订购数量: ENA0420
TND314S
三洋半导体
数据表
EXPD (优秀的功率器件)
TND314S
特点
对于PDP维持脉冲驱动器通用驱动器,电机驱动器,
开关电源和DC / DC转换器应用
双变频器。
整体结构(高电压CMOS工艺采用) 。
25V的耐压是有保证的。
宽工作电压范围: 4.5V至25V 。
峰值输出电流: 1A 。
快速开关时间(典型为25ns ,在1000pF的负载) 。
完全兼容输入TTL / CMOS ( VIH =高达2.6V ,当VDD = 4.5 25V ) 。
内置输入下拉电阻器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
电源电压
输入电压
允许功耗
结温
储存温度
符号
VDD
VIN
钯最大
Tj
TSTG
条件
评级
0-25
GND - 0.3 VDD + 0.3
0.3
--55到150
--55到150
单位
V
V
W
°C
°C
推荐工作条件
在TA = 25℃
参数
工作电源电压
工作温度
符号
VDD
TOPR
条件
评级
4.5至25
--40到125
单位
V
°C
电气特性
( AC特性)在TA = 25 ℃, VDD = 18V , VIN = 5V
参数
开启上升时间
关断下降时间
延迟时间
符号
tr
tf
tD1
tD2
CL=1000pF
CL=1000pF
CL=1000pF
CL=1000pF
条件
评级
民
典型值
30
30
25
45
最大
45
45
40
60
单位
ns
ns
ns
ns
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性,如生命支持系统的应用,
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
用这样的描述或包含任何三洋半导体的产品在此之前,最近的你
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数)
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
D0606IP TI IM TB- 00001538号A0420-1 / 5
TND314S
电气特性
(直流特性)在TA = 25 ℃, VDD = 4.5 25V
参数
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
高电平输出电压
低电平输出电压
VDD电源电流
高输出短路脉冲电流
低输出短路脉冲电流
输出导通电阻
符号
VIH
VIL
IIN +
IIN--
VOH
VOL
Isupp
IO +
IO--
大败
VIN=VDD=25V
VIN = 0V或VDD
IO=0A
IO=0A
VDD = 10V , VIN = 3V (两个输入)
VDD = 10V , VIN = 0V (两个输入)
VDD = 18V , PW≤10μs , VOUT = 0V
VDD = 18V , PW≤10μs , VOUT = 18V
VDD = 18V ,的Iload = 10毫安, VOUT = “ H”
VDD = 18V ,的Iload = 10毫安, VOUT = “ L”
1.0
1.0
8
6
12
10
--1
VDD--0.1
0.1
1.0
4.5
0.2
条件
评级
民
2.6
0.8
40
100
1
典型值
最大
单位
V
V
A
A
V
V
mA
mA
A
A
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7005-007
8
5
0.3
4.4
6.0
0.2
1
4
0.43
5.0
1 : NC
2 :在
3 : GND
4: B
5 : OUT B
6 : VDD
7 : OUT A
8 : NC
三洋: SOP8
0.595
1.27
框图
VDD
IN
0.1
1.5
1.8最大
OUT
GND
第A0420-2 / 5
TND314S
任何规范,并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能,特点和所描述的产品在独立的国家职能,
并且不保证的性能,特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状,并指出不能
在一个独立的设备进行评估,客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障
可能引起事故或事件,危及人的生命,这可能会引起冒烟或
火,或可能造成损害的其他财产。在设计产品时,必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计,多余的设计和结构设计,电路错误预防。
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