TN2640
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
特点
低阈值（ 2.0V最大值）
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
这个低阈值的增强模式（常关）
晶体管采用了垂直的DMOS结构和Supertex公司
成熟的硅栅的制造工艺。这
结合产生了一种装置，具有功率处理
双极晶体管和具有高的输入能力
阻抗和正温度COEF网络cient固有
在MOS器件。所有MOS结构的特点，
设备是无热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
订购信息
设备
TN2640
封装选项
TO- 252 （ D-白）
TN2640K4-G
8引脚SOIC
TN2640LG-G
TO-92
死*
BV
DSS
/ BV
DGS
(V)
R
DS （ ON）
（最大）
(Ω)
V
GS （ TH）
（最大）
(V)
I
D（上）
（分钟）
(A)
TN2640N3 -G TN2640ND
400
5.0
2.0
2.0
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
* MIL视觉筛选可用
销刀豆网络gurations
漏
漏
漏
漏
漏
来源
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
门
门
来源
N / C
N / C
TO- 252 （ D- PAK ） （ K4 ）
8引脚SOIC （ LG）
漏
来源
门
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
*
为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
TO-92 （N 3 ）
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1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
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TN2640
产品标识
思YYWW
TN2640
LLLLLLL
YY =年密封
WW =周密封
L =批号
= “绿色”包装
N2640
YYWW
LLLL
YY =年密封
WW =周密封
L =批号
= “绿色”包装
封装可以包括或不包括以下标记： Si或
封装可以包括或不包括以下标记： Si或
TO- 252 （ D- PAK ） （ K4 ）
S ITN
2 640
YYWW
YY =年密封
WW =周密封
= “绿色”包装
8引脚SOIC （ LG）
封装可以包括或不包括以下标记： Si或
TO-92 （N 3 ）
热特性
包
TO- 252 （ D-白）
8引脚SOIC
TO-92
（连续
)
（MA ）
I
D
（脉冲的）
(A)
I
D
功耗
@T
A
= 25 C
(W)
O
O
（ C / W ）
θ
jc
（ C / W ）
O
θ
ja
（MA ）
I
DR
I
DRM
(A)
500
260
220
3.0
2.0
2.0
2.5
1.3
0.74
6.25
24
125
50
96
170
500
260
220
3.0
2.0
2.0
注意事项：
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米
电气特性
（T = 25° C除非另有规定编）
A
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
400
0.8
-
-
-
-
1.5
2.0
-
-
-
200
-
-
-
典型值
-
-
-2.5
-
-
3.5
4.0
3.2
3.0
-
330
210
30
8.0
最大
-
2.0
-4.0
100
10
1.0
-
-
5.0
5.0
0.75
-
225
50
15
单位
V
V
毫伏/
O
C
nA
A
mA
A
Ω
%/
O
C
mmho
pF
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.0毫安
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= 5.0V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
DS
= 25V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 0V,
V
DS
= 25V,
F = 1.0MHz的
I
D（上）
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
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2
TN2640
电气特性
（T = 25° C除非另有规定编）
A
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
民
-
-
-
-
-
-
典型值
4.0
15
20
22
-
300
最大
15
20
25
27
0.9
-
单位
条件
V
DD
= 25V,
I
D
= 2.0A,
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 200毫安
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.0A
ns
V
ns
注意事项：
1.所有的直流参数的100％ ，在25测试
O
C除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
N沟道开关波形和测试电路
10V
V
DD
90%
10%
t
（上）
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
R
L
产量
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
V
DD
产量
0V
10%
90%
10%
90%
输入
D.U.T.
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3
TN2640
典型性能曲线
输出特性
5.0
2.5
饱和特性
V
GS
= 10V
4.0
2.0
8V
6V
V
GS
= 10V
I
D
（安培）
I
D
（安培）
3.0
6V
8V
1.5
4V
3V
4V
2.0
1.0
1.0
3V
0.5
2V
0
0
10
20
2V
0
V
DS
（伏）
30
40
50
0
2
4
6
8
10
V
DS
（伏）
功耗与温度的关系
3.0
DPAK
跨导主场迎战漏电流
2.0
1.6
2.4
G
FS
（西门子）
V
DS
= 25V
P
D
（瓦特）
1.2
1.8
SO-8
0.8
T
A
= -55°C
1.2
TO-92
0.4
25°C
125°C
0.6
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
（安培）
最大额定安全工作区
10
1.0
TO-92 （脉冲）
T
A
(°C)
热响应特性
热电阻（标准化）
1.0
DPAK （ DC ）
0.8
I
D
（安培）
SO- 8 （脉冲）
0.6
0.1
TO-92 （DC）的
SO- 8 （ DC ）
0.4
0.01
T
C
= 25°C
0.2
TO-92
TC = 25°C
PD = 1.0W
0.001
0
10
100
1000
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
V
DS
（伏）
t
p
（秒）
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TN2640
典型性能曲线（续）
BV
DSS
随温度的变化
1.15
10
导通电阻与漏电流
V
GS
= 5V
1.10
8
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
1.05
6
V
GS
= 10V
1.00
4
0.95
0.9
2
0.90
-50
0
50
100
150
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T
j
(°C)
传输特性
3.0
1.4
I
D
（安培）
V
TH
和R
DS
随温度的变化
2.2
25°C
2.4
1.2
V
（ TH ）
@ 2毫安
1.8
I
D
（安培）
1.8
T
A
= -55°C
125°C
1.0
1.4
1.2
V
DS
= 25V
0.8
1.0
0.6
0.6
R
DS （ ON）
@ 10V ， 0.5A
0.6
0
0
2
4
6
8
10
0.4
-50
0
50
100
150
0.2
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
400
10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
8
300
C（皮法）
653pF
V
GS
（伏）
6
200
C
国际空间站
V
DS
= 10V
4
100
V
DS
= 40V
C
OSS
2
0
0
10
20
30
C
RSS
40
253pF
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
●
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5
R
DS （ ON）
（归一化）
V
GS （ TH）
（归一化）
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