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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第22页 > TN2540N8-G
TN2540
低阈值N沟道
增强型垂直DMOS FET
特点
低门槛 - 2.0V最大
高输入阻抗
低输入电容 - 125pF最大
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
概述
Supertex公司TN2540是一个低门槛enhancement-
它利用了先进的垂直型晶体管
DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生了一种装置
与双极晶体管的功率处理能力，
和高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特征全部
MOS结构，该设备不受热失控
和热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏设备
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
开关波形和测试电路
V
DD
10V
90%
输入
0V
10%
t
（上）
脉冲
发电机
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
R
L
产量
R
根
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
D.U.T.
产量
0V
90%
90%
TN2540
订购信息
封装选项
设备
TO-92
TN2540
TN2540N3-G
TO-243AA
(SOT-89)
TN2540N8-G
死*
TN2540ND
BV
DSS
/ BV
DGS
(V)
R
DS （ ON）
（最大）
(Ω)
V
GS （ TH）
（最大）
(V)
I
D（上）
（分钟）
(A)
400
12
2.0
1.0
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
* MIL视觉筛选可用。
引脚CON组fi guration
漏
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
栅极至源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能出现的设备。在这些条件下的功能操作不
暗示。该设备在绝对评价等级连续运行
可能会影响器件的可靠性。所有电压参考器件接地。
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
S
G
D
门
漏
（ TOP VIEW ）
SINK
TO-92
（前视图）
TO- 243AA （ SOT- 89 ）
产品标识
TN
2540
YYWW
YY =年密封
WW =周密封
= “绿色”包装
TO-92 （N 3 ）
TN5DW
W =代码密封一周
TO- 243AA （ SOT- 89 ） （ N8 ）
热特性
I
D
包
TO-92
TO-243AA
(SOT-89)
（连续）
（MA ）
I
D
（脉冲的）
(A)
功耗
@T
A
= 25 C
(W)
O
θ
jc
(
O
C / W ）
θ
ja
(
O
C / W ）
I
DR
(
毫安）
175
260
I
DRM
(
A)
2.0
1.8
175
260
2.0
1.8
1.0
1.6
125
15
170
78
注意事项：
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
J
.
装在FR5板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。
2
TN2540
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定编）
符号
参数
民
典型值
最大
单位
条件
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
I
GSS
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
随温度的变化
门体漏电流
400
0.6
-
-
-
-
-
-2.5
-
-
-
0.5
1.0
8.0
8.0
-
200
95
20
10
-
-
-
-
-
300
-
2.0
-4.0
100
10
1.0
-
V
V
毫伏/
O
C
nA
A
mA
V
GS
= 0V时，我
D
= 100A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
I
DSS
零栅极电压漏极电流
-
0.3
I
D（上）
通态漏电流
0.75
静态漏 - 源极导通状态
阻力
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
-
-
-
125
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
A
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Ω
12
0.75
-
125
70
25
20
15
ns
25
20
1.8
-
V
ns
pF
%/
O
C
mmho
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 150毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 500毫安
V
DS
= 25V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 0V,
V
DS
= 25V,
F = 1.0MHz的
V
DD
= 25V,
I
D
= 1.0A,
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 200毫安
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.0A
注意事项：
1.全直流参数100％测试25
O
C除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
3
TN2540
典型性能曲线
°
°
°
°
°
4
TN2540
典型性能曲线
（续）
BV
DSS
随温度的变化
1.1
50
导通电阻与漏电流
40
V
GS
= 4.5V
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
V
GS
= 10V
30
1.0
20
10
0.9
-50
0
50
100
150
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
j
(
°
C)
传输特性
1.5
I
D
（安培）
V
（ TH ）
和R
DS
随温度的变化
2.5
V
DS
= 25V
1.2
1.4
R
DS （ ON）
@ 10V ， 0.5A
2.0
1.2
I
D
（安培）
T
A
= -55
°
C
0.9
1.5
1.0
1.0
0.8
0.5
0.6
0
0.6
25
°C
0.3
125°C
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
200
10
T
j
(
°
C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
8
150
V
DS
= 10V
C（皮法）
V
GS
（伏）
6
100
C
国际空间站
4
V
DS
= 40V
260 pF的
50
2
C
RSS
0
0
10
20
30
C
OSS
0
40
0
95pF
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
5
R
DS （ ON）
（归一化）
V
GS （ TH）
（归一化）
V
（ TH ）
@ 1毫安
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