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TN6729A / NZT6729
分立功率&信号
技术
TN6729A
NZT6729
C
E
C
C
TO-226
BE
B
SOT-223
PNP通用放大器
该器件是专为通用中等功率
放大器和要求集电极电流800毫安开关。
从工艺79采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
80
80
5.0
1.0
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
TN6729A
1.0
8.0
50
125
最大
*NZT6729
1.0
8.0
125
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
TN6729A / NZT6729
PNP通用放大器
(续)
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
最大
单位
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 1.0毫安,我
C
= 0
V
CB
= 60 V,I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V,I
C
= 0
80
80
5.0
0.1
10
V
V
V
A
A
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 50 mA时, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 250毫安, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 500毫安, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 250毫安,我
B
= 10毫安
I
C
= 250毫安,我
B
= 25毫安
I
C
= 250毫安, V
CE
= 1.0 V
80
50
20
250
0.5
0.35
1.2
V
V
V
V
CE(
SAT
)
V
BE (
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
小信号特性
h
fe
C
cb
小信号电流增益
集电极 - 基极电容
I
C
= 200毫安, V
CE
= 5.0 V,
F = 20MHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
2.5
25
30
pF
*
脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比
1.0%
典型特征
V
CESAT
- 集电极发射极电压(V )
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
200
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
2
1
β
= 10
V
CE
= 1.0 V
150
25 °C
- 40 C
125 C
100
25 °C
0.1
50
- 40 °C
0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.5
I
C
- 集电极电流(毫安)
P 9
1
0.01
10
100
I
C
- 集电极电流(毫安)
P 79
1000
TN6729A / NZT6729
PNP通用放大器
(续)
典型特征
(续)
V
BEON
- 基极发射极电压( V)
V
- 基极发射极电压( V)
BESAT
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
基极发射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
- 40 C
25 °C
0.8
- 40 C
25 °C
125 C
0.6
125 C
0.6
0.4
0.4
1
10
100
I
C
- 集电极电流(毫安)
1000
V
CE
= 5V
0.2
1
10
100
I
C
- 集电极电流(毫安)
1000
C
敖包
- 集电极 - 基极电容(pF )
集电极截止电流
- 环境温度
I
CBO
- 集电极电流( NA)
100
V
CB
= 60V
10
集电极 - 基极电容
VS集电极 - 基极电压
40
F = 1.0 MHz的
30
1
20
0.1
10
0.01
25
50
75
100
T
A
- 环境温度( ℃)
P 9
125
0
0
4
8
12
Pr79
16
20
24
28
V
CB
- 集电极 - 基极电压( V)
f
T
- 增益带宽积(兆赫)
250
V
CE
= 10V
200
150
100
50
0
I
C
- 集电极电流( A)
增益带宽积
VS集电极电流
安全工作区TO- 226
10
10
S
*
S*
1
DC
100
T
0.1
*脉冲
手术
T
A
= 25 °C
CO
1.0
LL
EC
m
DC
TO
s*
RL
T
EA
AM
D
=
BIE
25
NT
°C
=
25
°
C
LIMIT DETERMINED
BY BV
首席执行官
1
10
100
I
C
- 集电极电流(毫安)
P 9
1000
0.01
1
10
V
CE
- 集电极 - 发射极电压( V)
Pr79
100
TN6729A / NZT6729
PNP通用放大器
(续)
典型特征
(续)
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗( W)
0.75
TO-226
SOT-223
0.5
0.25
0
0
25
50
75
100
温度(
o
C)
125
150
TN6729A / NZT6729
TN6729A
NZT6729
C
E
C
C
TO-226
B
E
B
SOT-223
PNP通用放大器
该器件是专为通用中等功率
放大器和要求集电极电流为800开关
毫安。从工艺79采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
80
80
5.0
1.0
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3)
所有的电压(V)和电流(A)中是负的极性为PNP晶体管。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
TN6729A
1.0
8.0
50
125
最大
*NZT6729
1.0
8.0
125
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
TN6729A / NZT6729
PNP通用放大器
(续)
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
最大
单位
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 1.0毫安,我
C
= 0
V
CB
= 60 V,I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V,I
C
= 0
80
80
5.0
0.1
10
V
V
V
A
A
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 50 mA时, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 250毫安, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 500毫安, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 250毫安,我
B
= 10毫安
I
C
= 250毫安,我
B
= 25毫安
I
C
= 250毫安, V
CE
= 1.0 V
80
50
20
250
0.5
0.35
1.2
V
V
V
V
CE(
SAT
)
V
BE (
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
小信号特性
h
fe
C
cb
小信号电流增益
集电极 - 基极电容
I
C
= 200毫安, V
CE
= 5.0 V,
F = 20MHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
2.5
25
30
pF
*
脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比
1.0%
注意:
所有的电压(V)和电流(A)中是负的极性为PNP晶体管。
3
典型特征
200
V
CE
= 1.0 V
V
CESAT
- 集电极EM ITTE 电压( V)
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
2
1
β
= 10
150
125 °C
25 °C
100
25 °C
0.1
- 40 °C
125 °C
50
- 40 °C
0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.5
I
C
- 集电极电流( A)
1
0.01
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币(毫安)
1000
TN6729A / NZT6729
PNP通用放大器
(续)
典型特征
(续)
V
BE (ON)的
- BAS ê发射极电压( V)
V
BESAT
- 基本EM ITTE 电压( V)
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
- 40 °C
基极发射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
25 °C
125 °C
0.6
0.6
125 °C
0.4
V
CE
= 5V
0.4
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币(毫安)
1000
0.2
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币(毫安)
1000
敖包
- 集电极 - 基极电容(pF )
收集或-截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流( NA)
100
V
CB
= 60V
集电极 - 基极电容
VS集电极 - 基极电压
40
F = 1.0 MHz的
30
10
1
20
0.1
10
0.01
25
0
0
4
8
12
16
20
24
28
50
75
100
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE (
°
C)
125
V
CB
- 集电极 - 基极电压( V)
- 增益带宽积(兆赫)
增益带宽积
VS集电极电流
250
V
CE
= 10V
安全工作区的TO- 226 / SOT- 223
10
I
C
- 集电极电流( A)
10
S
*
200
150
100
50
0
1
DC
1 00
T
S
*
DC
*脉冲
手术
T
A
= 25 °C
CO
1 .0
LL
EC
ms
TO
RL
T
*
EA
AM
D
=
BIE
25
NT
°C
=
0.1
25
°
C
LIMIT DETERMINED
BY BV
首席执行官
0.01
1
10
100
I
C
- 集电极电流(毫安)
1000
f
T
1
10
V
CE
- 集电极 - 发射极电压( V)
100
TN6729A / NZT6729
PNP通用放大器
(续)
典型特征
(续)
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗( W)
0.75
TO-226
SOT-223
0.5
0.25
0
0
25
50
75
100
温度(
o
C)
125
150
3
TO- 226AE磁带和卷轴数据
TO -226AE包装
CONF iguratio N:
网络古尔E 1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签SAMPL ê
FAIRCHIL S EMICONDUCTOR公司
L OT :
发E图2
e
0.0对于VA rious
HTB : B
10000
Reeli克风格
n
CBVK741B019
数量:
NSID :
PN2222N
SP EC:
FSCINT
SP EC RE V :
QA REV :
D / C1 :
D9842
B2
拉贝升
5卷轴元
诠释呃MED在Iate牛B
( FSCINT )
F63TNR label的AMPL ê
LOT : CBVK7 41B019
数量: 2000
CUS汤姆美化版
拉贝升
F63TNR
拉贝升
CUS汤姆美化版
FSID : PN222N
产品规格:
D / C1 : D9842
D / C2 :
QTY1 :
QTY2 :
SPEC REV :
CPN :
N / F: F
(F63TNR)3
拉贝升
375米米× 267米米× 375毫米
诠释呃MED在Iate牛B
弹药盒OPTION
发E图3
e
0.0 2弹药
组选
s
TO- 226AE TNR / AMMO包装INF
填料
REEL
风格
A
E
QUA
ntity
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
上午M O对
M
P
FSCINT
拉贝升
327米米× 158米米× 135毫米
林MED在Iate牛B
5 A毫米O盒ES元
诠释呃MED在Iate牛B
单吨伟GH吨
卷轴weig HT无线个嗡婆堂费
AMM weig HT连接上无线网络的TS第 OMP
= 0.300克米
= 0.868 克
= 0.880 克
CUS汤姆美化版
拉贝升
最大Q uanti TY P呃我NTE RM版在Iate牛B = 10,000非其
CUS汤姆美化版
拉贝升
F63TNR
柱C颂歌标签
333米米× 231米米× 183毫米
诠释呃MED在Iate牛B
BULK选项
发E散装P
e
ACKING
了信息离子TABL
e
反-stati
FSCINT柱C颂歌标签
( TO- 226AE )批量包装信息
LEADCLIP
不使用L EAD CLIP
不使用L EAD CLIP
不使用L EADCLIP
小家伙BLE表
EOL有限公司
DE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO-5
OPTION性病
QUANTITY
1.0 K /盒
1.0 K /盒
1.5 K /盒
其1500元的未
EO70盒
的TD 关于PTI
114米米× 102米米× 51毫米
EO70调解林牛B
TO- 226标准
5 EO70箱PE
诠释呃MED在Iate牛B
530米米× 130米米× 83毫米
国米MED在Iate盒
CUS tomized
LABEL
FSCINT拉贝升
7500取消其并购的Axim庵
每中间体EDI在E盒
对于ST 选择离子
2000仙童半导体国际
1999年10月修订版A1
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TN6729A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
TN6729A
Fairchild
22+
9048
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1240061890 复制
电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C
TN6729A
FAIRCHILD
24+
6000
TO226-3
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885411383 复制

电话:0755-23975412
联系人:钟
地址:广东省深圳市福田区华强北路广博现代之窗A座13楼13H房
TN6729A
FAIRCHILD/仙童
24+
50000
原装进口支持国内外订货期货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
TN6729A
FAI
1922+
6852
TO-92
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TN6729A
N/M
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制

电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TN6729A
FSC
24+
13728
N/A
全新原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
TN6729A
FAIRCHILD
1405+
1000
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
TN6729A
Fairchild Semiconductor
24+
22000
315¥/片,原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TN6729A
N/M
22+
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