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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第382页 > TO-220F
TO- 220F封装尺寸
TO- 220F （ FS PKG CODE AQ ）
3.30
±0.10
10.16
±0.20
(7.00)
3.18
±0.10
2.54
±0.20
(0.70)
6.68
±0.20
15.80
±0.20
(1.00x45°)
MAX1.47
9.75
±0.30
0.80
±0.10
(3
0
°
)
0.35
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
#1
0.50
–0.05
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
4.70
±0.20
+0.10
2.76
±0.20
9.40
±0.20
单位：毫米
1999年8月，修订版B
15.87
±0.20
KA1M0380
特点
- 精确的固定工作频率（ 70KHz以下）
- 逐脉冲过流限制
- 过载保护
- 内部热关断功能
- 欠压锁定
- 内部高压感FET
＆ LT ;
- 低启动电流（ 0.4毫安）
TO-220F
S·P S
产品概述
产品型号
KA1M0380
BVDSS
800V
RDS （ ON）
5
I
D
3A
Ο
1.GND 2.DRAIN 3.Vcc 4.FB
绝对最大额定值
（ TA = 25
C
中，除非另有规定）
特征
漏 - 源极（ GND ）电压（ 1 ）
漏极 - 栅极电压（ R = 1M
) (1)
GS
栅 - 源（ GND ）电压
上升时间（2）
下降时间（2）
汲极水稻源关闭状态漏泄电流
（的Vds = 0V ，V GS = 0V ）
C)
连续漏电流（TC = 25
电源电压
模拟输入电压范围
总功耗
工作温度
储存温度
Ο
Ο
Ο
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
Tr
Tf
I
DSS
I
D
V
CC
V
FB
P
D
（重量H / S ）
降额
T
OPR
T
英镑
价值
800
800
_
+ 30
95
60
250
3.0
30
-0.3 ~ V
SD
20
0.28
- 25 ~ + 85
- 55 ~ + 150
单位
V
V
V
ns
ns
uA
A
DC
V
V
W
W / C
Ο
Ο
C
C
Ο
笔记
:
(1) T
J
= 25 ℃至150℃
(2) V
DD
= 400V ，我
D
=最大。评级，V = 10V
GS
版本B
1999仙童半导体公司
KA1M0380
电气特性（控制部分）
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
符号
特征
最小典型最大单位
Ο
S·P S
测试条件
参考科
VREF
输出电压
4.80 5.00 5.20
-
0.3
V
TA = 25℃
_ _
-25 C
＆ LT ;
Ta
＆ LT ;
+85
C
Ο
Ο
VREF /
T温度稳定性
振荡器部分
F
OSC
F
Ο
0.6
毫伏/ C
Ο
Note1
初始精度
频率变化
温度
62
67
_
+5
72
_
+ 10
千赫TA = 25℃
%
Ο
Ο
_ _
-25 C
＆ LT ;
Ta
＆ LT ;
+85 C
Ο
/
T
PWM节
D
最大
最大占空比
62
67
72
%
Ο
反馈部分
I
FB
I
延迟
反馈源电流
关机延迟电流
1
5
mA
uA
TA = 25℃ ，
VFB = 0
_
_
SD
5 V
＆ LT ;
VFB
＆ LT ;
V
过电流保护部分
I
L（ MAX）的
过电流保护
1.5
1.8
2.2
A
马克斯。电感电流
UVLO节
V
第（H）的
V
第（L）的
启动阈值电压
最低工作电压
14
9
15
10
16
11
V
V
打开后
KA1M0380
电气特性（续）
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
符号
特征
最小典型最大单位
Ο
S·P S
测试条件
总待机电流节
I
ST
I
OPR
V
Z
启动电流
工作电源电流
（控制部分只）
VCC齐纳电压
30
0.25
15
32.5
0.4
18
35
毫安V
CC
= 14V
mA
V
TA = 25℃ ，
I
CC
= 20mA下
Ο
关机节
V
SD
T
SD
关机反馈电压
ThermalShutdownTemperature （ TJ ）
7
7.6
150
8.2
V
Ο
C
注1
笔记
:
（1 ）这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试
（2）在输出部分，其设计目标是当前夹紧后的最大电流
（ 3 ）这些参数，虽然保证，在EDS （晶圆测试）过程中进行测试。
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
TO- 220F封装尺寸
TO- 220F （ FS PKG CODE AQ ）
3.30
±0.10
10.16
±0.20
(7.00)
3.18
±0.10
2.54
±0.20
(0.70)
6.68
±0.20
15.80
±0.20
(1.00x45°)
MAX1.47
9.75
±0.30
0.80
±0.10
(3
0
°
)
0.35
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
#1
0.50
–0.05
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
4.70
±0.20
+0.10
2.76
±0.20
9.40
±0.20
单位：毫米
1999年8月，修订版B
15.87
±0.20
TO- 220F封装尺寸
TO- 220F （ FS PKG CODE AQ ）
3.30
±0.10
10.16
±0.20
(7.00)
3.18
±0.10
2.54
±0.20
(0.70)
6.68
±0.20
15.80
±0.20
(1.00x45°)
MAX1.47
9.75
±0.30
0.80
±0.10
(3
0
°
)
0.35
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
#1
0.50
–0.05
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
4.70
±0.20
+0.10
2.76
±0.20
9.40
±0.20
单位：毫米
1999年8月，修订版B
15.87
±0.20
IRF730B/IRFS730B
IRF730B/IRFS730B
400V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于高效率开关模式电源和
基于半桥电子镇流器。
www.kersemi.com
特点
5.5A ， 400V ，R
DS （ ON）
= 1.0 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型的25 NC）
低的Crss （典型值20 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
G
g DS的
TO-220
IRF系列
GD S
TO-220F
IRFS系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
IRF730B
400
5.5
3.5
22
±
30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
IRFS730B
5.5 *
3.5 *
22 *
330
5.5
7.3
5.5
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
73
0.58
-55到+150
300
38
0.3
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳最大。
热电阻，凯斯到水槽典型。
热阻，结到环境最大。
IRF730B
1.71
0.5
62.5
IRFS730B
3.31
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
IRF730B/IRFS730B
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 320 V，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
400
--
--
--
--
--
--
0.4
--
--
--
--
--
--
10
100
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.75 A
V
DS
= 40 V，I
D
= 2.75 A
（注4 ）
2.0
--
--
--
0.83
4.5
4.0
1.0
--
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
790
80
20
1000
100
26
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 320 V，I
D
= 5.5 A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
V
DD
= 200 V，I
D
= 5.5 A,
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
15
55
85
50
25
4.3
11
40
120
180
110
33
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 5.5 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 5.5 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
265
2.32
5.5
22
1.5
--
--
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 19mH ，我
AS
= 5.5A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
5.5A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
www.kersemi.com
IRF730B/IRFS730B
典型特征
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
底部： 5.0 V
上图：
10
1
10
0
150 C
10
0
o
25 C
-55 C
o
o
10
-1
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25℃
※
注意事项：
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s脉冲测试
10
10
-1
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.区域特征
图2.传输特性
5
10
4
1
R
DS （ ON）
[
Ω
],
漏源导通电阻
3
V
GS
= 20V
I
DR
，反向漏电流[ A]
V
GS
= 10V
2
10
0
150℃
25℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s脉冲测试
1
※
注：t
J
= 25
℃
0
0
3
6
9
12
15
18
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
2000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
12
10
V
DS
= 80V
V
DS
= 200V
V
GS
，栅源电压[V]
1500
8
V
DS
= 320V
电容[ pF的]
C
国际空间站
1000
6
C
OSS
500
4
C
RSS
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
2
※
注：我
D
= 5.5 A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
IRF730B/IRFS730B
典型特征
（续）
1.2
3.0
2.5
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 2.75 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
10
2
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
1
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
DC
10
1
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
0
10
0
DC
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-1
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
o
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
，漏源电压[V]
V
DS
，漏源电压[V]
图9-1 。最大安全工作区
对于IRF730B
图9-2 。最大安全工作区
对于IRFS730B
6
5
I
D
，漏电流[ A]
4
3
2
1
0
25
www.kersemi.com
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度[ ℃ ]
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
IRF730B/IRFS730B
典型特征
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 1 .7 1
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
10
-1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
Z
θ
JC
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线IRF730B
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 3 .3 1
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
Z
θ
JC
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11-2 。瞬态热响应曲线IRFS730B
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