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TN3019A
分立功率&信号
技术
TN3019A
C
TO-226
BE
NPN通用放大器
该器件是专为通用中等功率
放大器和要求集电极电流500毫安开关
和集电极电压高达80 V.从工艺12采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
80
140
7.0
1.0
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θ
JC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
TN3019A
1.0
8.0
125
50
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
TN3019A
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 30 mA时，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 100
A,
I
C
= 0
V
CB
= 90 V，I
E
= 0
V
CB
= 90 V，I
E
= 0, T
A
= 150°C
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0
80
140
7.0
0.01
10
0.01
V
V
V
A
A
A
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V ，T
A
= -55°C
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 1.0 A，V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
50
90
100
40
50
15
300
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.2
0.5
1.1
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
h
fe
rb'C
c
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
小信号电流增益
集电极基时间常数
噪声系数
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 10 V,
F = 20MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
BE
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 1.0兆赫
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V,
F = 1.0 MHz的
I
E
= 10 mA时， V
CB
= 10 V,
F = 4.0 MHz的
I
C
= 100毫安， V
CE
= 10 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫
80
100
12
60
400
400
4.0
pS
dB
兆赫
pF
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
1.0%
TN3019A
NPN通用放大器
（续）
典型特征
V
CESAT
- 集电极发射极电压（V ）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
350
300
250
200
150
100
50
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100 300
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
- 40 °C
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
1.2
1
0.8
0.6
25 °C
V
CE
= 1V
β
= 10
25 °C
0.4
- 40 C
0.2
125 C
0
0.1
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 12
1000
β
= 10
0.8
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
基极发射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
0.6
125 C
- 40 C
25 °C
- 40 C
25 °C
125 C
0.4
0.4
0.2
0
0.1
V
CE
= 1V
0
0.1
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 12
1000
集电极截止电流
- 环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
10
电容（pF）
V
CB
= 80V
集电极 - 基极和发射基
电容VS反向偏置电压
100
F = 1.0 MHz的
80
60
40
CEB
1
20
0
0.1
C CB
0.1
25
50
75
100
T
A
- 环境温度（ C）
125
1
10
反向偏置电压（V）的
P 12
50
TN3019A
NPN通用放大器
（续）
典型特征
（续）
小信号电流增益在20 MHz时
h
FE
- 小信号电流增益
10
F = 20MHz的
8
V
CE
= 10V
时间（纳秒）
6
4
2
0
V
CE
= 1.0V
800
600
400
200
1000
开关时间VS
集电极电流
tr
1
I
C
tf
ts
td
1000
10
100
- 集电极电流（毫安）
P 12
500
0
10
100
500
I
C
- 集电极电流（毫安）
开启和关闭时间VS
集电极电流
1000
P
D
- 功耗（ W）
1
功耗与
环境温度
TO-226
0.75
800
时间（纳秒）
600
400
200
T ON
0
10
I
C
I
B1
= I
B2
= I
C
V
CC
= 50V
10
0.5
吨关闭
0.25
100
500
- 集电极电流（毫安）
P 12
1000
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
TN3019A
NPN通用放大器
（续）
测试电路
- 4.0 V
50 V
I
C
150毫安
200毫安
500毫安
R
b
314
157
94
R
L
330
167
100
- 1
F
1.0 K
R
L
R
b
抽样范围
上升时间
≤
5.0纳秒
输入阻抗功能
≈
100 k
50
1.5
S
10 V
0V
脉冲源
上升时间
≤
5.0纳秒
下降时间
≤
10纳秒
图1：
t
ON
, t
关闭
测试电路
TN3019A
TN3019A
C
TO-226
B
E
NPN通用放大器
该器件是专为通用中等功率
放大器和要求集电极电流500毫安开关和
集电极电压高达80 V.从工艺12采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
80
140
7.0
1.0
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
TN3019A
1.0
8.0
125
50
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
TN3019A
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 30 mA时，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 100
A,
I
C
= 0
V
CB
= 90 V，I
E
= 0
V
CB
= 90 V，I
E
= 0, T
A
= 150°C
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0
80
140
7.0
0.01
10
0.01
V
V
V
A
A
A
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V ，T
A
=-55°C
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V*
I
C
= 1.0 A，V
CE
= 10 V*
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 15毫安
50
90
100
40
50
15
300
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.2
0.5
1.1
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
h
fe
rb'C
c
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
小信号电流增益
集电极基时间常数
噪声系数
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 10 V,
F = 20MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
BE
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 1.0兆赫
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V,
F = 1.0千赫
I
E
= 10 mA时， V
CB
= 10 V,
F = 4.0 MHz的
I
C
= 100毫安， V
CE
= 10 V,
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫
80
100
12
60
400
400
4.0
pS
dB
兆赫
pF
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
1.0%
TN3019A
NPN通用放大器
（续）
典型特征
V
CESAT
- 集电极EM ITTE 电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
350
300
250
200
150
100
50
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100 300
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
- 40 °C
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
1.2
1
0.8
0.6
25 °C
β
= 10
V
CE
= 1V
25 °C
0.4
- 40
°
C
0.2
125
°
C
0
0.1
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
1000
β
= 10
0.8
- 40
°
C
V
BEON
- BAS ê发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基本EM ITTE 电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
基极发射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
CE
= 1V
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
1000
- 40
°
C
25 °C
125
°
C
25 °C
125
°
C
0.4
0
0.1
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
1000
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
10
V
CB
= 80V
集电极 - 基极和发射基
电容VS反向偏置电压
100
F = 1.0 MHz的
电容（pF）
80
60
40
CEB
1
20
C CB
0.1
25
50
75
100
T
A
- 环境温度（
°
C)
125
0
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
50
TN3019A
NPN通用放大器
（续）
典型特征
（续）
小信号电流增益在20 MHz时
h
FE
- 小信号电流增益
10
F = 20MHz的
8
V
CE
= 10V
时间（纳秒）
6
4
2
0
V
CE
= 1.0V
800
600
400
200
1000
开关时间VS
集电极电流
tr
1
I
C
10
100
- 集电极电流（毫安）
500
0
10
tf
ts
td
1000
100
500
I
C
- 集电极电流（毫安）
开启和关闭时间VS
集电极电流
1000
P
D
- 功耗（ W）
1
功耗与
环境温度
TO-226
0.75
800
时间（纳秒）
600
400
200
T ON
0
10
I
C
I
B1
= I
B2
= I
C
V
CC
= 50V
10
0.5
吨关闭
1000
0.25
100
500
- 集电极电流（毫安）
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
TN3019A
NPN通用放大器
（续）
测试电路
- 4.0 V
50 V
I
C
150毫安
200毫安
500毫安
R
b
314
157
94
R
L
330
167
100
- 1
F
1.0 K
R
L
R
b
抽样范围
上升时间
≤
5.0纳秒
输入阻抗功能
≈
100 k
50
1.5
S
10 V
0V
脉冲源
上升时间
≤
5.0纳秒
下降时间
≤
10纳秒
图1：
t
ON
, t
关闭
测试电路
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TPS3823-25QDBVRQ1
T496C106K025AS
TK71625SCL
TSC87C52-L16CAB
TC1313-AK0EUNTR
TS256MDOM40V
TLE4269
TD74BC574F
TLP594G_07
TSPC603RVGS6LC
TPS799315DDCT
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