W)
1.4 @ V
GS
=
10
V
3.5 @ V
GS
=
4.5
V
V
GS （ TH）
(V)
1.3
to
3.0
1.3
to
3.0
I
D
（MA ）
385
240
Q
g
（典型值）
1000
特点
D
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 1.2
（典型值）
低阈值：
2.0
V（典型值）
快速Swtiching速度： 14 ns（典型值）
低输入电容： 31 pF的（典型值）
门源ESD保护
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
轻松驱动无缓冲器
应用
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆，晶体管等。
D
电池供电系统
D
电源转换器电路
D
固态继电器
TO-236
(SOT-23)
G
1
订购信息： TP0202K -T1
TP0202K -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
3
S
2
顶视图
D
标识代码： 2Kwll
2K =型号代码TP0202K
w
=周典
ll
=批次追踪
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
脉冲漏极电流
b
功耗
a
最大结点到环境
a
工作结存储温度范围
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温。
文档编号： 71609
S- 41777 -REV 。 D， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
30
"20
385
280
750
350
185
350
55
150
单位
V
mA
mW
° C / W
_C
R
thJA
T
J
, T
英镑
1
TP0202K
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= 0 V，I
D
=
100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"5
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"10
V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
=
10
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
50
mA
V
GS
=
10
V，I
D
=
500
mA
V
DS
=
5
V，I
D
=
200
mA
I
S
=
250
毫安，V
GS
= 0 V
500
2.1
1.25
315
1.2
3.5
1.4
30
1.3
38
2
3.0
"50
"300
100
10
mA
mA
W
mS
V
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=
15
V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
=
16
V, V
GS
=
10
V，I
D
^
200
mA
1000
225
175
31
11
4
p
pF
p
pC
开关
b
开启
启动时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=
15
V ，R
L
= 75
W
15
I
D
^
200
毫安，V
根
=
10
V ，R
G
= 6
W
9
6
30
20
ns
打开-O FF
关闭时间
笔记
一。脉冲测试： PW
v300
MS占空比
v2%.
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 71609
S- 41777 -REV 。 D， 04 - OCT- 04
TP0202K
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
对于下面的图中，对于所有电压和电流值p沟道负极性被表示为正值。
输出特性
1.6
1.4
I D
漏电流（ A）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
= 10 V
8V
7V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
4V
3.5 V
3V
I D
漏极电流（mA ）
1200
1000
传输特性
T
J
=
55_C
800
600
400
200
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
25_C
125_C
导通电阻与栅源电压
20
14
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
导通电阻与漏电流
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
16
V
GS
= 4.5 V
12
8
V
GS
= 10 V
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
4
0
V
GS
门-to -Source电压（ V）
50
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
40
C
电容（pF）
C
国际空间站
30
200
400
600
800
1000
I
D
漏极电流（mA ）
电容
16
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
14
12
I
D
= 200毫安
栅极电荷
V
DS
= 16 V
10
8
6
4
2
V
DS
= 10 V
20
C
OSS
10
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400 1600
Q
g
总栅极电荷（ PC）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71609
S- 41777 -REV 。 D， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
3
TP0202K
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
对于下面的图中，对于所有电压和电流值p沟道负极性被表示为正值。
1.8
1.6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
50
1
25
0
25
50
75
100 125
T
J
结温（ ° C）
150
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1.5
V
GS
= 4.5 V @ 50毫安
V
GS
= 10 V @ 200毫安
导通电阻与结温
1000
源极 - 漏极二极管正向电压
V
GS
= 0 V
I
S
源电流（ A）
100
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
T
J
=
55_C
0.5
0.4
V GS （ TH）方差（V ）
0.3
阈值电压变化过温
1000
I
GSS
与温度的关系
V
GS
= 10 V
I
D
= 250
mA
I
GSS
（ nA的）
100
0.2
0.1
0.0
V
GS
= 5 V
10
0.1
0.2
0.3
50
1
25
0
25
50
75
100
125
150
25
50
T
J
结温（ ° C）
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
75
100
125
T
J
结温（ ° C）
150
归瞬态热阻抗，结到环境
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 350 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?71609 。
www.vishay.com
文档编号： 71609
S- 41777 -REV 。 D， 04 - OCT- 04
4
TP0202K
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS （分钟）
(V)
30
30
r
DS （ ON）
(W)
1.4 @ V
GS
=
10
V
3.5 @ V
GS
=
4.5
V
V
GS （ TH）
(V)
1.3
to
3.0
1.3
to
3.0
I
D
（MA ）
385
240
Q
g
（典型值）
1000
特点
D
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 1.2
（典型值）
低阈值：
2.0
V（典型值）
快速Swtiching速度： 14 ns（典型值）
低输入电容： 31 pF的（典型值）
门源ESD保护
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
轻松驱动无缓冲器
应用
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆，晶体管等。
D
电池供电系统
D
电源转换器电路
D
固态继电器
TO-236
(SOT-23)
G
1
订购信息： TP0202K -T1
TP0202K -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
3
S
2
顶视图
D
标识代码： 2Kwll
2K =型号代码TP0202K
w
=周典
ll
=批次追踪
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
脉冲漏极电流
b
功耗
a
最大结点到环境
a
工作结存储温度范围
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温。
文档编号： 71609
S- 41777 -REV 。 D， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
30
"20
385
280
750
350
185
350
55
150
单位
V
mA
mW
° C / W
_C
R
thJA
T
J
, T
英镑
1
TP0202K
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= 0 V，I
D
=
100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"5
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"10
V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
=
10
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
50
mA
V
GS
=
10
V，I
D
=
500
mA
V
DS
=
5
V，I
D
=
200
mA
I
S
=
250
毫安，V
GS
= 0 V
500
2.1
1.25
315
1.2
3.5
1.4
30
1.3
38
2
3.0
"50
"300
100
10
mA
mA
W
mS
V
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=
15
V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
=
16
V, V
GS
=
10
V，I
D
^
200
mA
1000
225
175
31
11
4
p
pF
p
pC
开关
b
开启
启动时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=
15
V ，R
L
= 75
W
15
I
D
^
200
毫安，V
根
=
10
V ，R
G
= 6
W
9
6
30
20
ns
打开-O FF
关闭时间
笔记
一。脉冲测试： PW
v300
MS占空比
v2%.
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 71609
S- 41777 -REV 。 D， 04 - OCT- 04
TP0202K
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
对于下面的图中，对于所有电压和电流值p沟道负极性被表示为正值。
输出特性
1.6
1.4
I D
漏电流（ A）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
= 10 V
8V
7V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
4V
3.5 V
3V
I D
漏极电流（mA ）
1200
1000
传输特性
T
J
=
55_C
800
600
400
200
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
25_C
125_C
导通电阻与栅源电压
20
14
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
导通电阻与漏电流
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
16
V
GS
= 4.5 V
12
8
V
GS
= 10 V
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
4
0
V
GS
门-to -Source电压（ V）
50
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
40
C
电容（pF）
C
国际空间站
30
200
400
600
800
1000
I
D
漏极电流（mA ）
电容
16
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
14
12
I
D
= 200毫安
栅极电荷
V
DS
= 16 V
10
8
6
4
2
V
DS
= 10 V
20
C
OSS
10
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400 1600
Q
g
总栅极电荷（ PC）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71609
S- 41777 -REV 。 D， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
3
TP0202K
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
对于下面的图中，对于所有电压和电流值p沟道负极性被表示为正值。
1.8
1.6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
50
1
25
0
25
50
75
100 125
T
J
结温（ ° C）
150
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1.5
V
GS
= 4.5 V @ 50毫安
V
GS
= 10 V @ 200毫安
导通电阻与结温
1000
源极 - 漏极二极管正向电压
V
GS
= 0 V
I
S
源电流（ A）
100
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
T
J
=
55_C
0.5
0.4
V GS （ TH）方差（V ）
0.3
阈值电压变化过温
1000
I
GSS
与温度的关系
V
GS
= 10 V
I
D
= 250
mA
I
GSS
（ nA的）
100
0.2
0.1
0.0
V
GS
= 5 V
10
0.1
0.2
0.3
50
1
25
0
25
50
75
100
125
150
25
50
T
J
结温（ ° C）
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
75
100
125
T
J
结温（ ° C）
150
归瞬态热阻抗，结到环境
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 350 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?71609 。
www.vishay.com
文档编号： 71609
S- 41777 -REV 。 D， 04 - OCT- 04
4
TP0202K
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS （分钟）
(V)
30
30
r
DS （ ON）
(W)
1.4 @ V
GS
=
10
V
3.5 @ V
GS
=
4.5
V
V
GS （ TH）
(V)
1.3
to
3.0
1.3
to
3.0
I
D
（MA ）
385
240
Q
g
（典型值）
1000
特点
D
D
D
D
D
D
高侧开关
低导通电阻： 1.2
（典型值）
低阈值：
2.0
V（典型值）
快速Swtiching速度： 14 ns（典型值）
低输入电容： 31 pF的（典型值）
门源ESD保护
好处
D
D
D
D
D
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
轻松驱动无缓冲器
应用
D
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆，晶体管等。
D
电池供电系统
D
电源转换器电路
D
固态继电器
TO-236
(SOT-23)
G
1
订购信息： TP0202K -T1
TP0202K -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
3
S
2
顶视图
D
标识代码： 2Kwll
2K =型号代码TP0202K
w
=周典
ll
=批次追踪
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
脉冲漏极电流
b
功耗
a
最大结点到环境
a
工作结存储温度范围
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温。
文档编号： 71609
S- 41777 -REV 。 D， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
30
"20
385
280
750
350
185
350
55
150
单位
V
mA
mW
° C / W
_C
R
thJA
T
J
, T
英镑
1
TP0202K
Vishay Siliconix公司
规格（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= 0 V，I
D
=
100
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"5
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"10
V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
=
10
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
50
mA
V
GS
=
10
V，I
D
=
500
mA
V
DS
=
5
V，I
D
=
200
mA
I
S
=
250
毫安，V
GS
= 0 V
500
2.1
1.25
315
1.2
3.5
1.4
30
1.3
38
2
3.0
"50
"300
100
10
mA
mA
W
mS
V
nA
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=
15
V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
=
16
V, V
GS
=
10
V，I
D
^
200
mA
1000
225
175
31
11
4
p
pF
p
pC
开关
b
开启
启动时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=
15
V ，R
L
= 75
W
15
I
D
^
200
毫安，V
根
=
10
V ，R
G
= 6
W
9
6
30
20
ns
打开-O FF
关闭时间
笔记
一。脉冲测试： PW
v300
MS占空比
v2%.
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 71609
S- 41777 -REV 。 D， 04 - OCT- 04
TP0202K
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
对于下面的图中，对于所有电压和电流值p沟道负极性被表示为正值。
输出特性
1.6
1.4
I D
漏电流（ A）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
= 10 V
8V
7V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
4V
3.5 V
3V
I D
漏极电流（mA ）
1200
1000
传输特性
T
J
=
55_C
800
600
400
200
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
25_C
125_C
导通电阻与栅源电压
20
14
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
导通电阻与漏电流
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
16
V
GS
= 4.5 V
12
8
V
GS
= 10 V
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
4
0
V
GS
门-to -Source电压（ V）
50
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
40
C
电容（pF）
C
国际空间站
30
200
400
600
800
1000
I
D
漏极电流（mA ）
电容
16
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
14
12
I
D
= 200毫安
栅极电荷
V
DS
= 16 V
10
8
6
4
2
V
DS
= 10 V
20
C
OSS
10
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400 1600
Q
g
总栅极电荷（ PC）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71609
S- 41777 -REV 。 D， 04 - OCT- 04
www.vishay.com
3
TP0202K
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
对于下面的图中，对于所有电压和电流值p沟道负极性被表示为正值。
1.8
1.6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
50
1
25
0
25
50
75
100 125
T
J
结温（ ° C）
150
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1.5
V
GS
= 4.5 V @ 50毫安
V
GS
= 10 V @ 200毫安
导通电阻与结温
1000
源极 - 漏极二极管正向电压
V
GS
= 0 V
I
S
源电流（ A）
100
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
T
J
=
55_C
0.5
0.4
V GS （ TH）方差（V ）
0.3
阈值电压变化过温
1000
I
GSS
与温度的关系
V
GS
= 10 V
I
D
= 250
mA
I
GSS
（ nA的）
100
0.2
0.1
0.0
V
GS
= 5 V
10
0.1
0.2
0.3
50
1
25
0
25
50
75
100
125
150
25
50
T
J
结温（ ° C）
2
标准化的有效瞬态
热阻抗
1
75
100
125
T
J
结温（ ° C）
150
归瞬态热阻抗，结到环境
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 350 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?71609 。
www.vishay.com
文档编号： 71609
S- 41777 -REV 。 D， 04 - OCT- 04
4
SPICE器件模型TP0202K
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 73186
S- 52635Rev 。 B， 02 -JAN- 06
www.vishay.com
1
SPICE器件模型TP0202K
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
符号
测试条件
模拟
数据
2.1
4
2
1.3
283
0.76
测
数据
2
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250 A
V
DS
=
10
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.5
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
0.05
A
V
DS
=
5
V，I
D
=
0.2
A
I
S
=
0.25
A，V
GS
= 0 V
V
A
2.1
1.25
315
mS
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=
16
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
0.2
A
704
225
175
1000
225
175
pC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 73186
S- 52635Rev 。 B， 02 -JAN- 06
SPICE器件模型TP0202K
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号： 73186
S- 52635Rev 。 B， 02 -JAN- 06
www.vishay.com
3
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
TP0202K
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
- 30
3.5在V
GS
= - 4.5 V - 1.3 - 3.0
- 240
R
DS （ ON）
(Ω)
V
GS （ TH）
(V)
I
D
（毫安） Q
g
（典型值）。
- 385
1000
1.4在V
GS
= - 10 V - 1.3 - 3.0
无卤符合IEC 61249-2-21
可用的
TrenchFET
功率MOSFET
高侧开关
低导通电阻： 1.2
Ω
（典型值）。
低阈值： - 2 V （典型值）。
快速Swtiching速度： 14 ns（典型值）。
低输入电容： 31 pF的（典型值）。
2000 V ESD保护
TO-236
(SOT-23)
G
1
应用
驱动程序：继电器，螺线管，照明灯，锤子，显示器，
回忆，晶体管等。
电池供电系统
电源转换器电路
固态继电器
3
D
标识代码： 2Kwll
2K =部件
数
对于TP0202K码
w
=周典
ll
=批次追踪
S
2
好处
缓解驾驶开关
低失调（错误）电压
低电压操作
高速电路
轻松驱动无缓冲器
顶部
意见
订货信息：
TP0202K -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
TP0202K -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
脉冲漏
当前
b
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J,
T
英镑
极限
- 30
± 20
- 385
- 280
- 750
350
185
350
- 55 150
mW
° C / W
°C
mA
单位
V
功耗
a
最大结点到环境
a
工作结存储温度范围
注意事项：
一。表面安装在FR4板。
B 。脉冲宽度有限的最高结温。
文档编号： 71609
S- 83053 -REV 。 E， 29日-12月08
www.vishay.com
1
TP0202K
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
b
开启时间
打开-O FF时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 75
Ω
I
D
- 200毫安，V
根
= - 10 V ，R
G
= 6
Ω
9
6
30
20
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= - 16 V, V
GS
= - 10 V
I
D
- 200毫安
1000
225
175
31
V
DS
= - 15 V, V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
11
4
pF
pC
a
符号
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= - 100 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 5 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 10 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
GS
= - 10 V, V
DS
= - 10 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 50毫安
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 500毫安
V
DS
= - 5 V，I
D
= - 200毫安
I
S
= - 250毫安， V
GS
= 0 V
分钟。
- 30
- 1.3
典型值。
- 38
-2
马克斯。
单位
- 3.0
± 50
± 300
- 100
- 10
V
nA
A
mA
- 500
2.1
1.25
315
- 1.2
3.5
1.4
Ω
mS
V
注意事项：
一。脉冲测试： PW
≤
300占空比
≤
2 %.
B 。开关时间基本上是独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
www.vishay.com
2
文档编号： 71609
S- 83053 -REV 。 E， 29日-12月08
TP0202K
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1.6
V
GS
= 10
V
1.4
8V
I
D
- 漏电流（ A）
5
V
7
V
4.5
V
4
V
3.5
V
0.4
3
V
0.2
0.0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
6
200
I
D
- 漏电流（mA ）
1.2
1.0
0.8
0.6
1200
6
V
5.5
V
1000
T
J
= - 55 °C
800
25 °C
125 °C
400
600
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
20
14
12
R
DS （上） -
导通电阻（ Ω ）
R
DS （上） -
导通电阻（ Ω ）
16
V
GS
= 4.5
V
12
V
GS
= 10
V
8
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
0
传输特性
V
GS
= 4.5
V
V
GS
= 10
V
4
200
400
600
800
1000
V
GS
- 门-to -源
电压
(V)
I
D
- 漏电流（mA ）
导通电阻与栅源电压
50
V
GS
= 0
V
F = 1 MHz的
40
- 电容（pF ）
C
国际空间站
30
16
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
14
12
导通电阻与漏电流
I
D
= 200毫安
V
DS
= 16
V
10
8
6
4
2
0
V
DS
= 10
V
20
C
OSS
10
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
0
200
400
600
800
1000 1200 1400 1600
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
Q
g
- 总栅极电荷（ PC）
电容
栅极电荷
文档编号： 71609
S- 83053 -REV 。 E， 29日-12月08
www.vishay.com
3
TP0202K
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1.8
1.6
1.4
R
DS （上） -
导通电阻
（归一化）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
T
J
- 结温（ ° C）
125
150
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
1.5
V
GS
= 4.5
V
以50mA
V
GS
= 10
V
以200mA
I
S
- 源电流（ A）
100
T
J
= 150 °C
1000
V
GS
= 0
V
10
T
J
= 25 °C
T
J
= - 55 °C
导通电阻与结温
0.5
0.4
V
GS （ TH）
方差
(V)
0.3
0.2
0.1
- 0.0
10
- 0.1
- 0.2
- 0.3
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
25
I
GSS
- （ nA的）
100
1000
源极 - 漏极二极管正向电压
V
GS
= 10
V
I
D
= 250
A
V
GS
= 5
V
50
T
J
- 结温（ ° C）
75
100
125
T
J
- 结温（ ° C）
150
阈值电压变化过温
2
归
有效的瞬态
热阻抗
1
占空比= 0.5
I
GSS
与温度的关系
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 350 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见www.vishay.com/ppg?71609 。
www.vishay.com
4
文档编号： 71609
S- 83053 -REV 。 E， 29日-12月08
包装信息
Vishay Siliconix公司
SOT- 23 （ TO- 236 ） ： 3引脚
b
3
E
1
1
2
E
S
e
1
e
D
0.10 mm
A
A
2
0.004"
座位
飞机
A
1
C
L
L
1
C
C
q
0.25 mm
压力表飞机
座位
飞机
暗淡
A
A
1
A
2
b
c
D
E
E
1
e
e
1
L
L
1
S
q
ECN ： S- 03946 -REV 。 K， 09 -JUL- 01
DWG ： 5479
MILLIMETERS
民
0.89
0.01
0.88
0.35
0.085
2.80
2.10
1.20
0.95 BSC
1.90 BSC
0.40
0.64 REF
0.50参考
3°
8°
3°
0.60
0.016
英寸
最大
1.12
0.10
1.02
0.50
0.18
3.04
2.64
1.40
民
0.035
0.0004
0.0346
0.014
0.003
0.110
0.083
0.047
0.0374参考
参考0.0748
最大
0.044
0.004
0.040
0.020
0.007
0.120
0.104
0.055
0.024
0.025 REF
0.020 REF
8°
文档编号： 71196
09-Jul-01
www.vishay.com
1
QQ：2880707522 复制
