规格比较
Vishay Siliconix公司
TP0101K与TP0101T
描述：
包装：
引脚输出：
P通道， 20 -V （D -S ）的MOSFET ，低阈值
SOT-23
相同
型号替换：
TP0101K -T1 -E3替换TP0101T -T1 -E3
TP0101K -T1 -E3替换TP0101T -T1的
业绩概要：
该TP0101K是一个技术升级与ESD保护原来的TP0101T 。 ESD保护二极管的门
增加门 - 体泄漏;否则，存在关于性能几乎没有变化。
绝对最大额定值（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
符号
TP0101K
TP0101T
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流
（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
工作结&存储温度范围
最大结点到环境
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
＆放大器;牛逼
英镑
R
thJA
-20
+8
-0.58
-0.46
-2
-0.3
0.35
0.22
-55到150
357
-20
+8
-0.6
-0.48
-3
-0.6
0.35
0.22
-55到150
357
W
°C
° C / W
A
V
规格（T
J
= 25
O
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
-1.2
I
D（上）
-0.5
0.42
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Qg
QGS
QGD
Rg
0.64
1300
-0.9
1400
300
250
150
25
30
55
38
-1.2
2200
0.65
0.85
-0.5
-0.7
-1.0
+5000
-1
-2.5
-0.5
0.45
0.69
1300
-0.9
2020
180
720
NS
7
25
19
9
-1.2
3000
nC
12
35
30
15
ns
0.65
0.85
A
S
V
-0.5
-0.9
-1.5
+100
-1
V
nA
A
符号
民
TP0101K
典型值
最大
民
TP0101T
典型值
最大
单位
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
开关
a
开启时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
35
45
85
60
打开-O FF时间
NS表示没有原始数据表中指定
文档编号74071
11-May-05
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SPICE器件模型TP0101K
Vishay Siliconix公司
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 72921
S- 52397Rev 。 B， 21 - NOV- 05
www.vishay.com
1
SPICE器件模型TP0101K
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
符号
测试条件
模拟
数据
0.85
6.4
0.43
0.63
1.3
0.80
测
数据
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
50 A
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
0.58
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
0.50
A
V
DS
=
5
V，I
D
=
0.58
A
I
S
=
0.30
A，V
GS
= 0 V
V
A
0.42
0.64
1.3
0.90
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=
6 V ，R
L
= 10
I
D
0.58 A，V
根
=
4.5 V ，R
G
= 6
V
DS
=
6 V, V
GS
=
4.5 V，I
D
=
0.58 A
1.2
0.30
0.25
26
25
51
16
1.4
0.30
0.25
25
30
55
38
ns
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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2
文档编号： 72921
S- 52397Rev 。 B， 21 - NOV- 05
SPICE器件模型TP0101K
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号： 72921
S- 52397Rev 。 B， 21 - NOV- 05
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3
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
规格比较
Vishay Siliconix公司
TP0101K与TP0101T
描述：
包装：
引脚输出：
P通道， 20 -V （D -S ）的MOSFET ，低阈值
SOT-23
相同
型号替换：
TP0101K -T1 -E3替换TP0101T -T1 -E3
TP0101K -T1 -E3替换TP0101T -T1的
业绩概要：
该TP0101K是一个技术升级与ESD保护原来的TP0101T 。 ESD保护二极管的门
增加门 - 体泄漏;否则，存在关于性能几乎没有变化。
绝对最大额定值（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
符号
TP0101K
TP0101T
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流
（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
工作结&存储温度范围
最大结点到环境
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
＆放大器;牛逼
英镑
R
thJA
-20
+8
-0.58
-0.46
-2
-0.3
0.35
0.22
-55到150
357
-20
+8
-0.6
-0.48
-3
-0.6
0.35
0.22
-55到150
357
W
°C
° C / W
A
V
规格（T
J
= 25
O
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
-1.2
I
D（上）
-0.5
0.42
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Qg
QGS
QGD
Rg
0.64
1300
-0.9
1400
300
250
150
25
30
55
38
-1.2
2200
0.65
0.85
-0.5
-0.7
-1.0
+5000
-1
-2.5
-0.5
0.45
0.69
1300
-0.9
2020
180
720
NS
7
25
19
9
-1.2
3000
nC
12
35
30
15
ns
0.65
0.85
A
S
V
-0.5
-0.9
-1.5
+100
-1
V
nA
A
符号
民
TP0101K
典型值
最大
民
TP0101T
典型值
最大
单位
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
开关
a
开启时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
35
45
85
60
打开-O FF时间
NS表示没有原始数据表中指定
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规格比较
Vishay Siliconix公司
TP0101K与TP0101T
描述：
包装：
引脚输出：
P通道， 20 -V （D -S ）的MOSFET ，低阈值
SOT-23
相同
型号替换：
TP0101K -T1 -E3替换TP0101T -T1 -E3
TP0101K -T1 -E3替换TP0101T -T1的
业绩概要：
该TP0101K是一个技术升级与ESD保护原来的TP0101T 。 ESD保护二极管的门
增加门 - 体泄漏;否则，存在关于性能几乎没有变化。
绝对最大额定值（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
符号
TP0101K
TP0101T
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流
（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
工作结&存储温度范围
最大结点到环境
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
＆放大器;牛逼
英镑
R
thJA
-20
+8
-0.58
-0.46
-2
-0.3
0.35
0.22
-55到150
357
-20
+8
-0.6
-0.48
-3
-0.6
0.35
0.22
-55到150
357
W
°C
° C / W
A
V
规格（T
J
= 25
O
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
-1.2
I
D（上）
-0.5
0.42
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Qg
QGS
QGD
Rg
0.64
1300
-0.9
1400
300
250
150
25
30
55
38
-1.2
2200
0.65
0.85
-0.5
-0.7
-1.0
+5000
-1
-2.5
-0.5
0.45
0.69
1300
-0.9
2020
180
720
NS
7
25
19
9
-1.2
3000
nC
12
35
30
15
ns
0.65
0.85
A
S
V
-0.5
-0.9
-1.5
+100
-1
V
nA
A
符号
民
TP0101K
典型值
最大
民
TP0101T
典型值
最大
单位
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
开关
a
开启时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
35
45
85
60
打开-O FF时间
NS表示没有原始数据表中指定
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规格比较
Vishay Siliconix公司
TP0101K与TP0101T
描述：
包装：
引脚输出：
P通道， 20 -V （D -S ）的MOSFET ，低阈值
SOT-23
相同
型号替换：
TP0101K -T1 -E3替换TP0101T -T1 -E3
TP0101K -T1 -E3替换TP0101T -T1的
业绩概要：
该TP0101K是一个技术升级与ESD保护原来的TP0101T 。 ESD保护二极管的门
增加门 - 体泄漏;否则，存在关于性能几乎没有变化。
绝对最大额定值（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
符号
TP0101K
TP0101T
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流
（ MOSFET二极管的导通）
功耗
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
工作结&存储温度范围
最大结点到环境
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
＆放大器;牛逼
英镑
R
thJA
-20
+8
-0.58
-0.46
-2
-0.3
0.35
0.22
-55到150
357
-20
+8
-0.6
-0.48
-3
-0.6
0.35
0.22
-55到150
357
W
°C
° C / W
A
V
规格（T
J
= 25
O
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -2.5 V
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
-1.2
I
D（上）
-0.5
0.42
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Qg
QGS
QGD
Rg
0.64
1300
-0.9
1400
300
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150
25
30
55
38
-1.2
2200
0.65
0.85
-0.5
-0.7
-1.0
+5000
-1
-2.5
-0.5
0.45
0.69
1300
-0.9
2020
180
720
NS
7
25
19
9
-1.2
3000
nC
12
35
30
15
ns
0.65
0.85
A
S
V
-0.5
-0.9
-1.5
+100
-1
V
nA
A
符号
民
TP0101K
典型值
最大
民
TP0101T
典型值
最大
单位
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
开关
a
开启时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
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35
45
85
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打开-O FF时间
NS表示没有原始数据表中指定
文档编号74071
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