TN2435
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
350V
*
**死在晶圆形式。
R
DS （ ON）
（最大）
6.0
I
D（上）
（分钟）
1.0A
订单号码/套餐
TO-243AA*
TN2435N8
死**
TN2435NW
产品标识为TO- 243AA ：
TN4D
哪里
= 2个星期的α-日期代码
同SOT- 89 。产品供应在2000年一块载带卷盘。
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
器和具有高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用范围广
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口
固态继电器
电源管理
模拟开关
林格
电信交换机
封装选项
D
G
D
S
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
TO-243AA
(SOT-89)
注：请参阅尺寸封装外形部分。
11/12/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
TN2435
热特性
包
TO-243AA
I
D
（连续） *
365mA
I
D
（脉冲的）
1.8A
功耗
@ T
A
= 25
°
C
1.6W
θ
jc
°
C / W
15
θ
ja
°
C / W
78
I
DR
*
365mA
I
DRM
1.8A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR5板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
350
0.8
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 3.0V ，我
D
= 150毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 250毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 750毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 750毫安
V
DS
= 25V ，我
D
= 350毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1.0MHz的
V
DD
= 25V,
I
D
= 750毫安
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 750毫安
V
GS
= 0V时，我
SD
= 750毫安
-5.5
100
10
1.0
0.5
1.0
15.0
10.0
6.0
1.7
125
125
25
8
5
10
28
10
300
200
70
25
20
20
40
30
1.5
I
D（上）
R
DS （ ON）
通态漏电流
静态漏源通态
阻力
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
A
%/°C
m
pF
ns
V
ns
注意事项：
1，所有的DC参数，除非另有说明100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
TN2435
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.2
BV @ 250μA
20
导通电阻与漏极电流
BVDSS （归）
16
的RDS（ON ）（欧姆）
1.1
VGS = 3V
VGS =
4.5V
12
1.0
8
0.9
4
VGS = 10V
0.8
-50
0
50
100
150
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
TJ （
°
C)
传输特性
2.0
TA = 25°C
1.4
ID （安培）
VGS （TH）和RDS （ON）的重量/温度
2.4
VGS （ TH） （标准化）
1.6
TA = -55°C
1.2
VGS （ TH） @ 1毫安
1.0
2.0
1.2
TA = 150℃
1.6
0.8
0.8
1.2
0.4
VDS = 25V
0.0
0
2
4
6
8
10
0.6
RDS （ON ） @ 10V ， 0.75A
0.8
0.4
-50
0
50
100
0.4
150
VGS （伏特）
电容与漏源电压
300
F = 1MHz的
TJ （
°
C)
栅极驱动器的动态特性
10
ID = 365毫安
8
225
C（皮法）
VDS=10V
V
GS
（伏）
6
VDS=40V
150
西塞
4
525pF
75
科斯
0
0
CRSS
10
20
30
40
50
2
150pF
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
11/12/01
VDS （伏特）
Q
G
（ nanocoulombs ）
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
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4
RDS（ON） （归一化）
ID （安培）
QQ：2880707522 复制
