订购数量： ENA0520
TND322VD
三洋半导体
数据表
EXPD （优秀的功率器件）
TND322VD
特点
对于PDP维持脉冲驱动器通用驱动器，电机驱动器，
开关电源和DC / DC转换器应用
双缓冲。
整体结构（高电压CMOS工艺采用） 。
25V的耐压是有保证的。
宽工作电压范围： 4.5V至25V 。
峰值输出电流： IO + / IO-
-=0.8A /1A.
快速切换时间（ 30ns的典型，在1000pF的负载） 。
完全兼容输入TTL / CMOS （ VIH =高达2.6V ，当VDD = 4.5 25V ） 。
内置输入下拉电阻器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
电源电压
输入电压
允许功耗
结温
储存温度
符号
VDD
VIN
钯最大
Tj
TSTG
条件
评级
0-25
GND - 0.3 VDD + 0.3
0.2
--55到150
--55到150
单位
V
V
W
°C
°C
推荐工作条件
在TA = 25℃
参数
工作电源电压
工作温度
符号
VDD
TOPR
条件
评级
4.5至25
--40到125
单位
V
°C
标记： DD
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
42507IP TI IM TC- 00000673号A0520-1 / 5
TND322VD
电气特性
（ AC特性）在TA = 25 ℃， VDD = 18V ， VIN = 5V
参数
开启上升时间
关断下降时间
延迟时间
符号
tr
tf
tD1
tD2
CL=1000pF
CL=1000pF
CL=1000pF
CL=1000pF
条件
评级
民
典型值
35
30
30
45
最大
50
45
45
60
单位
ns
ns
ns
ns
电气特性
（直流特性）在TA = 25 ℃， VDD = 4.5 25V
参数
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
高电平输出电压
低电平输出电压
VDD电源电流
高输出短路脉冲电流
低输出短路脉冲电流
输出导通电阻
符号
VIH
VIL
IIN +
IIN--
VOH
VOL
Isupp
IO +
IO--
大败
VIN=VDD=25V
VIN=0V
IO=0A
IO=0A
VDD = 10V ， VIN = 3V （两个输入）
VDD = 10V ， VIN = 0V （两个输入）
VDD = 18V ， PW≤10μs ， VOUT = 0V
VDD = 18V ， PW≤10μs ， VOUT = 18V
VDD = 18V ，的Iload = 10毫安， VOUT = “ H”
VDD = 18V ，的Iload = 10毫安， VOUT = “ L”
0.8
1.0
11
6
16.5
10
--1
VDD--0.1
0.1
1.0
4.5
0.2
条件
评级
民
2.6
0.8
40
100
1
典型值
最大
单位
V
V
A
A
V
V
mA
mA
A
A
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7012-006
0.25
0.3
0.15
8
7
6 5
2.8
2.3
0.25
1
2
2.9
3
0.65
4
0.75
1 ： INA
2 ： OUTA
3 ： OUTB
4 ： INB
5 ： GND
6 ： VDD
7 ： VDD
8 ： VDD
三洋： VEC8
框图
VDD
IN
0.07
OUT
GND
第A0520-2 / 5
TND322VD
0.25
PD - TA
允许功耗， PD - 含
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT11999
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，
没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照，应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品提intellctual产权
以上。
本产品目录提供的信息截至4月， 2007年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS第A0520-5 / 5
订购数量： ENA0520A
TND322VD
优秀的功率器件
双缓冲驱动器通用，双VEC8
特点
http://onsemi.com
双缓冲
整体结构（高电压CMOS工艺通过）
25V的耐压是有保证的
宽工作电压范围： 4.5V至25V
峰值输出电流： IO + / IO - = 0.8A / 1A
快速开关时间（ 1000pF的负载30ns的典型值）
完全兼容输入TTL / CMOS （ VIH =高达2.6V ，当VDD = 4.5 25V ）
内置输入下拉电阻
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
电源电压
输入电压
允许功耗
结温
储存温度
符号
VDD
VIN
钯最大
Tj
TSTG
条件
评级
0-25
GND - 0.3 VDD + 0.3
0.2
-55到+150
-55到+150
单位
V
V
W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7012-006
0.25
0.3
8
7
6 5
0.15
产品&包装信息
包
： VEC8
JEITA ， JEDEC
:-
最小包装数量： 3000个/卷。
TND322VD-TL-E
包装类型： TL
2.8
2.3
0.25
1
2
2.9
3
0.65
4
TL
1 ： INA
2 ： OUTA
3 ： OUTB
4 ： INB
5 ： GND
6 ： VDD
7 ： VDD
8 ： VDD
VEC8
0.75
记号
DD
LOT号
半导体元件工业有限责任公司， 2013
八月， 2013
0.07
80812 TKIM / 42507IP TIIM TC- 00000673号A0520-1 / 8
TND322VD
推荐工作条件
在TA = 25℃
参数
工作电源电压
工作温度
符号
VDD
TOPR
条件
评级
4.5至25
-40到+125
单位
V
°C
电气特性
（ AC特性）在TA = 25 ℃， VDD = 18V ， VIN = 5V
参数
开启上升时间
关断下降时间
延迟时间
tr
tf
tD1
tD2
符号
CL=1000pF
CL=1000pF
CL=1000pF
CL=1000pF
条件
评级
民
典型值
35
30
30
45
最大
50
45
45
60
单位
ns
ns
ns
ns
电气特性
（直流特性）在TA = 25 ℃， VDD = 4.5 25V
参数
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
高电平输出电压
低电平输出电压
VDD电源电流
高输出短路电流脉冲
低输出短路脉冲电流
输出导通电阻
符号
VIH
VIL
IIN +
IIN-
VOH
VOL
Isupp
IO +
IO-
大败
条件
评级
民
2.6
0.8
VIN=VDD=25V
VIN=0V
IO=0A
IO=0A
VDD = 10V ， VIN = 3V （两个输入）
VDD = 10V ， VIN = 0V （两个输入）
VDD = 18V ， PW≤10μs ， VOUT = 0V
VDD = 18V ， PW≤10μs ， VOUT = 18V
VDD = 18V ，的Iload = 10毫安， VOUT = “ H”
VDD = 18V ，的Iload = 10毫安， VOUT = “ L”
1.0
0.8
1.0
11
6
16.5
10
-1
VDD-0.1
0.1
4.5
0.2
40
100
1
典型值
最大
单位
V
V
μA
μA
V
V
mA
mA
A
A
Ω
Ω
第A0520-2 / 8
QQ：2881677436 复制
