TN2640
TN2640
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
400V
R
DS （ ON）
（最大）
5.0
V
GS （ TH）
（最大）
2.0V
I
D（上）
（分钟）
2.0A
订单号码/套餐
SO-8
TN2640LG
TO-92
TN2640N3
DPAK
TN2640K4
DIE
TN2640ND
MIL视觉筛选可用。
特点
低门槛 - 2.0V最大。
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
D（ TAB ）
G
S
SGD
TO-92
TO-252
（ D- PAK ）
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
NC
NC
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
顶视图
SO-8
注：请参阅尺寸封装外形部分。
12/19/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
TN2640
热特性
包
TO-92
SO-8
DPAK
I
D
（连续） *
220mA
260mA
500mA
I
D
（脉冲的）
2.0A
2.0A
3.0A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1.0W
1.3W
2.5W
θ
jc
°
C / W
125
24
6.25
θ
ja
°
C / W
170
96
50
I
DR
*
220mA
260mA
500mA
I
DRM
2.0A
2.0A
3.0A
* I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
400
0.8
-2.5
2.0
-4.0
100
10
1.0
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
1.5
2.0
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
300
200
330
180
35
7.0
4.0
15
20
22
225
70
25
15
20
25
27
0.9
V
ns
V
GS
= 0V时，我
SD
= 200毫安
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.0A
ns
V
DD
= 25V,
I
D
= 2.0A,
R
根
= 25
pF
3.5
4.0
3.2
3.0
5.0
5.0
0.75
%/°C
m
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2.0毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 5.0V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
DS
= 25V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1.0 MHz的
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
TN2640
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.15
10
导通电阻与漏电流
V
GS
= 5V
1.10
8
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
1.05
6
V
GS
= 10V
1.00
4
0.95
0.9
0.90
-50
0
50
100
150
2
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T
j
(°C)
传输特性
3.0
1.4
I
D
（安培）
V
TH
和R
DS
随温度的变化
2.2
25°C
2.4
1.2
V
（ TH ）
@ 2毫安
1.8
I
D
（安培）
1.8
T
A
= -55°C
125°C
V
GS （ TH）
（归一化）
1.0
1.4
1.2
0.8
1.0
V
DS
= 25V
0.6
0.6
R
DS （ ON）
@ 10V ， 0.5A
0.6
0
0
2
4
6
8
10
0.4
-50
0
50
100
150
0.2
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
400
10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
8
300
653pF
C（皮法）
V
GS
（伏）
6
200
C
国际空间站
V
DS
= 10V
4
V
DS
= 40V
100
2
C
OSS
253pF
0
0
10
20
30
C
RSS
40
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
12/19/01rev.1
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
R
DS （ ON）
（归一化）
QQ：2881677436 复制
