【Ennnnnnn12.0 V ±5% VPP28F020 2048K （ 256K ×8 ）的CMO】,IC型号TN28F020-90,TN28F020-90 PDF资料,TN28F020-90经销商,ic,电子元器件-51电子网

12.0 V ±5% V

28F020 2048K （ 256K ×8 ）的CMOS

FL灰内存

命令寄存器架构

微处理器/微控制器

写兼容接口

噪声免疫功能

±10% V

公差

最大闭锁抗扰度

通过EPI处理

ETOX 非易失闪存技术

EPROM兼容的加工基地

大批量制造

经验

符合JEDEC标准的引脚排列

32引脚塑料DIP

32引脚PLCC

32引脚TSOP

（见包装规格。，订单号231369 ）

快闪电子芯片擦除

2第二典型芯片擦除

快速脉冲编程算法

10 μs的典型字节编程

4秒芯片计划

10万次擦除/编程

高性能读

90 ns最大访问时间

CMOS低功耗

10毫安典型工作电流

50 μA典型待机电流

0瓦数据保持电源

集成的编程/擦除停止定时器

扩展温度选项

英特尔28F020 CMOS闪存提供了最具成本效益和可靠的替代用于读/写

随机存取非易失性存储器。该28F020加电芯片擦除和重新编程来熟悉

EPROM技术。存储器的内容可以被改写：在测试插座;在PROM程序员插座;导通

组件测试过程中板;在系统的最终测试期间;而在系统售后。该28F020增加

内存的灵活性，同时有助于节省时间和成本。

该28F020是组织为262144字节8比特的2048千比特非易失性存储器。 Intel的28F020是

在32引脚塑料DIP ， 32引脚PLCC和32引脚TSOP封装。引脚分配符合

JEDEC标准的字节宽度的EPROM 。

扩展擦除和编程循环能力设计为英特尔的ETOX （ EPROM隧道氧化）

工艺技术。高级氧化处理，优化的隧道结构，并降低电场

结合扩展可靠的循环超出了传统的EEPROM 。随着12.0 V V

供应，

28F020进行10万次擦除和编程，以及在快速脉冲的时间限制

编程和快速擦除算法。

英特尔28F020采用了先进的CMOS电路用于需要高性能的接入速度的系统，

功耗低，并且对噪声的抗扰度。其90 ns访问时间提供零等待状态的表现

适用范围广的微处理器和微控制器。 100 μA最大进行翻译待机电流

进入节电设备时取消。最后，程度最高的闩锁保护是

通过英特尔独有EPI处理来实现的。提供了一种用于压力高达100 mA的防止闩锁

对地址和数据引脚，从-1至V

+ 1 V.

与英特尔的ETOX工艺技术基地， 28F020建立在多年的经验， EPROM产生的

最高水平的质量，可靠性和成本效益。

1997年12月

订单号： 290245-009

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F020可能包含设计缺陷或勘误表错误。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱5937

丹佛，科罗拉多80217-9808

或致电1-800-548-4725

或访问英特尔网站http://www.intel.com

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

28F020

页面

4.0电气特性.................. 18

4.1绝对最大额定值........................ 18

4.2工作条件.................................. 18

4.3电容............................................... 18

4.4直流特性- TTL / NMOS

兼容-商用产品........... 19

4.5直流特性-CMOS Compatible-

商用产品................................ 20

4.6直流特性- TTL / NMOS

兼容，扩展温度

产品................................................. ... 22

4.7直流特性-CMOS Compatible-

扩展温度产品............... 24

4.8交流只有特性 - 阅读

操作-商业和扩展

温度产品............................... 28

4.9交流特性 - 写/擦除/编程

只有行动，商业和

扩展温度产品............... 30

4.10擦除和编程性能..... 31

4.11 AC特性，备用CE ＃

控制的写操作，商业和

扩展温度产品............... 35

5.0订购信息......................... 38

6.0其他信息...................... 38

1.0应用程序.............................................. 5

操作2.0原理....................... 8

2.1综合停止定时器.................................. 8

2.2写保护........................................... 9

2.2.1总线操作...................................... 9

2.2.1.1读.............................................. 0.9

2.2.1.2输出禁止.............................. 10

2.2.1.3待机........................................ 10

2.2.1.4智能标识操作....... 10

2.2.1.5写............................................. 10

2.2.2命令定义.......................... 10

2.2.2.1读命令............................ 11

2.2.2.2智能identifier命令...... 11

2.2.2.3建立擦除/擦除命令... 12

2.2.2.4擦除校验命令................. 12

2.2.2.5建立项目/计划

命令.................................. 12

2.2.2.6程序验证命令............ 12

2.2.2.7复位命令........................... 13

2.2.3扩展的擦除/编程循环........ 13

2.2.4快速脉冲编程算法... 13

2.2.5快速擦除算法......................... 13

3.0设计考虑........................ 16

3.1两线输出控制............................ 16

3.2电源去耦.......................... 16

3.3 V

跟踪印刷电路板........... 16

3.4电/断电保护........................ 16

3.5 28F020功耗......................... 16

28F020

修订历史

数

-004

-005

-006

-007

-008

-009

描述

————

删除

初步

分类。澄清的AC和DC测试条件。增加了“酒窝”

到F TSOP封装。纠正蛇形布局。

添加-80V05 ， -90 NS速度等级。添加扩展温度的设备。更正

AC波形。

加入-70纳秒的速度。删除-80 V05的速度。修订后的符号，即， CE， OE等， CE ＃，

OE ＃等

更新的命令默认值。表。更新28F020快速擦除算法。 AC更新

的特点。取出蛇形布局图。

在整个文档中细微的变化。

删除-70纳秒的速度和F TSOP封装。添加-120纳秒的速度和扩展

温度的设备。更新订购信息表。更新的交流特性。

更换参考-70 NS与-90 ns的第一页。除去F TSOP封装引脚

结构图。

1.0应用程序

该28F020闪存提供非易失性

随着性能来进行超过100,000

电子芯片擦除/重写数。这些

特点使得28F020的创新替代

到磁盘，EEPROM和电池备份的静态RAM。

其中的代码和数据表的定期更新

需要时， 28F020的可重编程和

非易失性使其明显的理想

更换EPROM 。

主要的应用程序和操作系统存储

闪光灯消除慢的磁盘到DRAM下载

流程。这导致显着增强

性能和大幅削减权力

消费一

考虑

尤其

重要的便携式设备。快闪记忆体

提高电气芯片擦除和灵活性

在系统更新操作系统的能力

和应用程序代码。随着更新的代码，系统

制造商可以轻松容纳last-

细微变化的修订作出。

在无盘工作站和终端，网络

流量减少到最低限度和系统是

即时启动。可靠性超过了电 -

机械媒介。经常在这些环境中，

停电迫使扩展重新开机时间

所有联网终端。此事故没有

再一个问题，如果启动代码，操作系统，

通信协议和主要应用

闪存是居住在每一个终端。

对于依赖于动态嵌入式系统

RAM /磁盘主系统存储器或非易失性

备份存储中， 28F020闪存提供

固态替代以最小的外形尺寸。该

28F020提供更高的性能，更低的功耗

耗，即用性的，并且允许

“执行到位”的（ XIP ）存储结构

代码和数据表的读数。另外，该闪光

内存更坚固，可靠的恶劣

环境中的极端温度和

休克可引起基于磁盘的系统失败。

需要代码更新弥漫在各个阶段

系统的生命从原型系统

制造到售后服务。电

芯片擦除和重新编程能力

28F020允许在电路变性;这消除

不必要的操作和不太可靠的嵌

28F020

连接，

而

添加

更大

制造，并且更新的灵活性。

测试，

与代码相关联的材料和劳动力成本

变化的增加在更高级别的系统的

集成 - 最昂贵的幸福代码更新

售后。代码“错误”，或充实到愿望

系统功能，及时售后代码

更新。现场修改EPROM为基础的代码

要求除去的EPROM组件或

整个板。随着28F020 ，代码更新

通过边缘连接器在本地执行，或

远程通过通信链路。

用于系统当前使用的是高密度的静

数据积累RAM /电池配置，

闪存固有的非易失性消除了

需要备用电池。电池的关注

失败不再存在，一个重要的考虑因素

对于便携式设备和医疗仪器，

既需要持续的表现。此外，

闪存提供了相当大的成本优势

在静态RAM 。

快闪记忆体的电子芯片擦除，字节

可编程性和非易失性完全合身

与数据积累和记录的需求。

电子芯片擦除给设计师一个“空白

石板“，其中记录或记录数据。数据可以是

周期性地卸下，用于分析和闪光

内存中清除产生一个新的“空白的石板”。

片上功能集成程度高

简化了内存到处理器的接口。身材

3描绘了两个28F020s绑在80C186系统

总线。该28F020的体系结构通过减少界面

电路所需要的完整的在线更新

存储器的内容。

该TSOP的薄型小的突出特点（

外形封装）为1.2毫米的厚度。 TSOP

特别适合于便携式设备和

需要大量的闪光灯应用

内存。

具有成本效益的系统内重新编程，

扩展循环能力，和真正的非易失性，

该28F020有优势的替代品：

的EPROM ， EEPROM，单电池备份的静态RAM ，

或磁盘。 EPROM兼容读取规格，

简单的接口，并且在电路变性

为设计者提供了无限的灵活性，以满足

高标准的当今设计。