订购数量： ENN8294
TN6Q04
EXPD （优秀的功率器件）
TN6Q04
特点
准谐振开关
电源EXPD
准谐振型原控制IC 。
高电压功率MOSFET，电流检测。
低输入电压保护（自复位）
过电压保护（锁定） 。
过电流保护（脉冲由脉冲） 。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
VDD引脚电压的应用
FB引脚电压的应用
EDGE引脚电压的应用
允许功耗
工作温度
结温
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
ID
IDP
VDD
VFB
VEDGE
PD
TOPR
Tj
TSTG
EAS
IAV
3-5
3-5
3-5
3-5
3-5
4-5
1-5
2-5
Tc=25°C
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
条件
评级
650
5.5
16.5
--0.3至16.7
--0.3至VDD + 0.3
--0.3至VDD + 0.3
2
35
--25到125
150
--55到150
155
5.5
单位
V
A
A
V
V
V
W
W
°C
°C
°C
mJ
A
[所有电压参数都绝对电压参考GND ]
* 1 VDD = 50V ， L = 10MH ， IAV = 5.5A
* 2 L≤10mH ，单脉冲
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
32505IQ TS IM TB- 00001322 No.8294-1 / 4
TN6Q04
电气特性
在TA = 25℃
参数
[ MOSFET ]
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
[ IC ]
电源线击穿电压
过压输入锁存关断阈值电压
突发模式启动阈值电压
突发模式停止阈值电压
突发模式滞后电压
低电压保护ReleaseThreshold电压
（锁存器复位阈值电压）
低电压保护动作阈值电压
低电压保护滞后电压
反馈检测阈值电压
边缘信号释放阈值电压
边缘信号检测阈值电压
边缘信号滞后电压
参考振荡频率
最大振荡频率
电源电流（启动时）
最小导通时间
步进驱动电压
步进驱动栅极电压
V（ BR ） DD
OVP
VBON
VBoff
， VB
UVH
UVL
UV
VFB
VEDGE -H
VEDGE -L
V
EDGE
FOSC
FMAX
国际直拨电话（上）
TON（分钟）
TSTEP
VGstep
4-5 IDD = 1mA时， VFB = 0
4-5
4-5 VEDGE = VDD
4-5 VEDGE = VDD
4-5 VEDGE = VDD
4-5
4-5
4-5
1-5
2-5
2-5
2-5
3-5 VEDGE = 0
3-5
4-5
3-5
3-5
3-5
30
150
0.58
2.3
1.6
9.1
8.0
16.7
15.7
15.2
14.6
16.5
16.0
15.4
0.6
9.9
8.8
1.1
0.70
2.6
1.9
0.7
35
180
200
300
200
VDD--5.7
40
210
0.82
2.9
2.2
10.7
9.6
17.3
16.8
16.2
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
千赫
千赫
A
ns
ns
V
V（ BR ） DSS
IDSS
RDS （ ON）
西塞
科斯
3-5 ID = 1mA时， VDD = 0
3-5 VDS = 650V ， VDD = 0
3-5 ID = 2.8A ， VDD = 15V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
650
1
1.2
1450
250
1.6
V
mA
pF
pF
符号
条件
评级
民
典型值
最大
单位
包装尺寸
单位：mm
2249
10.0
4.5
3.2
2.8
3.5
16.0
7.2
2.4
(5.3)
(4.0)
0.7
(0.9)
1.5
3.0
6.5
0.9
2.54
1.27
12
3
45
2.54
1.27
13.3
0.5
10.3
1.27
2.54
1.27
2.54
6.0
1 ： FB
2 ： EDGE
3 ：排水
4 ： VDD
5 ： SOURCE
三洋： TO- 220FI5H
No.8294-2/4
TN6Q04
3
2
10
7
5
正向偏压ASO
IDP=16.5A
ID=5.5A
1m
10
10
10
ms
DC
0m
op
s
ERA
TIO
n
s
0
s
允许功耗， PD - 含
<10s
10
s
2.5
PD - TA
2.0
漏极电流ID -
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
1.5
操作在此
区域由的RDS（on ）的限制。
1.0
0.5
0.01
1.0
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
5 7 1000
IT09263
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
漏极至源极电压VDS - V
40
环境温度，钽 -
°C
IT09261
PD - 锝
允许功耗， PD - 含
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
外壳温度，TC -
°C
IT09264
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
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这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
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