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TN8R04
EXPD （优秀的功率器件）
TN8R04
特点
开关稳压器IC为RCC
方法电源的应用
原有的控制IC，适用于延迟RCC型。
高电压功率MOSFET，电流检测。
过载保护。
只需要很少的外部元件。
小全隔离封装形式：TO - 220FI5H 。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
IC输入电压
允许功耗
工作温度
结温
储存温度
符号
VDS
ID
IDP
VIN
PD
TOPR
Tj
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
条件
评级
800
3.5
10.5
30
2.0
Tc=25°C
30
--25到125
150
--55到150
单位
V
A
A
V
W
W
°C
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
[ MOSFET ]
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
截止电压
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
[ IC ]
驱动电压的限制
反馈的检测电压和
超载放大器
VIN （ OV ）
VFB
IIN = 1mA时， VFB = 0
VDELAY ， VIN = 10V ， IIN = 50毫安
30
2.0
V
V
V（ BR ） DSS
IDSS
VGS （关闭）
RDS （ ON）
西塞
科斯
ID = 1mA时， VDELAY = 0
VDS = 800V ， VDELAY = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
ID = 1.8A ， VDELAY = 15V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
800
1.0
3.0
2.3
1100
170
4.0
2.9
V
mA
V
pF
pF
符号
条件
评级
民
典型值
最大
单位
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
13004 TS IM TA- 100895 No.7688-1 / 4
TN8R04
3
2
10
7
5
正向偏压ASO
允许功耗， PD - 含
IDP=10.5A
ID=3.5A
<10s
1
10
0
s
0
s
1m
s
2.5
PD - TA
2.0
漏极电流ID -
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
在这一领域
由RDS （ ON）的限制。
10
m
DC
100 s
op
ms
ERA
TIO
n
1.5
1.0
0.5
0.01
1.0
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
0
5 7 1000
IT06768
0
20
40
60
80
100
120
140
160
漏极至源极电压VDS - V
35
环境温度，钽 -
°C
IT06504
PD - 锝
允许功耗， PD - 含
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
外壳温度，TC -
°C
IT06512
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
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