TN2501
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
18V
*
同SOT- 89 。
R
DS （ ON）
（最大）
2.5
I
D（上）
（分钟）
250mA
V
GS （ TH）
（最大）
1.0V
订单号码/套餐
TO-243AA*
DIE
TN2501N8
TN2501ND
产品供应在2000年一块载带卷盘。
MIL视觉筛选可用。
产品标识为TO- 243AA ：
特点
低门槛
高输入阻抗
低输入电容 - 110pF最大。
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
TN5U
哪里
= 2个星期的α-日期代码
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±
15V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
G
D
S
D
TO-243AA
(SOT-89)
注：请参阅尺寸封装外形部分。
11/12/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
TN2501
热特性
包
TO-243AA
*
I
D
（连续） *
400mA
I
D
（脉冲的）
560mA
功耗
@ T
A
= 25
°
C
1.6W
θ
jc
°
C / W
15
θ
ja
°
C / W
78
I
DR
*
560mA
I
DRM
750mA
安装在FR5板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著P增幅可能在陶瓷基板。
D
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
18
0.3
1.0
-4.0
100
10
1.0
I
D（上）
R
DS （ ON）
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
250
600
25
3.5
2.5
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
1.1
100
0.15
0.3
110
60
35
5.0
15
15
8.0
1.8
V
ns
ns
V
DD
= 15V,
I
D
= 250毫安，
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 200毫安
V
GS
= 0V时，我
SD
= 200毫安
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
F = 1 MHz的
0.75
%/°C
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
mA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
=
±
15V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= V
DS
= 3.0V
V
GS
= 1.2V ，我
D
= 3.0毫安
V
GS
= 2.0V ，我
D
= 50毫安
V
GS
= 3.0V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 3.0V ，我
D
= 200毫安
V
DS
= 3.0V ，我
D
= 200毫安
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μsec的脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
TN2501
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.1
10
导通电阻与我
D
8
BV
DSS
（归一化）
V
GS
= 2V
R
DS （ ON）
（欧姆）
6
V
GS
= 3V
4
1.0
2
0.9
-50
0
50
100
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
j
(°C)
传输特性
1.0
I
D
（安培）
V
（ TH ）
和R
DS
随温度的变化
1.6
1.4
25°C
V
DS
= 15V
0.8
R
DS （ ON）
@ 3V ， 0.2A
1.4
V
GS （ TH）
（归一化）
1.2
I
D
（安培）
0.6
V
（ TH ）
@ 1毫安
1.0
1.2
T
A
= -55°C
0.4
125°C
1.0
0.8
0.8
0.6
0.2
0
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
0.6
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
100
10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
8
75
V
DS
= 10V
C（皮法）
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
130 pF的
V
DS
= 15V
4
50
C
OSS
25
2
C
RSS
60pF
0
0
5
10
15
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
11/12/01
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4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
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R
DS （ ON）
（归一化）
QQ：2880707522 复制
