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8XC196KD/8XC196KD20
8XC196KD垂直窗口
地图
表1 128字节的Windows
地址
重映射
0380H
0300H
0280H
0200H
0180H
0100H
0080H
0000H
设备
系列
KD
KD
KD
KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
WSR内容
X001 0111B
e
17H
X001 0110B
e
16H
X001 0101B
e
15H
X001 0100B
e
14H
X001 0011B
e
13H
X001 0010B
e
12H
X001 0001B
e
11H
X001 0000B
e
10H
表3. 32字节的Windows
地址
重映射
03E0H
03C0H
03A0H
0380H
0360H
0340H
0320H
0300H
02E0H
02C0H
02A0H
0280H
0260H
0240H
0220H
0200H
01E0H
01C0H
01A0H
0180H
0160H
0140H
0120H
0100H
00E0H
00C0H
00A0H
0080H
0060H
0040H
0020H
0000H
设备
系列
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
WSR内容
X101 1111B
e
5FH
X101 1110B
e
5EH
X101 1101B
e
5DH
X101 1100B
e
5CH
X101 1011B
e
5BH
X101 1010B
e
5AH
X101 1001B
e
59H
X101 1000B
e
58H
X101 0111B
e
57H
X101 0110B
e
56H
X101 0101B
e
55H
X101 0100B
e
54H
X101 0011B
e
53H
X101 0010B
e
52H
X101 0001B
e
51H
X101 0000B
e
50H
X100 1111B
e
4FH
X100 1110B
e
4EH
X100 1101B
e
4DH
X100 1100B
e
4CH
X100 1011B
e
4BH
X100 1010B
e
4AH
X100 1001B
e
49H
X100 1000B
e
48H
X100 0111B
e
47H
X100 0110B
e
46H
X100 0101B
e
45H
X100 0100B
e
44H
X100 0011B
e
43H
X100 0010B
e
42H
X100 0001B
e
41H
X100 0000B
e
40H
窗口下寄存器文件： 80H ± FFH
表2 64字节视窗
地址
重映射
03C0H
0380H
0340H
0300H
02C0H
0280H
0240H
0200H
01C0H
0180H
0140H
0100H
00C0H
0080H
0040H
0000H
设备
系列
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
KC ， KD
WSR内容
X010 1111B
e
2FH
X010 1110B
e
2EH
X010 1101B
e
2DH
X010 1100B
e
2CH
X010 1011B
e
2BH
X010 1010B
e
2AH
X010 1001B
e
29H
X010 1000B
e
28H
X010 0111B
e
27H
X010 0110B
e
26H
X010 0101B
e
25H
X010 0100B
e
24H
X010 0011B
e
23H
X010 0010B
e
22H
X010 0001B
e
21H
X010 0000B
e
20H
窗口下寄存器文件： C0H ± FFH
窗口下寄存器文件： E0H ± FFH
3
8XC196KD/8XC196KD20
工艺信息
该器件在PX29.5或PX29.9 ，一个制造
CHMOS III的过程。其他过程与reliabili-
TY信息可用
该
英特尔品质
系统手册：
http://developer.intel.com/design/quality/quality.htm
表5. 8XC196KD存储器映射
描述
外部存储器或I / O
内部ROM / OTPROM或外部
内存（由EA决定）
版权所有。必须包含FFH 。
（注5 ）
PTS载体
上中断向量
地址
0FFFFH
0A000H
9FFFH
2080H
207FH
205EH
205DH
2040H
203FH
2030H
202FH
2020H
201FH
201AH
2019H
2018H
2017H
2014H
2013H
2000H
1FFFH
1FFEH
1FFDH
0400H
03FFH
0018H
0017H
0000H
x
x
x
ROM / OTPROM安全密钥
版权所有。必须包含FFH 。
（注5 ）
版权所有。必须包含20H
（注5 ）
建行
版权所有。必须包含FFH 。
（注5 ）
较低的中断向量
端口3，端口4
外部存储器
1000字节寄存器的RAM （注1）
CPU的SFR （注1,3）
注意：
1. EPROM中可作为一次性可编程
（ OTPROM ）而已。
图3. 8XC196KD家族命名
表4.热特性
包
TYPE
PLCC
QFP
SQFP
θ
ja
35
°
C / W
56
°
C / W
68
°
C / W
θ
jc
13
°
C / W
12
°
C / W
15.5
°
C / W
所有的热阻抗数据是近似的静态空气
在功耗1W的条件。值将发生变化
取决于操作条件和应用。看
英特尔
包装手册
（订单号240800 ）的
英特尔的热阻抗测试方法的说明。
注意事项：
在位置0000H到03FFH执行1.代码会
强制外。
2.保留的内存位置必须包含0FFH ，除非
指出。
3.保留SFR位的位置必须包含0 。
4.参考8XC196KC为SFR的说明。
5.
警告：
保留的内存地址不能为
写入或读出。的内容和/或这些某一地址的函数
阳离子可以改变与设备的未来版本。
因此，一个程序，它依赖于一个或一个以上的这些
地点可能无法正常工作。
4
8XC196KD/8XC196KD20
272145 – 3
图4. 68引脚PLCC封装
5
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